説明

エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドにより出願された特許

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【課題】2以上の半導体製造装置に正確に区分された量のプロセスガスを搬送するシステムを提供する。
【解決手段】単一のフローを所望の比率の2以上の二次フローに分割するため、前記単一のフローを受け取る入口13と、前記入口に接続された少なくとも2つの二次フロー・ライン14a,14bと、所望のフロー比率を受け取る入力手段22と、前記フロー・ラインのそれぞれによって生じた製品の測定値を提供するインサイチュ・プロセス・モニタ100と、前記入力手段と前記インサイチュ・プロセス・モニタ100とに接続されたコントローラ24とを含む。このコントローラ24は、前記入力手段を介して所望のフロー比率を受け取り、前記インサイチュ・プロセス・モニタ100から前記製品の測定値を受け取り、前記所望のフロー比率と前記製品の測定値とに基づいて訂正されたフロー比率を計算するようにプログラムされている。 (もっと読む)


【課題】圧力変動に対する感度を実質的に取り除いた質量流量コントローラを提供する。
【解決手段】質量流量コントローラは、圧力センサと組み合わされた熱質量流量センサを含んでおり、入力圧力における揺らぎに比較的敏感ではない質量流量コントローラを提供する。圧力センサと熱センサとは、それぞれが測定された入口流率とデッド・ボリュームの中の圧力とを示す信号を電子コントローラに提供する。電子コントローラは、測定された圧力を用いて測定された入口流率を補償して出口流率の補償された測度を生じ、これが質量流量コントローラの出口弁を動作させるのに用いられる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ槽の冷却のための方法を提供する。
【解決手段】システム1200は、槽1210、槽1210に隣接するヒートシンク1220、および槽1210とヒートシンク1220との間に配置される熱インターフェイス1230(機械的調節層)を備える。ヒートシンク1220の中、上または接して流れる水、オイルまたは空気などの冷却流体によって、前記ヒートシンクを冷却する。システム1200は、オプションとして、ヒートシンク1220に制御可能に圧力を加えるバネ式機構1290を備える。 (もっと読む)


【課題】マルチ・チャンバ・ツールとの関係でオゾン濃度を制御する改良されたシステム及び方法を提供する。
【解決手段】オゾン発生器20と組み合わされた第1及び第2の濃度コントローラ25、35を含む。第1の濃度コントローラ25は、イベントを検出し、それに応答して、予測制御アルゴリズムに従いオゾン発生器20に電力指示を提供する。第1の濃度コントローラ25は、高速(すなわち、約1秒)の応答時間を有する。第2の濃度コントローラ35は、イベントの間はオゾン発生器20からマスクされているが、それ以外の場合には、イベントの発生からある時間間隔が経過した後で発生器20を制御する。第2の濃度コントローラ35は、第1の濃度コントローラ25よりも低速の応答時間を有するが、システムに長期的な安定性を提供し、予測制御アルゴリズムに更新されたデータを提供するのに用いられる。 (もっと読む)


【課題】連続的、リアル・タイム、そして現場分析に備えることができる、ロバストな質量分光分析システムを提供し、極少量のVOCを含む、VOCの存在および識別を信頼性高く判定する。
【解決手段】マイクロ波または高周波RFエネルギ源が、試薬蒸気の粒子をイオン化して、試薬イオンを形成する。試薬イオンは、ドリフト・チェンバのようなチェンバに流入し、流体サンプルと相互作用する。電界が試薬イオンを誘導し、流体サンプルとの相互作用を促進して生成イオンを形成する。次いで、試薬イオンおよび生成イオンは、質量分光計モジュールによる検出のために、電界の影響下においてチェンバから流出する。本システムは、システム・パラメータの値を設定する種々の制御モジュールと、分光分析中におけるイオン種の質量およびピーク強度値の検出ならびにシステム内部における異常の検出のための解析モジュールとを含む。 (もっと読む)


【課題】連続的、リアル・タイム、そして現場分析に備えることができる、ロバストな質量分光分析システムを提供し、極少量のVOCを含む、VOCの存在および識別を信頼性高く判定する。
【解決手段】マイクロ波または高周波RFエネルギ源が、試薬蒸気の粒子をイオン化して、試薬イオンを形成する。試薬イオンは、ドリフト・チェンバのようなチェンバに流入し、流体サンプルと相互作用する。電界が試薬イオンを誘導し、流体サンプルとの相互作用を促進して生成イオンを形成する。次いで、試薬イオンおよび生成イオンは、質量分光計モジュールによる検出のために、電界の影響下においてチェンバから流出する。本システムは、システム・パラメータの値を設定する種々の制御モジュールと、分光分析中におけるイオン種の質量およびピーク強度値の検出ならびにシステム内部における異常の検出のための解析モジュールとを含む。 (もっと読む)



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(a)共通電極と(b)中心電極およびリング電極を含む電極構造体とを含むダイアフラムであって、(i)ダイアフラムの両側の圧力が同一であるときのゼロ位置と(ii)ダイアフラムに対して測定可能な最大圧力差が与えられたときの最大の差動位置との間で移動可能なダイアフラムと、ダイアフラムが電極構造体に対して拘束され、共通電極が、中心電極およびリング電極から間隔を置かれ、マノメータのアライメント軸に対して中心電極およびリング電極と軸方向に位置合わせされるようにダイアフラムを支持するように配置された支持構造体とを備える改善された容量型マノメータであって、電極構造体が、ダイアフラムに対して、アライメント軸のまわりに角度間隔を置いて配置された少なくとも3つのクランプ位置で固定され、それぞれの適切な平面内に定義された角度がダイアフラムの拘束点を含み、ゼロ位置におけるダイアフラムの平面に対するそれぞれのクランプ位置の点が、電極ディスクの支持高さの変化を低減し、ダイアフラムと電極構造体の間に、より小さな間隙おとび改善された安定性を与えるように60°と90°の間にある改善された容量型マノメータ。複数のタブを含むスペーサリングと、アライメント軸のまわりに複数の等角度間隔で配置されたクランプ位置を定義するように、また、スペーサによって誘起される偶発的な半径方向せん断力、ならびに再現性および安定性に悪影響を与える恐れがある後続の考えられるスティックスリップの条件の可能性を解消するように、電極構造体を、スペーサリングに対してタブのそれぞれの位置でクランプするように構成されたクランプとを含むことにより、さらなる改善がもたらされる。 (もっと読む)


【課題】静電容量圧力センサーのためのバッフルを提供する。
【解決手段】バッフル30が、小さな容量を有するように、静電容量圧力センサー10の近傍に配置される。このバッフルは高縦横比の径方向通路44を創り出し、ダイアフラム16に到達する前の分子の移動を創り出す。この通路は、汚染物がダイアフラムに到達する前に、バッフルまたはハウジング12に付着することを推進する。センサーは更に、導入部14とバッフルの間に粒子のトラップ28を含む。 (もっと読む)


モル送出のシステムおよび方法は、各パルスの持続時間の関数として既知のモル量のパルスを供給し、各パルスの持続時間は、理想気体の法則の関数として導出される。このシステムの一実施形態では、同システムは、既知の温度に制御された既知の容量のチャンバと、チャンバ内の圧力を測定するための圧力センサと、処理手段への出口弁と、チャンバに送出ガスを充填するための入口弁と、出口弁の動作を制御して、処理手段への弁のタイミングを制御することにより、各パルス状ガスの量を制御するように構成して配置された制御システムとを備える。
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