説明

コバレントマテリアル徳山株式会社により出願された特許

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【課題】ノズルから噴出した火炎の干渉を抑制し、火炎流や原料流の乱れを抑制することにより、シリカガラス粉の堆積率低下や合成シリカガラスの品質にバラツキを抑制した合成シリカガラス製造用バーナ及びそのバーナを用いた合成シリカガラス製造装置を提供する。
【解決手段】複数の支燃性ガス供給ノズル3Cが、前記ソースノズルの中心線を中心軸Yとする仮想の円錐体Xの曲面X1上に、支燃性ガス供給ノズル3Cの後端が仮想の円錐体の底面X2方向に、先端が仮想の円錐体Xの頂点X3方向に配置され、かつ、前記複数の支燃性ガス供給ノズル3Cの先端が、支燃性ガス供給ノズル3Cの後端に対して、夫々同一方向に所定角度回転した位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】脈理がなく、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造装置を提供する。
【解決手段】炉体2と、前記炉体2に設けたられた排気口5aと、前記排気口に接続された排気手段9と、前記炉体内部に回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲット6と、前記ターゲット6に先端が対向して設けられたシリカガラス合成用のバーナー7とを備えた合成シリカガラス製造装置1であって、前記炉体2は、前記シリカガラス合成用のバーナー7が頂部に設置された耐火物製のマッフル3と、前記マッフル3の下方に設けられた、前記マッフル3の内径よりも大径の第1の炉部4と、前記第1の炉部4の下方に設けられた、前記第1の炉部4の内径よりも大径の第2の炉部5とを備え、更に前記第2の炉部5側壁に前記排気口5aを備える(もっと読む)


【課題】シリカガラス合成用バーナからの火炎と別の火炎を形成することにより、浮遊シリカ微粒子のインゴット合成面(溶融シリカ付着面)への付着を抑制し、脈理及び内部欠陥が抑制された合成シリカガラスを製造する合成シリカガラス製造装置を提供する。
【解決手段】シリカガラス合成用のバーナ4は、少なくとも原料ガスを導出するバーナ内筒管4aと、少なくとも可燃性あるいは支燃性ガスを導出するバーナ外筒管4bを備え、前記バーナ外筒管4bからのガスの導出によって、バーナ内筒管の外周面に沿って下方向に向かう第1の火炎流F1が形成され、炉は、耐火物製の円筒状の側壁部10と、前記側壁部の上部を閉塞する耐火物製の天井部11とから構成され、前記天井部11には複数のガス導出孔12が設けられると共に、前記ガス導出孔12からのガスの導出によって、ガス導出孔12から垂直下方向に向かう第2の火炎流F2が形成される。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の提供。
【解決手段】本発明に係わるエピタキシャルウェーハ1は、リン濃度が1019atoms/cmオーダーであり、酸素濃度が0.8×1018〜1.3×1018atoms/cmであるシリコン基板10上に、リン濃度が1016atoms/cmオーダーで、膜厚が0.5〜20μmのシリコンエピタキシャル層20を有する。 (もっと読む)


【課題】 回転軸の凸状先端の係合面と凹状回転軸支持部の係合面とがすべって空転現象が生じることを回避できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置が、半導体基板を水平に載置するサセプタと、前記サセプタを水平方向に支持するサセプタ支持部材と、前記サセプタ支持部材を垂直方向の周りに回転可能に支持する凸状先端を有する回転軸と、前記サセプタ支持部材の下部に配置され前記回転軸の凸状先端に対して垂直上方から載置される凹状回転軸支持部を有する。前記凸状先端および前記凹状回転軸支持部が互いに係合する係合面を有し、前記回転軸の空転現象を回避するために、それらの係合面の横断面形状が少なくとも2つの異なる曲率を有する曲面形状(例えば楕円形状)のみで構成され、かつ、その曲面形状が点対称の形状である。 (もっと読む)


【課題】石英ガラス板材を均一な肉厚で接合でき、接合部における気泡の混入を抑制すると共に、接合部の垂れ下がりを抑制する。
【解決手段】石英ガラス板材A,Bの接合端面の断面形状を、該石英ガラス板材の厚さ寸法をDとしたとき、端面先端部からの寸法が0.25D乃至0.75Dの範囲内にある前記石英ガラス板材の上下面の2点と、前記石英ガラス板材の厚さ方向の中心を基準にDの±10%以内の端面先端部の1点を通る放物線によって構成される凸曲面に形成する工程と、接合する各石英ガラス板材を水平状態に支持し、接合する端面A1,B1同士を対向させる工程と、前記石英ガラス板材の上下に、接合端面の長手方向に沿って所定ピッチで設けられた複数のバーナノズルを接合端面の長手方向に沿って揺動させながら接合端面に火炎を当て、接合端面を溶融する工程と、接合端面同士を押し合わせ、溶着する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】大口径の合成シリカガラス管の製造に適し、安価で、合成シリカガラス管の肉厚が均一、高純度な合成シリカガラス管の製造装置を提供する。
【解決手段】本合成シリカガラス管の製造装置は、炉体内部に回転昇降可能に配設され、中央部近傍に通気孔が設けられたターゲットと、このターゲットを回転昇降させる回転昇降装置と、ターゲット回転中心軸側から吹き出し方向がこのターゲットの一側に対向するように鉛直線に対し所定角度をもって傾斜してターゲットの上方に設けられかつ、ターゲット上面に円筒状スートを堆積させるバーナーと、円筒状スートの上端近傍かつターゲットの外周側に設けた排気口を備える第1の排気系と、通気孔に下側で連通する第2の排気系とを備える。 (もっと読む)


【課題】脈理がなく、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造できる合成シリカガラスの製造装置及びこの製造装置を用いた合成シリカガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】バーナ7は、可燃性ガスを噴出する、同心円状に配置された外管7a及び内管7bと、外管7aと内管7bとの間に配置され、支燃性ガスを噴出する複数の第1の支燃性ガスノズル7cと、内管7bの中心部に配置された、原料ガスを噴出するソースノズル7eと、内管7bとソースノズル7eとの間に配置され、支燃性ガスを噴出する複数の第2の支燃性ガスノズル7fとを有し、内管7bから噴出する可燃性ガスと第2の支燃性ガスノズル7fから噴出する支燃性ガスとにより、ターゲット4に向く火炎流が形成されると共に、外管7aから噴出する可燃性ガスと第1の支燃性ガスノズル7cから噴出する支燃性ガスとにより、炉体2の内壁に向く放射状の火炎流が形成される。 (もっと読む)


【課題】高濃度不純物を含有する下地シリコンウェーハからの不純物のオートドープを簡便に抑制し制御してエピタキシャルウェーハを製造する薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒ素、リンまたはボロンがドーパント濃度にして1×1019/cm以上に添加された下地シリコンウェーハの主表面上に、成膜温度を1000〜1100℃の範囲で、しかもSiHガスを含む成膜用ガスの反応容器内での圧力を1999.83Pa(15Torr)〜2666.44Pa(20Torr)の範囲にしてシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長させる。この気相成長では、枚葉式気相成長装置を用い、反応容器内において下地シリコンウェーハが水平回転する状態にし、下地シリコンウェーハの上方から下地シリコンウェーハの主表面上に上記成膜用ガスを流下させると好適である。 (もっと読む)


【課題】脈理がなく、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造装置および合成シリカガラス製造方法を提供する。
【解決手段】密閉された炉体2と、前記炉体の上部に設けられた複数の吸気口4aと、前記炉体の下部に設けたられた排気口5aと、前記炉体内部に回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲット6と、シリカガラス合成用のバーナー7とを備え、前記吸気口4aは前記インゴットの溶融シリカ付着面よりも常に低い位置に設けられ、吸気口4aから供給されるガスが前記インゴットに直接当たらないような方向かつ水平に対して下方に傾斜して設置された合成シリカガラス製造装置であって、前記吸気口4aから供給されたガスが、インゴット形成用のターゲット6の回転方向と同方向に旋回する旋回下降流として形成される。 (もっと読む)


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