説明

三菱マテリアル電子化成株式会社により出願された特許

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【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型2の内側に設けられた内層シリカ層3と、内層シリカ層3の内側に設けられ、0.2〜4.0μmの窒化ケイ素粉末41を75〜90重量%含有するとともに残部が10〜6000ppmのナトリウムを含有するシリカ6から構成される混合体素地層40を少なくとも1層含む窒化ケイ素コーティング層4と、窒化ケイ素コーティング層4の表面に設けられたバリウムコーティング層5と、を備えることを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ1を選択する。 (もっと読む)


【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型2の内側に設けられた、50〜300μmの微細溶融シリカ砂31をシリカ5で結合した内層スタッコ層30を少なくとも1層含む内層シリカ層3と、内層シリカ層3の内側に設けられ、0.2〜4.0μmの窒化ケイ素粉末41を75〜90重量%含有するとともに残部が10〜6000ppmのナトリウムを含有するシリカ5から構成される混合体素地層40を少なくとも1層含む窒化ケイ素コーティング層4と、を備え、窒化ケイ素コーティング層4の最表面の混合体素地層40’が、平均粒径0.01〜0.1μmの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有するシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ1を選択する。 (もっと読む)


【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを抑制可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】鋳型2の内側に設けられた、500〜1500μmの粗大溶融シリカ砂31をシリカで結合した外層スタッコ層30を少なくとも1層含む外層シリカ層3と、外層シリカ層3の内側に設けられた、50〜300μmの微細溶融シリカ砂41をシリカで結合した内層スタッコ層40を少なくとも1層含む内層シリカ層4と、を備え、内層シリカ層4の最表面の内層スタッコ層40’が、平均粒径0.1〜0.01μmの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ1を選択する。 (もっと読む)


【課題】 非水電解質二次電池における高温または低温でのサイクル特性試験後の劣化を抑制することを課題とする。
【解決手段】 三次元網目構造の金属骨格を有し、前記金属骨格間に空孔を有するアルミニウム多孔質焼結体1を備え、前記アルミニウム多孔質焼結体1の空孔3内に、活物質とカーボンナノファイバーと結合剤との混合体2を含有することを特徴とする、非水電解質二次電池用電極であり、好ましくは、カーボンナノファイバーの平均繊維径が1〜100nmであり、かつアスペクト比が5以上である。 (もっと読む)


【課題】 非水電解質二次電池における高温または低温でのサイクル特性試験後の劣化を抑制することを課題とする。
【解決手段】 三次元網目構造の金属骨格を有し、前記金属骨格間に空孔を有するアルミニウム多孔質焼結体を備え、前記アルミニウム多孔質焼結体の空孔内に、活物質と結合剤との混合体を含有させた後、カーボンナノファイバーを含有させたことを特徴とする、非水電解質二次電池用電極、およびこの非水電解質二次電池用電極を含む非水電解質二次電池である。 (もっと読む)


【課題】 酸化ケイ素と酸化錫粉末を基材とし、アンチモン等を含有せずに優れた導電性を有し、導電性酸化錫粉末/樹脂分を7/3の質量比で含む透明導電膜を1011Ω/□以下の表面抵抗値にすることができ、かつ環境汚染等を生じる虞がなく、環境への負担が少ない酸化ケイ素含有導電性酸化錫粉末を提供する。
【解決手段】 実質的にアンチモンを含まない酸化錫と、酸化ケイ素とを含み、酸化錫と酸化ケイ素の合計100質量部に対して、酸化ケイ素が4〜20質量部であることを特徴とする、酸化ケイ素含有導電性酸化錫粉末である。好ましくは、BET値が90m/g以上200m/g以下である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、一般式:(RfSONM(式中、Rfは炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基であり、Mは、Li、NaまたはKである)で表されるビス(ペルフルオロアルカンスルホン)イミド塩を精製して、不純物の含フッ素アルカンスルホンイミド塩を除去し、高純度のビス(ペルフルオロアルカンスルホン)イミド塩を製造することを課題とする。
【解決手段】 (RfSONMで表されるビス(ペルフルオロアルカンスルホン)イミド塩中に、水とアルカリ金属水酸化物を添加し、加熱して、不純物の含フッ素アルカンスルホンイミド塩を分解させた後、ビス(ペルフルオロアルカンスルホン)イミド塩を回収することを特徴とする、ビス(ペルフルオロアルカンスルホン)イミド塩の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 N−スルフィニル−ペルフルオロアルカンスルホンアミドの製造方法における反応時間の短縮と収率の向上を課題とする。
【解決手段】 一般式(1):RSONHM(式中、Rは、フッ素または炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のペルフルオロアルキル基であり;Mは、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオンまたはオニウムイオンであり;nは、Mがアルカリ金属イオンまたはオニウムイオンであるとき1であり、Mがアルカリ土類金属イオンであるとき0.5である)で表されるペルフルオロアルカンスルホンアミドと、
塩化チオニルと、を混合した後、
反応させることを特徴とする、一般式(2):RSONSO(式中、Rは、上記と同義である)で表されるN−スルフィニル−ペルフルオロアルカンスルホンアミドの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 透明性、導電性および塗膜の密着強度に優れた透明導電膜を形成可能な透明導電膜形成用分散液、およびこの透明導電膜形成用分散液により形成される透明導電膜、ならびに透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 −(C=O)−CH−(C=O)−基を含む、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物の前駆体と、Snドープ酸化インジウム、Sbドープ酸化錫、Znドープ酸化インジウム、Gaドープ酸化亜鉛およびAlドープ酸化亜鉛から選ばれる少なくとも1種の金属酸化物微粒子と、
溶媒と、を含むことを特徴とする、透明導電膜形成用分散液である。 (もっと読む)


【課題】不純物量が少なく、かつ、不純物量のばらつきが小さいシリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴット製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝20の上に載置される蓋50を有し、蓋50の平面中心近傍に不活性ガス手段が接続されており、蓋50は、坩堝20の側壁22上端面に載置される載置部51と、坩堝20の側壁22外縁から外側に突出した庇部52と、厚さ方向に貫通した開口部53と、を有し、庇部52は、坩堝20の側壁22上端外周縁の10%以上の領域の外周側に配置され、かつ、側壁22上端外縁からの突出長さが50mm以上とされており、開口部53は、坩堝20の側壁22上端内縁から100mm以内の領域に形成されており、開口部53による坩堝20の上端内側領域の露出面積の合計が、坩堝20の上端内側領域全体の面積の1.5%以上10%以下とされている。 (もっと読む)


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