【課題】異種材質間の接合を含む広範な材質間の接合に使用することができ，かつ，接合対象とする基体に物理的なダメージを与えることなく大気圧下で接合を行うことができる接合方法を提供する。
【解決手段】真空容器内において，平滑面を有する２つの基体それぞれの前記平滑面に，単金属又は合金から成る微結晶構造の薄膜を形成する。その後，大気圧の高純度不活性ガス雰囲気下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせることにより前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 （もっと読む）

【課題】加熱を要件とすることなく，非晶質金属部材を金属製の被接合部材と接合する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】被接合部材３１と非晶質金属部材３２とを共に１０^-4Pa以下の低圧力の真空チャンバ１内に配置し，それぞれの接合面にイオン衝突，又はプラズマを照射して表面のエッチング，例えば酸化物被膜４，４の除去により活性化原子を表出させる表面活性化工程を行う〔図１（Ａ）〕。その後，前記真空を維持した真空チャンバ１内で被接合部材３１と前記非晶質金属部材３２の接合面同士を重ね合わせると共に加圧する重合加圧工程〔図１（Ｃ）〕を行い，接合を行う。この接合は，非晶質金属部材３２をその融点未満の温度に維持して行い，好ましくは結晶化温度未満の温度に維持して行う。 （もっと読む）

【課題】高いシール性を発揮し，加速器の導波管の連結に使用した場合であっても優れた電気的特性を発揮する真空容器におけるフランジ部のシール構造を得る。
【解決手段】
フランジ１０，２０及びこのフランジ１０，２０間に挟持するメタルガスケット３０を物性が近似乃至は一致する同材質または異種の金属によって形成し，フランジ１０とメタルガスケット３０間に生じた被封止間隙δ１，及びメタルガスケット３０とフランジ２０間に生じた被封止間隙δ２を封止するために，前記メタルガスケット３０よりフランジ１０，２０に対してそれぞれ突出した，断面において先鋭な凸条４１，４２を設ける。前記２つのフランジ１０，２０をボルト６０とナット６１の締め付けによって緊締し，凸条４１，４２の先端部をフランジ１０，２０に当接させて変形させて潰すことにより，被封止間隙δ１，δ２をシールする。 （もっと読む）

【課題】異種材質間の接合を含む広範な材質間の接合に使用することができ，かつ，接合対象とする基体に物理的なダメージを与えることなく大気圧の雰囲気下で接合を行うことができる接合方法を提供する。
【解決手段】真空容器内において，平滑面を有する２つの基体それぞれの前記平滑面に，室温における前記体拡散係数を１×１０^-55(m²/s)以上とし，且つ，室温における酸化物の生成自由エネルギーを−３３０(kJ/mol of compounds)以上とする単金属又は合金から成る微結晶構造の薄膜を形成する。その後，大気圧下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせると共に，必要に応じて基体を加熱することで前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 （もっと読む）

【課題】異種材質間の接合を含む広範な材質間の接合に使用することができ，かつ，接合対象とする基体に物理的なダメージを与えることなく接合を行うことがでる接合方法を提供する。
【解決手段】真空容器内において，平滑面を有する２つの基体それぞれの前記平滑面に，室温における体拡散係数が１×１０^-80m²/s以上の材料から成り，かつ，密度が８０％以上である高密度の微結晶連続薄膜を形成する。その後，前記２つの基体に形成された前記微結晶連続薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせることにより，前記微結晶連続薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 （もっと読む）

【課題】加熱，加圧，電圧の印加等を行うことなく，常温で，かつ，極めて低い圧力で重合することで，被接合材間の強固な接合を可能とする常温接合方法及び当該方法における被膜を提供する。
【解決手段】ウエハやチップ，基板やパッケージ，その他の各種被接合材のそれぞれの接合面に，到達圧力を10^-4Pa以下の高真空度とした真空雰囲気において，例えばスパッタリングやイオンプレーティング等の真空成膜方法により，かつ，好ましくはプラズマの発生下で金属や各種化合物の微結晶構造を有する被膜を接合面に形成し，前記被膜の成膜中，あるいは成膜後に真空を維持したまま，前記被接合材の前記接合面に形成された被膜相互もしくは，他方の接合面に被膜を形成しない場合には，洗浄活性化処理し被膜を形成した一方の接合面と，この活性化処理した活性化接合面を常温で重合する。これにより，前記接合面間に生じた結合により前記被接合材間を接合することができる。 （もっと読む）

【課題】封止した気密容器を小型且つ軽量に構成でき、軽便で、価格的にも安く、振動に対する十分な強度を有し、高い封止性能を実現でき、また、封止後の再開封が容易となる。
【解決手段】気密容器２に設けられた封止ポート３に、内部空間を有し、且つ内部空間を介して気密容器２の内部に又は内部から流体を移送するための移送手段が接続されるケーシング１０を気密に取り付け、移送手段によって気密容器２及びケーシング１０の内部を所定の圧力状態にしてから、ケーシングの外部から取付手段を操作してケーシング１０の内部で封止部材３０を封止ポート３に取り付けて封止ポート３の開口４を封止し、しかる後に、封止部材３０を残したままケーシング１０を封止ポート３から取り外す。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス及び金属製熱伝導体と，ダイヤモンドヒートスプレッダとの接合面を，常温で，接着剤等を使用することなく活性化により化学的に結合させる。
【解決手段】半導体デバイスにダイヤモンドヒートスプレッダを介して銅やアルミニウム製のヒートシンク，ヒートスプレッダ（金属製熱伝導体）を取り付ける。天然ダイヤモンド等により切り出し，又は気相合成法によって成膜されたダイヤモンド膜として得たダイヤモンドヒートスプレッダは，半導体デバイスとの接合面及び前記金属製熱伝導体との接合面を，直接研磨，又は表面に形成された金属膜の研磨により表面平均粗さ（Ｒａ）３０nm以下に平坦化し，真空又は不活性ガス雰囲気下に置かれた常温の前記ダイヤモンドヒートスプレッダと前記半導体デバイスとの接合面，及び前記ダイヤモンドスプレッダと金属製熱伝導体との接合面に，アルゴン（Ａｒ）等の希ビームを照射して活性化させて接合する。 （もっと読む）

【目的】加熱装置を用いない真空乾燥機を提供する。
【構成】被乾燥物４を収納して内部を気密可能とする気密槽と、該気密槽内を排気する排気装置とを有する真空乾燥機において、前記気密槽内に前記被乾燥物を保持するための定温保持装置１を備えることを特徴とする真空乾燥機。 （もっと読む）