【課題】高周波誘導加熱によりるつぼ内のサファイア粉末を溶解させてサファイア単結晶を引き上げ成長させる装置において、るつぼの低価格化を図る。
【解決手段】サファイア単結晶引上成長装置において、るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品により形成し、加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の内周面および外周面に筒形状の軸方向に沿って延長する複数の溝を形成し、複数の溝は、加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の周面に対して、外周面の溝と内周面の溝とが互いに交互にずれて位置するように配置した。 （もっと読む）

【課題】成長初期に発現させるデンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御可能であり、高品質・高均質なＳｉ多結晶インゴットを製造することができるＳｉ多結晶インゴットの製造装置、Ｓｉ多結晶インゴットおよびＳｉ多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】ルツボ１内に入れたＳｉ融液２の底部付近または表面付近の局所領域２ａの過冷却度を変えることにより、融液温度が高い領域から融液温度の低い局所領域２ａに向けてデンドライト結晶３を複数発現させたり、融液温度の低い局所領域２ａから融液温度が高い領域に向けてデンドライト結晶３を複数発現させたりすることができるよう、Ｓｉ融液２の底部付近または表面付近に、融液温度が低く大きな過冷却度を有する線状、点状、円状、円周状、円弧状またはそれらのうちの複数を組み合わせた形状よりなる局所領域２ａを形成可能である。 （もっと読む）

【課題】ロードセル方式において高分解能で結晶重量の計測を行うことを可能にして、結晶の直径のサイズを高精度で制御する方法を提供する。
【解決手段】ロードセル１２により成長する結晶４４の重量を測定し、結晶４４の単位長さ当たりの重量の増分から結晶４４の直径を算出するロードセル方式により、結晶４４の直径のサイズを検出する結晶直径検出方法において、結晶４４の重量を測定するロードセル１２として、最大許容重量がそれぞれ異なる複数のロードセル１２ａ、１２ｂを直列に連結または重ねて組み合わせて構成したロードセル１２を用い、結晶４４の重量に応じて複数のロードセル１２ａ、１２ｂを切り替えて使用して、複数のロードセル１２ａ、１２ｂのいずれかが出力する重量信号を用いて結晶４４の重量を測定する。 （もっと読む）

【課題】高品質でかつ高収率のコランダム単結晶インゴットの育成方法を、このインゴットから作製された高輝度発光素子用の高品質かつ高収率のコランダム単結晶と共に提供する。
【解決手段】コランダムの単結晶を育成するに際し、原料を容器内に収納した後、該容器を炉内に導く一方、炉内には炉の上部を高温とし、下部に向けて 0.1〜10.0℃／mmの温度勾配を付与した領域を設けておき、該容器を炉の上部から下部に向けてこの温度勾配を付与した領域を移動させることによって、該容器内の原料を一方向に凝固させる。 （もっと読む）

【課題】縦型ブリッジマン法による単結晶の結晶成長において、結晶径が大きく、かつ、結晶長が長い高品質の単結晶を、効率よく製造する。
【解決手段】縦型ブリッジマン法により単結晶を製造する単結晶製造装置において、原料を配置した筒状の炉芯管と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内の上記原料を熔解する熔解手段と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内における上記原料の結晶化後に該結晶を凝固点よりも低い温度で保持する均熱手段とを有し、上記熔解手段と上記均熱手段とを所定の間隙を有するようにして分離して配置し、上記炉芯管の外周面において上記熔解手段と上記均熱手段とにより被覆されていない領域を形成した。 （もっと読む）

【課題】大強度中性子束を検出することを可能にし、また、大量の中性子が照射された場合において動作が不安点になることがないようにし、また、中性子束を直接測定することを可能にする。
【解決手段】中性子検出媒体として中性子シンチレータを用いた中性子検出器において、複数の孔を形成された枠体２２と、上記枠体２２に形成された上記孔２２ａ内に嵌合された中性子シンチレータ２４と、上記中性子シンチレータ２４からの出力信号が入力される光電面ピクセルを形成するマルチアノード光電子増倍管３０を有し、上記光電面ピクセルからの出力信号に基づいて中性子画像を得る光検出部とを有するようにした。 （もっと読む）

【解決課題】 融点１７００℃以上の高融点の単結晶材料を効率的に製造可能であり、欠陥の少ない高品質のものを製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、金属又は金属化合物からなり、融点が１７００℃以上である高融点単結晶材料の製造方法において、単結晶種子が封入されたるつぼを、温度勾配を有する炉内を移動させて単結晶を育成するブリッジマン法を用いて単結晶を製造する方法である。ここで、使用するるつぼとしては、電気鋳造法により製造されたイリジウムよりなる厚さ０．３ｍｍ以下の薄型るつぼガ好ましい。 （もっと読む）

【課題】 １度に多数の結晶シリコンインゴットを製造することができる生産性の高い結晶シリコン製造装置とその製造方法とを提供するものである。
【解決手段】 受台１８に複数の坩堝１６を載せ、その複数の坩堝１６の隣合う側面同士を接触させる。この状態で加熱融解や冷却を行うことで、四隅の角部にのみクラックが発生し、坩堝１６同士が接合する角部にはクラックが発生しない。この結果、本発明は１個の坩堝のみで製造する従来のものと比べて、均質な結晶シリコンインゴットを複数製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来必要とした装置の上方または下方の空間領域を不用とし、構造が簡単で製造コストを低減できる結晶シリコンの製造装置を提供するものである。
【解決手段】 チャンバー１０を本体部４４ａとその側面の扉部４４ｂとから構成することで、チャンバー１０の側面からルツボ２８を取出すことができる。これによって、装置の上部または下部の空間領域を備える必要がなくなり、しかも上部チャンバーまたは下部チャンバーを移動させるための駆動手段等を不要とすることができる。 （もっと読む）