本発明は、Ｄシアル酸の製造方法であって、微生物を培地で培養することを含んでなり、上記微生物がシアル酸シンターゼ(NeuB)、UDP-GlcNAcエピメラーゼ(NeuC)をコードする非ホモロジー遺伝子を含んでなり、上記微生物がCMP-Neu5Acシンターゼ(NeuA)をコードする遺伝子を欠いており、またはCMP-Neu5Acシンターゼ(NeuA)をコードする遺伝子が不活性化または欠失しており、かつシアル酸アルドラーゼ(NanA)、ManNacキナーゼ(NanK)およびシアル酸輸送体(NanT)をコードする内因性遺伝子が欠失または不活性化していることを特徴とする方法に関する。本発明はまた、上記微生物に関する。 （もっと読む）

【課題】圧電制御された集積磁性装置を提供すること
【解決手段】本発明に係る磁性装置（１）が基板の上に集積されており、本装置は、駆動電極（１１ａ、１１ｂ）に結合され、圧電材料から作製された少なくとも１つの素子と、この圧電材料素子の応力下で変形可能な少なくとも１つの磁性素子（８）とを備える。本装置（１）は、基板に対して可動であるビーム（７）の形態を有し、基準長手軸（Ａ１）に沿って所定の幅（Ｗ１）の２つの横断部（９）を備える。圧電材料素子は横断部（９）の少なくとも一部によって形成され、各横断部（９）は基板上に機械的に繋止するための領域を備える。横断部（９）は、磁性素子（８）が上に配置される、所定の幅（Ｗ２）の少なくとも１つの中心ブランチ（１０）によって接続される。 （もっと読む）

【課題】ゲノム中のゲノム配列のアッセイ法の提供。
【解決手段】ある量のゲノムをコーミング面に結合させ、コーミング面上でコーミングし、コーミング生成物を対照プローブおよび特異的プローブとハイブリダイズし、結果としてこれらプローブを別々に同定してもよく、次いで、二つのプローブに対するハイブリダイゼーションシグナルの全長を測定することを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、生体高分子繊維を含んでなる合成多層構造のin vitro調製のための方法に関し、該合成多層構造の各層における該生体高分子繊維が一方向にかつ均一に配向され、該方法が磁場の存在下での生体高分子繊維形成用溶液の層の逐次重合を含み、該合成多層構造の少なくとも一つの層の該繊維配向がその上位層および／または下位層の少なくとも一つの層と角度αに従って異なる。また、本発明は前記合成多層構造およびその中に接種された細胞を含んでなる生体組織様多層構造、例えば直交多層コラーゲンおよび／またはフィブリン組織様角膜、ならびにその調製のための方法にも関する。本発明は、損傷組織を予防もしくは治療するために、または生物学的試験、例えば薬理毒性試験用のモデルを作出するために用いてよい。
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【課題】ゲノム中のクローンの位置決定法の提供。
【解決手段】ある量のゲノムをコーミング面に結合させ、コーミング面上でコーミングし、コーミング生成物を各クローンに対応する標識プローブとハイブリダイズし、その結果プローブが特異的に表示でき、各クローンの位置並びにサイズに対応する、また、ゲノム上の距離に対応する情報を導き出すことを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、被験体においてインスリン抵抗性もしくは低インスリン血症および／または関連病変を予防または治療するための組成物を製造するための、チコリ酸、ならびに／またはモノカフェオイル−酒石酸および／もしくはｍ−ヒドロキシフェニルプロピオン酸、および／もしくは４−ビニルカテコールおよび／もしくは４−エチルカテコールの中から選択されたこれらの代謝産物の少なくとも１つの使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、転写後のタンパク質へのｍＲＮＡ翻訳工程を制御することによるタンパク質合成の活性化に関する。前記タンパク質翻訳を活性化することができるポリペプチドが提供される。本発明の主要な産業上の用途は、バイオリアクターによる場合を含む培養細胞における組換えタンパク質生産の制御である。 （もっと読む）

本発明は、式(I)：Ｒ−［Ｍｅｔ（Ｏ）ｋ］ｎ−Ｘ（式中、Ｒは水素原子またはアミン官能基-保護基を表し、−［Ｍｅｔ（Ｏ）］は、式の酸化されたメチオニン残基を表し、ｋは１または２であり、有機合成に使用する固体または可溶性の担体を表し、Ｘは、メチオニンを固定することができる、アミンまたはヒドロキシル、またはハロゲノ型の官能基に由来する基を表すが、但し、このメチオニンを固定できる官能基は、官能化されたアームまたはスペーサーにより担体から分離することができるものとし、ｎが１以上の整数である）で表される、担持された酸化反応物に関する。本発明は、上記式(I)の担持された酸化反応物の、特にペプチドおよび／またはタンパク質における、分子内ジスルフィドブリッジを形成するための使用にも関する。
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本発明は、Ｍｏｓ−１トランスポゾンの高活性組換え誘導体の転移のためのシステムであって、少なくとも以下の２つのパートナー：ａ）目的外来塩基配列が本来のＭｏｓ−１トランスポゼースをコードする塩基配列を置換してなるＭｏｓ−１シュードトランスポゾン、および、ｂ）上記シュードトランスポゾンにイン・トランスで提供されるＭｏｓ−１トランスポゼースを含んでなり、前記パートナーの少なくとも１つが上記目的外来塩基配列の転移頻度を向上させるように適切に遺伝的に改変されているシステムに関する。このようなシステムに加え、本発明は、高活性Ｍｏｓ−１トランスポゾン、高活性Ｍｏｓ−１トランスポゼース、キットに関する。本発明はさらに、配列の転移、より具体的には効率的な遺伝子導入を行うための、１つまたは２つ以上の上記手段の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックスの製造方法であって、下記の工程、即ち(a)ランタンがドープされたチタン酸バリウム粉末を瞬間焼結させる工程、および(b)こうして得られた材料を、空気雰囲気または酸化性雰囲気中で熱処理する工程を含んでなる、方法に関する。本発明は、相対的誘電率の実質的な部分が非常に高い、ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス、およびそれらのセラミックスの、高い静電容量および高電圧に耐える能力を得るために単位体積あたりの高い静電容量を有するコンデンサを得るための使用にも関する。 （もっと読む）