【課題】テープリール自体の軽量化を損なうことなく、フランジが変形するような事態を回避できる構造のテープリールを提供することにある。
【解決手段】円板状の一対のフランジ２Ａ，２Ｂと、フランジ２Ａ，２Ｂと結合し、テープ状部材を巻き取るための中芯部材３とを有するテープリール１において、フランジ２Ａ，２Ｂのそれぞれの外表面に、移動操作用のハンドリング孔５が設けられた構成である。 （もっと読む）

【課題】裏面が鏡面化処理された場合であっても、光学式検査装置による効率的な自動検査を可能とすること。
【解決手段】本発明によれば、外部接続電極が形成された表面と、表面に対向し、鏡面状態である裏面１０（＃ａ）を有する半導体装置であって、裏面１０（＃ａ）の一部に、レーザマーキング法によって粗面化処理された粗面化領域１４を設ける。この粗面化領域１４は、レーザマーキング法によって印字された該半導体装置自体の製品情報マーク１４（＃ａ）を含んでいる。また、この粗面化領域１４は、裏面１０（＃ａ）に光を照射した場合、粗面化領域１４と鏡面化領域１２との光反射率の違いから製品情報を読み取ることができる程度に、粗面化領域１４の個数、大きさ、形状、配置場所を決定する。 （もっと読む）

【課題】１本目の繰出用リールからテープを巻き取った後に、引き続き２本目の繰出用リールからテープを巻き取る場合であっても、安定してテープを巻き取る。
【解決手段】１本目の繰出用リール１２に巻かれたテープ１４の初期長さと、エンコーダ４０から得られるテープの進行量とに基づいて、この繰出用リールに残っているテープの長さを演算し、演算したテープの長さに対応する予め定めた回転量で回転するよう駆動モータ１８に指令を出力する。この繰出用リールからのテープの繰り出しを完了し、２本目の繰出用リールからテープを繰り出す場合には、直前の回転量で駆動モータ１８の回転を開始させる。弛み検出センサ２６によってテープの弛みが検出された場合には、回転量が低くなるように、張り検出センサ２８によってテープの張りが検出された場合には、回転量が高くなるように駆動モータ１８を制御する。 （もっと読む）

【課題】大口径のテープリールに対しても、フランジを変形させないようにテープリールを補強する補強板、及び該補強板を備えたテープリールを提供すること。
【解決手段】本発明は、円板状の一対のフランジ４２ａ，４２ｂを備え、テープを巻き取るテープリール４０であって、一対のフランジ４２ａ，４２ｂ各々の外表面に、各フランジ４２ａ，４２ｂをそれぞれ補強する一対の円板状の補強板１０ａ，１０ｂを、その円中心１２ａ，１２ｂが、対応するフランジ４２ａ，４２ｂの円中心４５と一致するように配置する。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩチップ上に異物が付着することを回避し、ＬＳＩチップの品質向上に資すること。
【解決手段】本発明は、ＬＳＩチップ１８上に異物２０が付着することを回避する装置であって、複数のＬＳＩチップ１８（＃１，＃２，＃３）に対して連続的に処理がなされる場合、当該処理がなされる対象ＬＳＩチップ１８（＃３）以外のＬＳＩチップ１８（＃１、＃２）の表面を覆うカバー４０を備えた異物付着回避装置である。 （もっと読む）

【課題】機械的な衝撃から半導体チップを保護する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、電子回路が集積される能動面２ｄ及びそれに対向する受動面２ｅを有する略直方体状の半導体チップ２と、能動面２ｄを覆うように半導体チップ２下に配された絶縁部３とを備え、能動面２ｄの４つの角部２ｆが曲線状を呈し、かつ、受動面２ｄ上の４つの角部２ａとそれら角部２ａから延在する稜線部２ｂとが曲面状を呈している。 （もっと読む）

【課題】各バンプの高さを一定に保持する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、ポスト１１と、ポスト１１上に形成されたバンプ１３と、バンプ１３に対しポスト１１より濡れ性に劣る濡れ性劣り部１２とを、備えており、濡れ性劣り部１２がポスト１１とバンプ１３との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】バンプに一定の高さを維持させながらバンプ・ピッチを一定に保持する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、ポスト１１を覆うようにボール１２が形成されるバンプ１０を備えたものであって、ボール１２に対しポスト１１より濡れ性に優れる金属が金属部１３としてポスト１１の側面に存在している。 （もっと読む）

【課題】電極同士の間隔を狭めてもバンプ・ピッチを超微細に維持し続ける。
【解決手段】本発明に係るバンプの形成方法は、保護膜５の開口部から露出した電極４上にピラーバンプ１０を形成する技術であって、前記開口部より狭い第２の開口部１９を有するレジスト１５のパターンを形成するパターン形成工程（図２（ａ）〜図２（ｃ）参照）と、前記パターン形成工程後に、第２の開口部１９に対し、ピラーバンプ１０を構成する金属でめっき処理を施してピラーバンプ１０を形成するめっき工程（図２（ｄ）参照）とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】 下地金属層上に半田ボールが設けられた半導体素子において、下地金属層を形成するためのエッチング工程数を少なくする。
【解決手段】 スパッタ法等により成膜されたＮｉ−Ｔｉ層７ａおよびＣｕ層７ｂの上面にメッキレジスト膜１１をパターン形成する。次に、Ｎｉの電解メッキを行ない、次いで、半田の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜１１の開口部１２内のＣｕ層７ｂの上面にＮｉメッキ層８および半田ボール形成用の半田層１３を形成する。次に、メッキレジスト膜１１を剥離する。次に、半田層１３をマスクとしてＣｕ層７ｂおよびＮｉ−Ｔｉ層７ａをエッチングしてパターニングすると、半田層１３下のＮｉメッキ層８下にＮｉ−Ｔｉ層７ａおよびＣｕ層７ｂからなる下地金属層が形成される。この場合、エッチング液として、ＣｕおよびＮｉ−Ｔｉを共にエッチング可能なエッチング液、例えば、酢酸５ｗｔ％、禍酸化水素水１ｗｔ％、硝酸１０ｗｔ％、純水８４ｗｔ％の混合液を用いる。 （もっと読む）