【課題】シリコンなどの基板上に簡単な方法で、広い面積に対して、均一かつ単一方向に整列された液晶分子を包含する薄膜の製造方法、電子素子又は液晶素子のような産業分野において効率的に活用することを目的とする。
【解決手段】液晶分子を疎水性に表面処理された基板上にコーティングする工程と、前記コーティング層を磁場の存在下、前記液晶分子が等方相になるように温度を上げる工程と、前記等方相の液晶分子が液晶相になるように温度を下げて前記液晶分子が円柱型ナノ構造体を形成する工程とを含む単一方向に配向された液晶分子の薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】界面活性剤がコーティングされた炭素ナノチューブが外部の環境変化にも安定的な分散状態を維持するとともに、乾燥後、水中に入れても安定的に分散する炭素ナノチューブの製造方法と、この炭素ナノチューブを提供すること。
【解決手段】（ｉ）炭素ナノチューブと界面活性剤を１：２〜２：５（ｗ／ｗ）の比率で混合し、酸素を除去する工程と、（ii）前記工程から得られた混合物と酸素のない水を０．７：１００〜０．８：１００（ｖ／ｖ）の比率で混合し、超音波処理して炭素ナノチューブを分散させる工程と、（iii）前記工程から得られた分散溶液に界面活性剤の量に対して１〜５％（モル比）の開始剤を使用し、５５〜６５℃で１２〜２４時間の間、攪拌しながら炭素ナノチューブの表面に界面活性剤をコーティングする工程とを包含してなる、界面活性剤がコーティングされた炭素ナノチューブの製造方法を提供することによって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】繊維強化複合材料を素材にして球状ジャーナルを受容して支持する球面ベアリングを含む球面ベアリング組立体の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１グリッパ２４０には球状ジャーナル１２０の一側縁を受容する溝２４２が形成され、第１グリッパ２４０はプランジャー２２０の第２ガイド孔２２６に沿って移動することができるように嵌合する。第２グリッパ２５０には、球状ジャーナル１２０の他側縁を受容する溝２５２が形成され、第２グリッパ２５０はモールド２１０の第１ガイド孔２１６に沿って移動することができるように嵌合する。球状ジャーナル１２０が第１グリッパ２４０と第２グリッパ２５０に嵌合した状態でモールド２１０のキャビティに安置され、繊維強化複合材料が充填された後、モールド２１０とプランジャー２２０の型閉めによって繊維強化複合材料が球状ジャーナル１２０を受容する球面ベアリングに成形される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、広帯域無線通信システムにおけるセグメント再割当装置及び方法に提供する。
【解決手段】全セルに対する平均密集度とセル間の平均最小距離Ｒを計算する過程と、各セル別に、定数ｋを増加させながら該当セルを中心に半径がｋＲである円の密集度が平均密集度以下となり始める円を決める過程と、各セル別に、決められた円に含まれたセルを要素とするクラスタ（cluster）を生成する過程とを含む。 （もっと読む）

【課題】広域無線通信システムにおいて、下りリンクの性能を向上し、目的関数と隣接度とを基に、同一セル内のセクター間に異なるセグメントを割り当てながら、他のセルの隣接セクターとのセグメントの重複を最小化するセグメント割当装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、同じセル内にいないすべてのセクター間セクター対(pair)を生成し、前記生成されたセクター対を隣接度(proximity)による優先順位に従って整列する過程と、セクター対のうち、最も高い優先順位のセクター対を選択する過程と、前記選択されたセクター対において、各セクターが含まれたセルのすべてのセクターに対してセグメントを割当又は再割り当てする過程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】広帯域無線通信システムのＩＤセルの割り当て装置及びその方法を提供する。
【解決手段】Ｎ×Ｍマトリクスに全セクターを割り当てて、各セクターにＩＤセルを初期割り当てる過程と、初期割り当てを用いて、ＩＤセル別最も大きい隣接度を有するセクター対を選択し、選択したセクター対の中で最も大きい隣接度を有するセクター対が属しているＩＤセルをターゲットＩＤセルと決定し、決定したターゲットＩＤセルの該当セクター対の中で１つのセクターをターゲットセクターと決定する過程と、ターゲットＩＤセルを除いた残りのＩＤセルから各々該当ＩＤセルが割り当てられた所定数のセクターを選択し、選択したセクターのうち、所定条件を満たすセクターのＩＤセルと決定したターゲットセクターのＩＤセルとを交換する過程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】静電容量型圧力センサの非線形性を改善すること。
【解決手段】入力によってキャパシタを構成する二つの電極間の距離を変化させずに、圧
力センサの面積を変化させることで、入力に対する出力が線形的に変化するとともに、キ
ャパシタの絶縁物質として、高い誘電常数及び優れた絶縁性を有するハフニウム酸化物を
用いることで、静電容量及び感度を高められる静電容量型圧力センサの製造方法、及びこ
れによって製造された静電容量型圧力センサを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明が目的とする技術的課題は、発光に寄与する励起子の比率を高めて、有機発光表示装置の内部発光効率を高めることにある。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、基板上に形成されている第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極及び前記第２電極の間に位置して、可視光線領域の光を放出する第１発光部材、及び前記発光層と接触して、６００乃至２５００ｎｍの波長領域の光を放出する第２発光部材を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタの半導体に含まれている金属による漏洩電流を最少化して薄膜トランジスタの特性及び信頼度を向上させる。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、絶縁基板上に非晶質シリコン膜を形成する段階と、非晶質シリコン膜上に凹凸を有する犠牲膜を形成する段階と、犠牲膜上に金属板を接触させた後、熱処理することによって非晶質シリコン膜を結晶化して多結晶シリコン膜を形成する段階と、金属板及び犠牲膜を除去する段階と、多結晶シリコン膜をパターニングして島状部材を形成する段階と、島状部材を覆うようにゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上に島状部材と一部分が重なるゲート線を形成する段階と、島状部材の所定領域に導電型不純物を高濃度にドーピングしてソース／ドレイン領域を形成する段階と、ゲート線及び島状部材を覆うように層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜上にソース／ドレイン領域と連結されるデータ線及び出力電極を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小さな強度の光に対して高い感度を持つとともに、ウェルキャパシティとダイナミックレンジの大きな特性を持つＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルを提供する。
【解決手段】フォトゲートノード207に印加する正の定電圧(Ｖ_PG)を制御して第１フォトダイオード205のキャパシタンス(Ｃ_PD)及び第２フォトダイオード206のキャパシタンス(Ｃ_PG)の組合せによる非線型な集積キャパシタンス(Ｃ_int)を調節可能である。定電圧(Ｖ_PG)を制御して、集積キャパシタンスが(Ｃ_nt)が第１及び第２フォトダイオードのキャパシタンスの和(Ｃ_PD＋Ｃ_PG)から第１フォトダイオード205のキャパシタンス(Ｃ_PD)に変わる遷移電圧レベル(transition voltage level：Ｖ_PG−Ｖ_TH)であるフォトゲートノード207に印加する電圧(Ｖ_PG)とフォトゲートの閾値電圧(Ｖ_TH)との差を調節できる。 （もっと読む）