【課題】可変抵抗材料を用いて形成されるランダムアクセスメモリ装置を提供する。
【解決手段】可変抵抗メモリ装置３０１において、望ましい円錐状に形造された下部電極３０８は、下部電極３０８の頂点のところにおける絶縁材料３１２の厚さが最も薄く、下部電極３０８の頂点のところにおける電界が最大であることを確保する。電極３０８、３１０の配置およびメモリ素子の構造はメモリ装置内に安定で確実に導電路を作り出し、かつ、スイッチングとメモリ特性を再生可能にする。 （もっと読む）

【課題】メモリモジュールの入出力ポートの入力／出力の構成を変更可能とする。
【解決手段】メモリモジュール３２０は、１つ以上のメモリデバイスと、１つ以上のメモリデバイスと通信するコントローラ３３０と、複数の入出力ポート３５０とを有する。複数のコントローラ３１０の一つは入出力ポートのそれぞれを構成するようにコントローラ３３０に指示する。コントローラ３３０は、各入出力ポート３５０を、入力、出力、または双方向入出力として構成する。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリをプログラムするための単一パルスアルゴリズムを提供する。
【解決手段】相変化メモリ（ＰＣＭ）セルを融解させるために第１の特定の信号値レベルで電子信号を印加させることと、前記ＰＣＭセルが融解した後、０ではない第２の特定の信号値レベルに到達するまで、印加されている前記電子信号の前記信号値レベルを低下させることと、を含み、前記信号値レベルは、前記第１の特定の信号値レベルと前記第２の特定の信号値レベルとの間で、信号値レベルの実質的に垂直な降下が起きないように低下する。 （もっと読む）

【課題】高速で狭いデータバス幅を持つメモリと低速で広いデータバス幅を持つメモリのどちらにも対応可能なメモリを提供する。
【解決手段】高速または低速のいずれのモードにおいても、２つのメモリアレイ各々からの３２ビットのデータは各組の３２個のフリップフロップ１２０中にプリフェッチされる。高速モードにおいて、上記プリフェッチされたデータビットは４つのパラレル−シリアルコンバータ１５０ａに並列伝送される。上記コンバータは上記パラレルデータビットを８つのシリアルデータビットのバーストに変換し、上記バーストを４つのデータバス端子１６０それぞれに付与する。低速モードにおいて、２組のプリフェッチされたデータビットは８つのパラレル−シリアルコンバータに並列で伝送される。上記コンバータは上記パラレルデータビットを８つのシリアルデータビットのバーストに変換し、上記バーストを８つのデータバス端子それぞれに付与する。 （もっと読む）

【課題】ビアホール表面上の絶縁コーティングとビアホール内に挿入される導電材料との付着性を向上する。
【解決手段】導電性ビアを形成する方法は、一つ以上のビアホールを基板内に形成するステップを含む。ビアホールは、単一マスク、保護層、ボンドパッド、もしくは、エッチングプロセスの間にフォトマスクが除去される場合にハードマスクとして機能する、基板のその他のフィーチャで形成され得る。ビアホールは、その表面に低誘電率（低K）誘電材料を含む誘電体コーティングの付着を促進するように構成されてもよい。障壁層が各ビアホールの表面の上に形成されてもよい。種材料（seed material）を含み得るベース層は、その後のビアホールの表面上の導電材料の選択的堆積を促進するように形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】公知のプロセスよりも高速であり、充てんされたビアにボイド、凹み又はキーホールを残さず、製造の費用効果が高い、改善された方法を提供する。
【解決手段】第１の表面２１４及び対向する第２の表面２１６を有する基板２１２を設け、基板の第１の表面に部分的にのみ前記基板の中に広がる少なくとも１つのブラインドビア２１８を形成する。酸化材料によって前記少なくとも１つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料２２８を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第１の表面を露出させるように形成する。シード材料の上に導電性材料２３０を前記少なくとも一つのブラインドビアを充填するように無電解めっきし、少なくとも一つのブラインドビアの導電性材料を露出させるために基板の前記第２の表面に研磨平坦化を実施する。 （もっと読む）

【課題】トランザクション処理におけるソフトウェアオーバヘッド及び複雑さを低減する。
【解決手段】トランザクションリクエスト又は複数のトランザクション演算子を含むトランザクションコマンドを受信することに応答して、メモリアレイのオリジナルコンテンツを他の部分にコピーすることと、トランザクション演算子を受信することに応答して、コピーしたオリジナルコンテンツを修正する。トランザクションコミットを受信することに応答して、トランザクションが成功した場合のみ、オリジナルコンテンツを修正したコンテンツで置換する。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭコンデンサとして高アスペクト比容器の外面も容量面として利用可能とする方法を提供する。
【解決手段】絶縁材２８中の開口部内に導電性蓄積ノード部材６０が形成されて導電性容器が形成される。保持構造体３０が容器の少なくとも一部（例えば容器の断面の周囲の５０％）と物理的接触状態となるように形成され、次いで絶縁材２８が除去されることにより容器の外側表面が露出される。保持構造体３０によって容器構造体のぐらつきあるいは他の構造上の欠陥が減じられる。導電性容器は第一コンデンサ電極６０に相当する。容器の外側側壁が露出された後、絶縁材１００が容器内に露出された外側側壁に沿って形成される。その後に第二コンデンサ電極１０３が絶縁材上へ形成される。これら第一及び第二コンデンサ電極と絶縁材とによって複数のコンデンサ装置が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭメモリアレイに用いられるセミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタを提供する。
【解決手段】ＳＯＩ型のトランジスタは、半導体物質層６０（ＳＯＩ層）と、この半導体物質層６０の内部を通って走るゲート線６５ａ，６５ｂ，６６ｃと、このゲート線６５ａ，６５ｂ，６６ｃに沿ってソース拡散領域７０ａ、７０ｂ、７０ｃよりも遠くまで延びるドレイン拡散領域６４と、このドレイン拡散領域６４よりも上方にあるソース拡散領域７０ａ、７０ｂ、７０ｃと、ドレイン拡散領域６４まで延びるドレインコンタクト７９と、ソース拡散領域まで延びるソースコンタクトと、を備え、これらドレインコンタクト７９及びソースコンタクトは、ゲート線６５ａ，６５ｂ，６６ｃと平行に走る平面内にある。 （もっと読む）

【課題】マルチチャネルメモリデバイス、及び、マルチチャネルデバイスの１つ又は複数のチャネルを選択する方法を提供する。
【解決手段】メモリデバイスに組み込まれたスイッチインターフェース（ＳＩ）レジスタ１４７は、複数のインターフェースの特権レベルを管理する。ＳＩレジスタ１４７は、インターフェースに帰する特権レベルに関係なく、複数のインターフェースを介してアクセス可能であってもよい。ステータスレジスタ１４９はステートマシーンビジービットを含み、デュアルチャネルメモリにおいて、どちらかのインターフェースは、ステータスレジスタ１４９をいつでも読み出してもよく、一方では、メモリアレイ１４３にアクセスする比較的高い特権レベルを有するインターフェースのみが、ステータスレジスタ１４９に書き込んでもよい。 （もっと読む）