【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスデバイスまたはナノエレクトロニクスデバイスを洗浄するための洗浄組成物であって、組成物中の唯一の酸および唯一のフッ化物化合物としてのＨＦと、スルホンおよびセレノンからなる群から選択された少なくとも１種の第一の溶媒と、金属イオン錯化または結合部位を有する、ポリヒドロキシルアルキルアルコールまたはポリヒドロキシルアリールアルコールの少なくとも１種の共溶媒と、水と、任意選択で少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物とを含み、アミン、塩基、およびその他の塩を含まない洗浄組成物。 （もっと読む）

本発明は、ストリッピング組成物と、注入フォトレジストを洗浄する方法でのそのようなストリッピング／洗浄組成物の使用とに関し、この組成物は、シリコン、チタン、窒化チタン、タンタル、およびタングステンに適合可能なものである。半導体デバイスの表面から高ドーズ量イオン注入フォトレジストを除去するための組成物であって、６５℃を超える引火点を有する少なくとも１種の溶媒、ニトロニウムイオンを提供する少なくとも１種の成分、および少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物を有する組成物と、半導体デバイスの表面から高ドーズ量イオン注入フォトレジストを除去するための、そのような組成物の使用が提供される。 （もっと読む）

圧縮性かつ高機能性で顆粒状の微結晶性セルロースベース賦形剤の実質的に均一な粒子を含む改良型賦形剤が提供される。この改良型賦形剤は、微結晶性セルロースおよび結合剤ならびに必要に応じて崩壊剤を含み、それらの成分の均一なスラリーを噴霧することによって形成される。この賦形剤は、個別の成分と比べて、および同じ材料から従来の方法によって形成された賦形剤と比べて、高い流動性／優れた流動特性、優秀な／高い圧縮性、ならびにＡＰＩの高い充填性および混和性をもたらす。この改良型賦形剤は、成分間に強力な粒子間結合架橋を有し、かなりの開放性の構造または凹んだ孔を備えた独特の構造的形態がもたらされる。これらの孔が存在するおかげで表面がでこぼこになり、この表面のでこぼこは、ＡＰＩとの混和の改善にとって理想的な環境である。 （もっと読む）

以下の式の媒体から選択される逆相クロマトグラフィー媒体：
［Ｘ−Ｃ_６Ｈ_４−（Ｏ）_ｍ−（ＣＨ_２）_ｎ］_ｑ−Ｚ
および前記式の疎水性末端キャップされた媒体、
［式中、ｎは１〜４の数字であり、ｍは０または１であり、ｍが１である場合、Ｘは、Ｈ、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基およびフェニル基の群から選択され、ｍが０である場合、Ｘは、１〜６個の炭素原子を有するアルコキシ基およびフェノキシ基から選択され、Ｚは、シリカまたは親水性ポリマークロマトグラフィー支持体の骨格であり、ｑは、シリカまたは疎水性ポリマークロマトグラフィー支持体の骨格に付着したリガンドの数に等しい数字であり、ただし、該式の前記逆相クロマトグラフィー媒体が疎水性基で末端キャップされていない場合は、ｍ＝１の場合にＸはＨではない］。 （もっと読む）

圧縮性かつ高機能性で顆粒状のリン酸水素カルシウムベース賦形剤の実質的に均一な粒子を含む改良型賦形剤が提供される。この改良型賦形剤は、リン酸水素カルシウム、結合剤および崩壊剤を含み、それらの成分の均一なスラリーを噴霧することによって形成される。この改良型賦形剤は、個別の成分と比べて、および同じ材料から従来の方法によって形成された賦形剤と比べて、高い流動性／優れた流動特性、ＡＰＩの高い充填性および混和性ならびに高い圧縮性をもたらす。［００８３］この改良型賦形剤は、成分間に強力な粒子間結合架橋を有し、かなりの開放性の構造または凹んだ孔を備えた独特の構造的形態がもたらされる。これらの孔が存在するおかげで表面がでこぼこになり、この表面のでこぼこは、ＡＰＩとの混和の改善にとって理想的な環境である。
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Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から酸化銅エッチ除去するための非常に水性の酸性洗浄組成物であって、その組成物は、Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物上の銅再析を防止するかもしくは実質的に除去する、組成物。上記組成物は、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物を洗浄するために特に有用である。本発明はまた、銅エッチ残渣を、フォトレジスト後灰分、エッチ後Ｃｕデュアルダマシン超小型電子部品用構造物から洗浄するためのプロセスを提供する。 （もっと読む）

少なくとも１種の多糖ゴムの噴霧乾燥された粒子および少なくとも１種の多価糖アルコールを含む徐放性組成物、ならびに該徐放性組成物の製造方法が提供される。徐放性医薬固形剤形、および圧縮による該固形剤形の製造方法も提供される。一局面において、この少なくとも１種の多糖ゴムは、グアーガム、キサンタンゴム、ローカストビーンゴム、カラヤゴム、タラゴム、コンニャクゴム、およびこれらの混合物からなる群から選択され、そして前記少なくとも１種の多価糖アルコールは、マンニトール、キシリトール、マルチトール、ラクチトール、ソルビトール、エリスリトール、イソマルト、およびこれらの混合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクス洗浄用組成物であって、ａ）当該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホンと；ｂ）当該組成物の約０．５重量％〜約１９重量％の水と；ｃ）当該組成物の約０．５重量％〜約１０重量％のテトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分とからなり、ｄ）任意で、少なくとも１つの多価アルコールを含む、組成物は、Ｓｉ系反射防止コーティングと低ｋ誘電体の両方を有するマイクロエレクトロニクス基板またはデバイスからエッチング／アッシング残渣を洗浄する際に特に有用である。 （もっと読む）