【課題】
空乏領域が、ｐウェルのまわりのｎ−ドリフト領域中に形成される恐れがある。電流が、空乏領域のまわりで流れるとき、この空乏領域によって、事実上ｐウェル接合部の深さよりチャネル長が長くなることがある。
【解決手段】
シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）は、ｎ型シリコンカーバイドのドリフト層（１２）と、ドリフト層に隣接し、第１のｎ型シリコンカーバイド領域（２４）をその中に有した第１のｐ型シリコンカーバイド領域（２０）と、ドリフト層上の酸化物層（２８）と、ドリフト層と第１のｐ型領域の一部分との間に配置されたｎ型シリコンカーバイド制限領域（２６）とを含むことができる。制限領域は、キャリア濃度が、ドリフト層のキャリア濃度より高い。シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】上面４０および底面を有し、その上面上に複数の上部導電性要素および上部導熱性要素を有するサブマウント３２を備えるＬＥＤパッケージ３０で、ＬＥＤが、上部要素に印加された電気信号がＬＥＤを発光させるように、上部要素の１つの上に設けられ、導電性要素は、ＬＥＤからの熱をサブマウントの上面の大部分にわたって拡散し、下部導熱性要素が、サブマウントの底面上に設けられ、サブマウントからの熱を拡散し、レンズが、ＬＥＤの上に直接に形成される。 （もっと読む）

【課題】波長変換粒子が硬化された状態で不均一に分散されることを防ぐことができる光エミッタとその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のスペクトルの光を放出する光源１２と、光源とは別個に形成され、かつ、半球状の変換材料領域全体に均一に分散された変換粒子２２を含む半球状の変換材料領域２１と、を備え、変換材料領域は、少なくとも一部の光源の光が変換材料領域を通過するように、光源に近接して配置され、変換材料領域は、通過する光が変換材料領域の実質的に類似する厚みを通って進むように成形され、変換粒子は、変換材料領域を通過する少なくとも一部の光源の光を吸収し、かつ第２のスペクトルの光を放出し、第１のスペクトルの光及び第２のスペクトルの光が、変換材料領域内で組み合わされ、エミッタが、実質的に均一な色分散及び強度で第１及び第２のスペクトルの組み合わせを放出する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも４ＧＨｚの周波数で動作する場合に、４０Ｗ／ｍｍ以上の電力密度を持つ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物チャネル層１６と、ＩＩＩ族窒化物チャネル層１６の上にあるゲート電極２４と、ソース電極２０と、ドレイン電極２２と、ゲート電極２４の上にある絶縁層７２と、絶縁層７２の上にあり、ソース電極２０に電気的に連結するフィールドプレート７４、とを備えた電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
ＣＣＦＬ３は信号レベルの電圧より高い電圧を必要とし、望ましくない量の熱を発生させる可能性があるため、放散が問題となる恐れがある。
【解決手段】
固体照明デバイス及び前記固体照明デバイスを形成するための方法が提供される。本発明の幾つかの実施形態による固体照明タイルは、基板、前記基板の表面上に取り付けられた固体照明素子、及び前記基板の表面上の反射シートを含む。本発明の幾つかの実施形態による固体照明デバイスを形成する方法は、固体照明タイルの基板を提供するステップと、前記基板の表面上に固体照明素子を取り付けるステップと、及び前記基板の前記表面に反射シートを取り付けるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ダブルフリップ製作プロセスによって形成されたダブルフリップチップ半導体デバイスを提供する。
【解決手段】最初にｎ型層２０４を成長させ、続いてｐ型層２０６を成長させる通常の方式で、基板上にエピタキシャル層を成長させる。チップを最初にフリップして、犠牲層に取り付ける。当初の基板を除去し、ｎ型層を露出させ、追加の層および処理をデバイスに追加する。ｎ型層は製作中に露出されるので、光取出しを向上させるためにさまざまな方式で加工することができる。チップを再度フリップして、支持要素に取り付ける。次いで、犠牲層を除去して、追加の層および処理をデバイスに追加する。完成したデバイスは、各層が当初の基板に対して有していたのと同じ向きを、支持要素に対して維持する構成を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタを提供する。
【解決手段】半導体結晶構造のトレンチ内に絶縁された制御コンタクトを有するトランジスタであって、該トランジスタは、該トレンチを画定する一対の半導体メサであって、それぞれは少なくとも１つのｐ−ｎ接合を備える、メサと、該半導体メサの上面部分に延在し、該トレンチの壁を少なくとも部分的に被覆する埋め込みチャネル層であって、該半導体結晶構造のＡ面にわたって導電性パスを提供する、埋め込みチャネル層と、該半導体メサと該トレンチの底部の下方との間に延在して、該デバイス内の接合型電界効果抵抗を減少させる電流拡散層と、該メサのうちの少なくとも１つから、該トレンチの深さよりも大きい深さまで該電流拡散層内に延在するドープ型井戸とを備える、トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの活性層（１４）への電流注入を改善し、そのパワーおよび光束を向上させる改良された電流拡散構造を有するＬＥＤを提供する。
【解決手段】電流拡散構造は、従来のＬＥＤよりも大きなＬＥＤで使用でき、改良された電流注入が維持される。本発明は、特に、絶縁基板（１２）を有するＬＥＤに適用可能であるが、導電性基板を有するＬＥＤの直列抵抗を小さくすることもできる。改良された構造は、協働する導電性の経路を形成する導電性フィンガ（２０ａ、２０ｂ、２２）を含み、この経路は、電流がコンタクト（１９、２１）からフィンガ（２０ａ、２０ｂ、２２）に拡散し、反対のドープされた層（１５、１６）を通って均一に拡散することを保証する。電流は、活性層（１４）に拡散し、活性層（１４）全体に電子および正孔を均一に注入し、電子と正孔は再結合して光を放射する。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合の半導体素子の接合終端延長部の区域に段階的にエッジに向かって有効電荷密度が減少するように電荷を注入してエッジの強電界による電圧破壊を防止する。
【解決手段】ｐｎ接合を含み、このｐｎ接合のｐ導体層３とｎ導体層２の両方がドープした炭化珪素層を構成し、このｐｎ接合の高濃度にドープした導体層のエッジは、総電荷または有効表面電荷密度がこの主ｐｎ接合での初期値からこの接合の最外エッジでのゼロまたはほぼゼロまで、この接合の中心部から最外エッジの方へ半径方向に従って階段状に減少するようにマスク１０の幅を最外エッジに向けて段階的に減少するようにさせながら電荷注入を繰返して行う。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素デバイスの改善されたエッジ終端構造を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素半導体デバイス用のエッジ終端構造は、少なくとも炭化ケイ素ベース接合を部分的に取り囲んで、炭化ケイ素層中において、所定間隔で配置された複数の同心円のフローティングガードリング３４を有すると共に、フローティングガードリング上に設けられた絶縁層、及びフローティングガードリング同士の間でかつ炭化ケイ素層の表面の近くに設けられた炭化ケイ素表面電荷補償領域３８を有する。炭化ケイ素層上に窒化ケイ素層５６が設けられ、窒化ケイ素層上に有機保護層６６が設けられる。酸化膜層が窒化ケイ素層と炭化ケイ素層の表面との間に存在してもよい。エッジ終端構造の形成・製造方法を開示されている。 （もっと読む）