本発明は、基板の熱処理のための装置および方法に関するものであり、基板保持部を受けるための回転皿を伴なう環状の熱処理領域を含み、上記基板保持部は、各熱処理ゾーン内に少なくとも２つずつ相前後して配置され、上記熱処理ゾーンは、上記回転皿の中心点まわりに径方向にスポーク状に配置される。
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搬送室に配置されたプロセス室に向って１つの平面でウェーハ（３）を動かすための搬送装置（２，２０，２１）を含んでいる搬送室と、前記プロセス室よりも手前で前記搬送室の内部に配置された、第１の検知点（４）と第２の検知点（５）でエッジの検出をすることによってウェーハ（３）の位置を検出するための個々のセンサ（１）とを備え、測定された両方の前記検知点（４，５）の電子的な評価によって、既知であるウェーハ直径のもとでウェーハ（１２）の真の位置が判定されて、前記搬送装置（２，２０，２１）がウェーハ（３）を所望の目標位置に合わせて再調整するようになっている、真空プロセス設備で基準マーク（６）を備えるウェーハ（３）を位置決めする方法において、ウェーハ（３）はその基準マーク（６）を基準として所定の位置にアライメントされたうえで前記搬送装置（２，２０，２１）に載置され、１つの運動方向に沿ったウェーハ（３）への前記基準マーク（６）の投影が許容されない区域（２２）を規定し、それによってウェーハ（３）の他の領域は自由区域を定義し、前記センサ（１）は許容されない前記区域（２２）を通過することが確実にないように前記搬送室に配置されており、それによって前記センサ（１）はウェーハエッジの円形の領域だけを検出することができ、前記基準マーク（６）の部分を検出しない。
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マグネトロンスパッタリング機構（２）であって、スパッタリング表面の形状が、相互に垂直であって且つスパッタリング表面の少なくとも凡そ鏡面対称軸である第１（Ａ１）および第２の軸（Ａ２）を規定するスパッタリング表面（４）を有するターゲット（３_ａ１）を有するターゲット機構（３）と、前記スパッタリング表面の上で磁場を発生させるマグネット機構（４０）と、前記マグネトロン磁場と前記スパッタリング表面との間で実質的に過渡的な相対移動を成立させることに適した駆動装置（７０）とを備える、マグネトロンスパッタリング機構（２）。前記相対移動は、相互に垂直であって且つ経路（８０）の少なくとも凡そ鏡面対称軸である第３（Ａ３）および第４の軸（Ａ４）を規定する経路（８０）を描く。前記第３の軸は、前記第１の軸（Ａ３）に対し少なくとも凡そ平行であり、前記経路（８０）は、少なくとも２つの尖ったコーナー（８１）を有し、各コーナーは、前記第３の軸（Ａ３）と前記第４の軸（Ａ４）の内一方の上に位置する。相対移動は好ましくは反復移動であり、経路は好ましくは実質的に菱形を描く。マグネトロンスパッタリング機構（２）は、前記ターゲット機構（３）、マグネット機構（４０）、および駆動装置（７０）の内少なくとも２つを備えてよい。
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【課題】真空処理装置において、クリーニングの煩雑さを回避しプロセスの安全性および層品質を向上させるとともに、ポンプ性能を向上させかつポンプ領域内のプラズマ形成を防止する。
【解決手段】工作物を処理するための真空処理装置（１）は、低電圧アーク放電装置が中に配置された真空化可能な処理室（１０）と、少なくとも１つの閉鎖可能な装入・排出開口部と、上記処理室の側壁に取付けられた少なくとも１つのコーティング源とを備える。さらに、上記真空処理装置は、遠距離磁場を形成するための磁場生成装置と、工作物を受けるための少なくとも１つの工作物担体とを備える。さらに、ターゲット・シャッタ構成（８，８′）が、覆われた状態でシャッタ（８）とターゲット（１２）との間隔が３５ｍｍよりも小さく、こうして上記ターゲットの背後でマグネトロンまたは陰極のスパーク放電の点火および動作が可能となり、他方ではターゲット（８）をオフにした際に副プラズマの点火が防止されるように構成される。 （もっと読む）

本発明による大型基板をＰＥＣＶＤ処理するためのプラズマ反応器は、外部チャンバとしての真空プロセスチャンバと、ＲＦアンテナとして働く電極シャワーヘッドを備えた少なくとも１つの内部反応器とを備え、内部反応器はまた、少なくともプラズマ反応器での基板の処理中には密封状態で接続されかつ少なくとも基板の装着／取り外し中は分離される反応器底部と反応器上部とを備えている。さらなる実施形態は、前記反応器上部／底部のための封止材、およびＲＦアンテナ／電極シャワーヘッド用の懸垂装置を備えている。
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非常に大きなガラスのエリアの上に半導電層を堆積させるためのＲＦプラズマ反応器（４０）が提供される。ＲＦプラズマ反応器は、真空チャンバ（１８）と、反応器チャンバ（２４）と、ＲＦ電源（１２）と、整合回路網（１４）と、真空チャンバの内部に位置する第１の金属板（２２）および第２の金属板（２０）と、第１の金属板および第２の金属板の間に規定されるプラズマ放電領域（３０）とを含む。ＲＦプラズマ反応器はさらに、給電ライン（２６）と、インピーダンス変換回路（４２）とを含み、その両方は第１の金属板に電気的に接続される。インピーダンス変換回路はさらに、反応器のインピーダンスを変換するブロッキングチューナブルキャパシタ（Ｃａｒ）を含む。
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【課題】 従来のＸ立方体では、継ぎ目箇所において層システム同士が中断していたが、このような欠点のないＸ立方体とその製造工程を提供する。
【解決手段】 第一の光学層システム（５’，５”）が立方体対（２０ａ，２０ｄ／２０ｂ，２０ｃ）の間にそれぞれ埋設され、その結果得られた立方体の対の少なくとも一つの表面上にもう一つの層システム（７）が連続的に布設される光学部材、特にＸ立方体が提案される。ここでは、後にもう一つの層システム（７）をその間に受容する立方体の対の表面に、機械的な表面処理があらかじめ連続的に施される。各々の表面処理および相対位置決めを極めて容易にする、部分立方体ならびに最終的に得られる立方体（２２）の立方体形状は最終的には、光学層システム（５’，５”，７）が対角線上の表面に並ぶ最終形態となる。 （もっと読む）

スパッタ動作中にスパッタ率分布をスパッタ面（３_Ｓ）に沿ってマグネトロン源で調節するために、ターゲット裏面（３_Ｒ）にある磁石構造（７_ａ，７_ｂ）の１つの部分（７_ａ１，７_ｂ１）からターゲット裏面までの間隔が変更される。
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アーク放電が作用する表面を有するターゲットからなり、前記ターゲットは磁界発生装置の作用範囲内に配置され、前記磁界発生装置は反対極性を有する少なくとも２つのマグネットシステムからなると共に、発生する当該磁界の前記表面に対する垂直成分Ｂ_^が前記表面の大部分にわたって基本的にコンスタントに小さな値を有するかまたはゼロとなるように形成されている真空アークソースならびにその作用方法が開示される。
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この発明は、コーティングされ表面が微細構造化された工作物およびその作製方法に関する。ここにおいては、微細構造の構造深さ（ｓ）は、層厚（ｄ）よりも大きく設定、あるいはこれに対して或る定められた割合に設定される。
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