説明

サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.により出願された特許

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【課題】本発明は、ニッケル−亜鉛−銅(NiZnCu)系フェライト組成物、及びそれを利用した積層型チップ素子に関する。
【解決手段】本発明によるNiZnCu系フェライト組成物及びそれを利用した積層型チップ素子及びトロイダルコアは、Fe47.0〜50.0モル%、NiO15.0〜27.0モル%、ZnO18.0〜25.0モル%、CuO7.0〜13.0モル%を含む主成分100重量部に対して、2価金属0.001〜0.3重量部、3価金属0.001〜0.3重量部、及び4価金属0.001〜0.5重量部で含むことを特徴とする。本発明によると、NiZnCuフェライトに2価、3価、及び4価金属を含ませることにより、品質係数Q特性に優れたフェライト組成物を提供することができる。また、前記フェライト組成物を利用して、焼結性、透磁率、及び品質係数Q特性に優れたトロイダルコア及び積層型チップ素子を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明はアンテナパターン部がアンテナパターンフレーム上で浮く現象を防ぐアンテナパターンフレーム、その製造方法及び製造金型、電子装置のケースの製造方法及び電子装置に関する。
【解決手段】本発明の一実施例によるアンテナパターンフレームは、外部信号を受信するアンテナパターン部が形成される放射体と、上記アンテナパターン部が表面に形成されるように上記放射体がモールド射出成形され、上記アンテナパターン部を電子装置のケースの内部に埋め込ませる放射体フレームと、上記放射体フレームのようにモールド射出成形され、上記放射体フレーム上で上記アンテナパターン部が浮く現象を防ぐように上記アンテナパターン部にオーバーモールディングされて形成されるオーバーモールド部と、を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、粒子大きさの異なる活物質と導電材とを均一に分散させることができる活物質スラリの製造方法と、該電極活物質スラリを用いる電極を含む電気化学キャパシタを提供する。
【解決手段】本発明による電極活物質スラリの製造方法は、導電材60と分子量の小さい第1の増粘剤とを混合して1次分散させるステップと、該1次分散物に、活物質50と第1の増粘剤より分子量の大きい第2の増粘剤とを混合して2次分散させるステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電力モジュールパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、互いに離隔して配置された第1放熱プレート及び第2放熱プレートを含む放熱プレートと、放熱プレート上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたメタル層と、メタル層上に実装された半導体素子と、第1放熱プレート側のメタル層または第2放熱プレート側のメタル層と前記半導体素子とを連結するために形成されたリードスペーサと、を含み、第1放熱プレート側のメタル層上に形成された半導体素子及び第2放熱プレート側のメタル層上に形成された半導体素子は、積層型に配置されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、レンズモジュール及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のレンズモジュールは、光学部と接合部を含む第1レンズと、上記第1レンズに印刷して形成される識別表示部とを含むことができる。また、本発明のレンズモジュールの製造方法は、光学部と接合部を含む第1レンズを準備する準備段階と、上記接合部に遮光膜と識別表示部を印刷して形成する印刷段階とを含むことができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、タンタルキャパシタに関する。
【解決手段】本発明は、タンタル粉末が焼結して形成されたチップ焼結体と、上記チップ焼結体の内部に位置する挿入領域と上記チップ焼結体の外部に位置する非挿入領域を有するニオビウム(Nb)で形成された陽極引出線と、を含むタンタルキャパシタを提供する。
本発明によると、陽極引出線をニオビウム(Nb)ワイヤとして用いることにより、焼結時タンタル粉末との結合力を強化して等価直列抵抗(ESR)及び漏洩電流(Leakage Current、LC)特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、導電性金属粉末と、a+b+c=100、20≦a≦60、20≦b≦60及び2≦c≦25を満足する式a(Cu、Ni)−bZr−c(Al、Sn)を含む伝導性非晶質金属粉末と、を含む外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。本発明によると、内部電極と外部電極との連結性低下及びガラスの励起によるメッキ不良を解決することができる。 (もっと読む)


【課題】動作速度に応じて二重動作を感知する検出区間を調節する。
【解決手段】動作を感知するセンサ1と、このセンサ1から出力された信号の変化率を演算する変化率演算部と、この変化率演算部で演算された値に反比例するように検出区間を制御する検出区間制御部とを有する制御部100と、センサ1から出力された信号が予め決められた基準値を超過すると、動作が発生したと判断する第1及び第2の動作検出部10、20と、第1の動作検出部10で動作が発生したと判断された時点t1と、第2の動作検出部20で動作が発生したと判断された時点t2との間の時間間隙が検出区間より小さい場合に二重動作の結果を出力し、該時間間隙が前記検出区間より大きい場合に単一動作の結果を出力する出力部30とを備え、動作速度に応じた検出区間により二重動作を感知する。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルの視認性を改善する。
【解決手段】ITOに代替して微細パターンが形成された金属薄膜で電極を形成することにより、透明伝導膜に使用される資源の枯渇問題を解消し、特に、メッシュ状の金属電極を透明基板の両面に形成する場合、画像投映過程で発生するモアレ(moire)現象を改善するタッチパネルの構造に関する。画像投映過程において、透明基板の上、下部金属電極間の線の重なりによるモアレ(moire)現象を改善する効果があり、透明基板に形成された金属電極とカラーフィルタに形成された画素格子またはブラックマトリックス間の線の重なりを最小化する。 (もっと読む)


【課題】高密度のバンプピッチに対応可能な半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ基板の製造方法は、接続パッド103を有するベース基板を準備する段階と、ベース基板上に、ポリイミドを含む保護層106および金属層を積層する段階と、金属層および保護層にオープン部を形成して接続パッドを露出させる段階と、オープン部にポストバンプ115を形成する段階と、金属層を除去する段階とを含んでなるものである。 (もっと読む)


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