透明発光ダイオード（ＬＥＤ）は、光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層を含み、層の全てを通り、かつ層を通る複数の方向に光が効果的に抽出されるように、活性領域を除く層の全ては、光の発光波長に対して透明である。さらに、ＩＩＩ族窒化物層のうちの１つ以上の表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強させてもよい。一実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層は、透明な基板またはサブマウント上に存在し、ＩＩＩ族窒化物層は、透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料を使用して、透明な基板またはサブマウントにウエハボンディングされ、光は、透明な基板またはサブマウントを通って抽出される。
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無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物結晶方位上にデバイスを作製することにより、高い光発生効率が実現される発光ダイオード（ＬＥＤ）のような（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ発光デバイスが提供される。無極性および半極性発光デバイスがもつ圧電効果は、ｃ面発光デバイスよりもかなり低いので、より高い電流密度で効率の高い発光デバイスを実現することができる。
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無極性のＩＩＩ族窒化物発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードの特性改良を達成するデバイス成長とｐ電極処理の方法が開示される。重要な点は、低欠陥密度の基板またはテンプレート、厚い量子井戸、低温ｐ型ＩＩＩ族窒化物成長技術、及び電極用に透明な伝導性酸化物を用いることである。
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パターン化されたマスクを通じてエッチングされたテンプレート材料の側壁からの横方向エピタキシャル・オーバーグロス法を用いた、ａ−｛１１−２０｝面およびｍ−｛ｌ−１００｝面のような無極性または｛１０−ｌｎ｝面のような半極性ＩＩＩ族窒化物における貫通転位密度の低減方法が提供される。該方法は、無極性または半極性ＧａＮテンプレートのようなテンプレート材料上にパターン化されたマスクを成膜するステップと、該マスク内の開口を通して色々な深さまで該テンプレート材料をエッチングするステップと、該トレンチの底面から垂直に成長している材料が該側壁の上面に達する前に、該側壁の上面から横方向に会合することによって無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物を成長するステップとを含む。該会合する特徴物は、該マスクの該開口を通して成長し、完全に会合した連続する薄膜が実現するまで、該誘電体マスク上を横方向に成長する。
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【課題】血清PSAレベルは、更に病期判定の目的で利用することもできるが、PSA単独では、前立腺腫瘍を信頼性をもって病期を判定することはできないことなどに鑑みて、前立腺癌の管理において、より信頼でき、かつ情報の多い病期判定および予後判定の方法などを提供すること。
【解決手段】前立腺幹細胞抗原(PSCA)と称する、新規の前立腺に特異的な細胞表面抗原であって、高度の前立腺上皮内新生腫瘍(PIN)、アンドロゲン依存型およびアンドロゲン非依存型前立腺腫瘍を含む、前立腺癌の全ての病期を通じて広く過剰発現する抗原など。 （もっと読む）

共役ポリマー膜の特性を向上させる改善された処理方法、ならびに前記方法によって製造される向上した共役ポリマー膜を開示する。共役ポリマー膜の形成に使用される溶液に低分子量アルキル含有分子を添加すると、光伝導性が向上するほか、他の電子特性も改善される。向上した共役ポリマー膜は、太陽電池およびフォトダイオードなどの種々の電子デバイスで使用することができる。本発明は、光伝導性、電荷輸送、太陽光変換効率および／または光起電力効率である膜の性能特性を向上させるために、共役ポリマー膜などの有機半導体膜を改良する方法に関する。一実施形態において、本発明は、性能特性を向上させるために、有機半導体膜の内部構造および形態を改良することを包含する。
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本発明は、ＬＥＤおよびＬＤ波長を色のスペクトルの黄色および赤色部分に付勢する、現在従来的に利用可能なものよりもインジウムの組成がより優れた、ＩｎＧａＮの成長を可能にする。より高温でインジウムとともに成長する能力は、より高品質のＡｌＩｎＧａＮにつながる。このことはまた、新規の分極を用いたバンド構造設計を可能にして、より効率的なデバイスを作製する。加えて、それは、デバイス性能を向上させる、伝導度が増加したｐ−ＧａＮ層の製造を可能にする。
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（ａ）ＩＩＩ族窒化物光電子および光機械エアギャップナノ構造デバイスの領域にイオンビーム注入を実行することと、（ｂ）ＩＩＩ族窒化物光電子および光機械エアギャップナノ構造デバイス上でバンドギャップ選択的光電気化学（ＰＥＣ）エッチングを実行することと、を含む、ＩＩＩ族窒化物光電子または光機械エアギャップナノ構造デバイスの構造的完全性を確保するための方法。上記領域は、ＩＩＩ族窒化物光電子または光機械エアギャップナノ構造デバイスのアンダーカット構造の構造的完全性を強化する支持支柱を備える。
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（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）ＮおよびＺｎＯの直接ウエハ接合発光ダイオード（ＬＥＤ）が、追加の光抽出方法としての機能を果たす第２の光抽出器と組み合わされる。この第２の光抽出方法は、ＺｎＯ構造によって抽出されなかった光、より具体的には、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層に捕捉される光を抽出することを目的とする。この第２の方法は、表面のパターニングまたはテクスチャリング、あるいは回折格子としての機能を果たすフォトニック結晶を使用し、薄膜からの抽出に適している。ＺｎＯ構造および第２の光抽出方法の両方の組み合わせは、ＬＥＤからの大部分の発光を抽出可能にする。本発明のより一般的な拡張において、追加の光抽出を達成するために、ＺｎＯ構造は別の材料によって置換され得る。別の拡張において、追加の光抽出を達成するために、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、他の材料の成分を含む構造によって置換され得る。
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本発明は、光電子応用分野におけるＬＥＤの光取り出しに関するものである。より具体的には、本発明は、高効率（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎに基づいた発光ダイオードの応用のための最適化された光学系と組み合わせた（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎとその作製方法に関する。更なる延長として、成形された屈折率の高い光取り出し材料と球形状成形物との一般的な組み合わせに関する。
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