【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに１回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート１０７を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材３９と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具８であって、前記電極部材は、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保護膜の成膜時に圧電体膜が水素によって還元されることがなく、圧電体膜を水分から保護する保護膜を有する圧電体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、圧電体膜１６上に、水素を含まない原料ガスを用いたＣＶＤ法によりＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_Ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｄ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ＣＯ_ｄ膜のいずれかの膜１５を形成する圧電体の製造方法であって、前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする圧電体の製造方法である。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。 （もっと読む）

【課題】導電性が良く、光透過率の高い透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜を微粒子に被覆した透明導電性微粒子及びその製造方法、電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器１を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器１内の微粒子３を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子３の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバー１と、チャンバー１内に配置され、基材２を保持する基材ホルダー３と、チャンバー１に繋げられ、チャンバー１内にエッチング用の処理ガスを導入するガス導入経路と、チャンバー１内に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源４と、を具備し、高周波電源４から供給された高周波出力によりチャンバー１内に前記エッチング用の処理ガスのプラズマを発生させて基材２の表面層を除去する。 （もっと読む）

【課題】透明性を向上させたＳｉＮxＯyＣz膜、および成膜速度を向上させた薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】被成膜基材２にＲＦバイアスを印加し、１ターンのコイル６にＩＣＰ出力を印加して誘導結合プラズマを発生させ、誘導結合プラズマによって有機金属を含む原料ガスを分解するＣＶＤ法を用いることによりＳｉＮxＯyＣz膜を形成する。ＳｉＮxＯyＣz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式（１）〜（３）の範囲である。０．２＜x＜１．５・・・（１）、０．３＜y＜０．８・・・（２）、０．０３＜z＜０．４・・・（３） （もっと読む）

【課題】生産コストを低くできるプラズマ処理装置及び基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置され、基材２を保持する基材ホルダー３と、前記チャンバー１に繋げられ、前記チャンバー内に処理ガスを導入するガス導入経路と、前記チャンバー内に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源４と、を具備し、前記高周波電源４から供給された高周波出力により前記チャンバー内に前記処理ガスのプラズマを発生させて前記基材２にプラズマ処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面積が大きい被処理基板に容易に対応できる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、処理室２５と、前記処理室内に配置され、被処理基板２２を保持する保持部２３と、前記処理室内に加圧されたガスを導入するガス導入機構と、前記処理室内のガスを排気するガス排気機構と、前記処理室内に配置された透明管２０と、前記透明管内に配置され、前記被処理基板にランプ光が前記透明管を通して照射されるランプヒータ１９と、を具備することを特徴とする加圧式ランプアニール装置である。 （もっと読む）

【課題】加圧した状態でランプアニール処理ができる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】被処理基板としてのウエハ２を導入する処理室５５と、前記処理室内を加圧する加圧ライン（加圧機構）１２と、前記ウエハ２にランプ光を照射するランプヒータ５とを具備する。加圧ライン１２は、アルゴンガスによる加圧ライン、酸素ガスによる加圧ライン及び窒素ガスによる加圧ラインを有している。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたアモルファス膜の結晶化を、基板表面に対して垂直方向（即ち下から上方向）ではなく略平行方向（即ち横方向）に進行させる結晶化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、基板上にアモルファス膜１を形成し、前記アモルファス膜１にレーザ光を照射してレーザ光照射領域１ａを結晶化し、前記アモルファス膜１に熱処理を施すことにより、前記レーザ光照射領域以外のアモルファス膜１を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）