【課題】構成を複雑にすることなく、設置面積を減少させ、効率的な半導体の搬送を行うことが可能な半導体ウェハ搬送装置および搬送方法を提供する。
【解決手段】収容室２９内では二つの駆動アーム２５ａ，２５ｂが収容されている。それぞれハウジング２２内で上下逆さまの位置関係で支持されている駆動機構２１ａ，２１ｂは上記駆動アーム２５ａ，２５ｂを対面させつつ、両者が収容室２９内で保持されるような位置関係となっている。それぞれの駆動機構２１ａ，２１ｂは独立したものであり、単体での利用が可能なものをこのように上下逆さまにして一つのモジュールであるハウジング２２内に収容している。このようにすることで、デュアルアーム搬送機構を実現しつつ、機構は従前のシングルアーム搬送機構のままであるから、構成を複雑にすることはない。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、損失を小さくしつつ、発生させるプラズマの均一性を良好とさせる。
【解決手段】 複数のコイル１４〜１６に対して独立してマッチングボックス２１〜２３と、ＲＦ電源１７〜１９とを接続して高周波を印加することでプラズマを発生・形成させる場合、各コイル１４〜１６の間に設置導体としての帯状金属製リングを配置することにより、各コイル１４〜１６間での電磁結合を阻害・軽減し、マッチングボックス２１〜２３の故障を防止しつつ、正確なインピーダンス整合を保障し、かつ、最外周のコイル１６の外側には帯状金属製リングを敢えて配置しないようにすることで損失を低減させることも可能となった。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊し難く、浅くて被覆性も良い静電チャックを実現する。
【解決手段】伝熱用ガス供給孔４３の形成された電極１２の基板１乗載面に設けられ、導電層５５およびこれを挟む絶縁層を有する静電チャック５００であって、絶縁層のうち電極１２側のもの５３でなく基板１側のものが複数の薄膜層５７１，５７３を含む。薄膜層５７１，５７３の一方に欠損部分があっても絶縁破壊が生じない。また、電極１２は、基板１乗載面に伝熱用ガス送給孔４３に通じる溝が網状に形成され、導電層５５および絶縁層５３，５７１〜５７３は、溝の底も含めて基板１乗載面に対し密着しており且つ伝熱用ガス供給孔４３によって貫通される。溝５１０の底にも、絶縁層５３，５７１〜５７３が存在する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で効果的にチャンバを冷却する。
【解決手段】内部にてプラズマが発生させられるチャンバ２０が備えられ、略密閉型のシールド４０は所定の隙間を隔ててチャンバ２０を外側から囲む。シールド４０の内側と外側とを連通させる開口部４１，４１，４１・・・がシールド４０に形成される。さらに、シロッコファン５０が備えられ、シロッコファン５０がシールド４０の内側から吸気し、シールド４０の外側に排気する。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、プラズマ処理室と、同プラズマ処理室の付近に近接する高周波誘導電界を提供するための少なくとも1つの誘導コイルとを備えたプラズマ処理装置を開示する。さらに、高周波電力源に接続している誘導コイルの端と、開放端とされた誘導コイルの端と、誘導コイルの実質的中心位置にある誘導コイルの接地端とを含んでいる。
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【課題】電極の絶縁を良くする。
【解決手段】プラズマ空間を囲う真空チャンバと、この真空チャンバ内に設置された電極４０と、この電極の表面に接着して設けられた静電チャック５０と、この静電チャックの周囲に設けられた絶縁部材４４と、電極導体４１及び絶縁部材４４の周囲に設けられた絶縁性覆部４２とを具備したプラズマ処理装置において、静電チャック５０の辺縁部が絶縁部材４４に接着される（５７）。また、電極導体４１の外側面および絶縁部材４４の外側面を覆う絶縁性シート部材４５が設けられる。これにより、僅かな隙間までも絶縁される。 （もっと読む）

【課題】対向電極への付着の少ないプラズマ処理装置を実現する。
【解決手段】真空チャンバ内でプラズマ処理空間を挟んで処理基板保持用の保持電極と向き合う対向電極６０を、電気良導体の金属部材６１，６２と、熱膨張率の異なる金属部材６３と、非金属部材６４とを重ね合わせて構成する。金属部材６３と非金属部材６４との間に接着剤等を充填する。高周波電力の印可を金属部材６３に行う。これにより、熱膨張率の相違の影響が緩和され、非金属部材の温度上昇も抑えられ、非金属部材に効率良くバイアス電圧が掛かる。 （もっと読む）

【課題】ウェットメッキによらないで導電体層を形成する。
【解決手段】半導体基板１０の表面に導電性薄膜２５の主成分物質２４を打ち込んでから（図１（ｃ））、その上に導電性薄膜２５を真空雰囲気中で重ね（図１（ｄ１））、これらを重ねたままで高圧雰囲気に曝す（図１（ｄ２））。これにより、導電性薄膜２５が下層物１１，１２の表面に密着する。 （もっと読む）

【課題】良質のプラズマを供給すること。
【解決手段】プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間２２が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間２２内に電子を封じる磁気回路２５が付設される。プラズマ成分比率の制御性がよい。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。さらに、プラズマ処理空間１３を可動壁体４０で囲んで、圧力制御性も高める。 （もっと読む）

【課題】良質のプラズマを供給すること。
【解決手段】プラズマ発生空間２２がプラズマ処理空間１３に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間２２が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間２２内に電子を封じる磁気回路２５が付設される。プラズマ成分比率の制御性がよい。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。さらに、プラズマ処理空間１３を可動壁体４０で囲んで、圧力制御性も高める。 （もっと読む）