【課題】新規な膜およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】膜の製造方法は、ケイ酸塩を含むターゲットにレーザーを照射して基板上に膜を形成し、前記形成された膜をアニールする方法である。ここで、ターゲットに含まれるケイ酸塩は、白雲母、黒雲母、金雲母、合成金雲母、タルク、モンモリロン石、蛭石、緑泥石、高陵石から選ばれるいずれか１種、またはいずれか２種以上の混合物であることが好ましい。また、基板の材質は、サファイア、雲母鉱物、石英鉱物、SrTiO3などのペロブスカイト系単結晶酸化物、シリコンウェハー、ZnOウェハー、GaNウェハーであることが好ましい。また、アニール温度は500〜1000℃の範囲内にあることが好ましい。膜にはケイ酸塩が含まれ、そのケイ酸塩は、白雲母、黒雲母、合成金雲母、タルク、モンモリロン石、蛭石、緑泥石、または高陵石である。 （もっと読む）

【課題】焼結体のターゲットであっても、ランニングコストを低減することが可能なターゲット、およびこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】クランプ２７によって冷却板２２に固定されるターゲット２５は、金属粉体としてのＺｎの粉体と、Ｚｎの融点よりも融点が高い金属酸化物としてのＺｎＯの粉体とを含む混合物が、ｔ_０＜Ｔ＜ｔ_１（ただし、上記式中、ｔ_０はＺｎの融点、ｔ_１はＺｎＯの融点または昇華点である）で表される焼結温度Ｔで焼結された亜酸化物の焼結体である。 （もっと読む）

【課題】焼成により生じる表面変質層が極力少ないＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉体を成形し、得られた成形体を焼成することによりＩＧＺＯ焼結体を製造するに際し、成形体の焼成は、成形体を、所定の開口部以外の部分は密閉された容器内に配置して行うようにする。さらには、該容器内に、酸化亜鉛粉末を敷いて焼成を行うようにする。これにより、焼成時において表面に生じるＩｎ_２Ｇａ_２Ｚｎ_１Ｏ_７を含む表面変質層の厚さが１ｍｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】塗布法によって、Ｉｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ｇａ、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ、Ｚｎ−Ａｌの酸化物薄膜を、組成ずれを起こさず簡便に形成することの出来る塗布溶液を提供する。
【解決手段】
式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。
【化１】


（式中Ｒ^１、Ｒ^２がそれぞれＣ、Ｈ、Ｎ、Ｏの少なくとも１種以上からなる置換基であり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ａｌのいずれかであり、ＭがＩｎ、Ｇａ、Ａｌのいずれかである場合はｎ＝３であり、ＭがＺｎである場合はｎ＝２である） （もっと読む）

【課題】歩留まりが良く、作業効率を高めることができる鋼製板状部品製造方法を提供する。
【解決手段】ポールパーキング等の鋼製の板状部品１を製造するに当たり、鋼製の円板形状の初期材１０を、その厚さ方向がプレス方向に直交するように冷間鍛造用型のダイス４０のキャビティ４１内に縦置きに収容し、初期材１０の厚さを略一定に維持したまま初期材１０の周側部１１からパンチ４２でプレスして、初期材１０から板状部品１に近似する近似部品２０を冷間鍛造により得る。次いで、近似部品２０のマージン部分２５を除去して半製品３０を得、半製品３０を切削加工、浸炭処理等して板状部品１を得る。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のＲｕ中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。Ｇｅが２〜１０ａｔ％の範囲で上記スパッタリングターゲットは（１０．１）面の回折強度と（００．２）面の回折強度との強度比Ｉ（１０．１）／Ｉ（００．２）が１より小さい擬ｈｃｐ結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬ｈｃｐ構造となる。該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 （もっと読む）

【課題】
Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_{（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）}薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。
【解決手段】スパッタリングターゲットの結晶組織をＩｎ_ｘＯ_３とＺｎ_ｚＧａ_ｙＯ_４との２相にすることにより低抵抗が得られる。該２相組織は１１００℃以上、１２５０℃未満の温度で、還元性雰囲気あるいは実質的に酸素が流入しない閉空間で焼成することにより達成できる。相対密度が９０％を超えるような高密度範囲でも、密度の値に関わりなく安定して２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下の比抵抗が得られる。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池の発電効率を高めるために光吸収膜の上にスパッタリング法で製膜される透明導電膜の近赤外波長域に至るまでの光透過率を高めることが可能なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 亜鉛に対して０．１ａｔ％から２０ａｔ％の正三価以上の元素の一種または二種以上を加えて第一の焼結をした酸化物１００重量部に対して５〜２０重量部の金属亜鉛を加えて、７００〜１１００℃の温度範囲で第二の焼結を行い、所定の加工を施してスパッタリングターゲットを得る。該スパッタリングターゲットは金属亜鉛が酸化物相に固溶していない混晶組織からなり、該スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより単一酸化物相の透明導電膜が得られ、６００ｎｍ以上の波長域で光透過率を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 バルク状においてゼロ磁場状態で、５０Ｋ〜２５０Ｋの間で１０^８Ωｃｍ桁以上の抵抗変化をする材料と、これを用いた抵抗変化素子とを提供することである
【解決手段】Ｔｂ_１−ｘＡ_ｘＭｎＯ_３系ペロブスカイト型マンガン酸化物（ＡはＣａ，Ｂａ，Ｓｒから選択される１種または２種以上の元素：０．１≦ｘ≦０．５を示す）から構成されてなることを特徴とする抵抗変化材料 （もっと読む）

【課題】 直流スパッタリング法を用いて、１０^７Ωｃｍ以上の高抵抗の酸化亜鉛系薄膜を作製するために使用できる１０^−３Ωｃｍ以下の低抵抗の酸化亜鉛系ターゲットを得る。
【解決手段】 酸化亜鉛と高抵抗な酸化亜鉛系材料に必要な添加物を混合して仮焼した後、金属亜鉛粉末を加えて混合し、金属亜鉛の融点未満の温度で焼結させる。 （もっと読む）