説明

アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングにより出願された特許

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【課題】回路キャリアを製造する方法及び当該方法の使用を示す。
【解決手段】この方法は、プリント基板を提供し(a)、プリント基板をその少なくとも一方の面を誘電体でコーティングし(b)、レーザーアブレーションを用いてそこに溝及びビア(凹部)を作るために誘電体を構造化する(c)。次いで、誘電体の表面全体に下塗り層を析出し又は作られた溝及びビアの壁にのみ下塗り層を析出する(d)。下塗り層に金属層を析出し、溝及びビアはそこに導体構造を形成するために金属で完全に満たされる(e)。最後に、下塗り層が表面全体に析出されて誘電体が露光されるまで過度金属と下塗り層を除去し、導体構造は無傷のままである(f)。 (もっと読む)


金属化すべきでない部域が金属化されないようにしながら、異なるプラスチックを有する対象物7上の金属化すべき表面部域の金属化中の選択性を改善する目的で、以下の方法が提案されている。すなわち、A)エッチング溶液を用いて対象物7をエッチングするステップ;B)コロイドの溶液または金属化合物を用いて対象物7を処理するステップであって、金属が元素周期表のVIIIB族またはIB族の金属であるステップ;そしてC)金属化溶液で対象物7を電解金属化するステップ。本発明によると、対象物7の表面上で曝露された少なくとも1つの第2のプラスチックが金属化されている間、対象物7の表面上で曝露された少なくとも1つの第1のプラスチックの金属化を回避するために、方法ステップB)の後でかつ方法ステップC)の前のさらなる方法ステップにおける処理中に対象物7は超音波処理に付される。
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誘電性基板の表面に対する優れた接着性を有する導体ラインを有する高密度回路を誘電性基板上に生産することができるように、a)少なくとも一方が導電性表面を有する2面を有する補助基板をもたらすステップと;b)少なくとも1つの導電性表面の少なくとも一方を、少なくとも1つの剥離層形成用化合物で処理するステップであって、少なくとも1つの剥離層形成用化合物が、各々少なくとも1つのチオール基を有する複素環式化合物であるステップと;c)前記少なくとも1つの剥離層形成用化合物で処理された前記少なくとも1つの導電性表面の少なくとも1つの上にパターン化レジストコーティングを形成するステップであって、パターン化レジストコーティングが少なくとも1つのレジスト開口部を有し、導電性表面を露出させているステップと;d)露出された導電性表面上に金属を電着させることにより少なくとも1つのレジスト開口部内に導電性パターンを形成するステップと;e)補助基板のそれぞれの面上にそれぞれの誘電性材料層を形成することによって、各々の導電性パターンを誘電性材料内に包埋するステップと;f)それぞれの包埋された導電性パターンを含む誘電性材料層と補助基板とを互いに分離させるステップとを含む方法を提供する。
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金属被膜の品質、並びに、金属析出用、特に半光沢ニッケル及び光沢ニッケルのようなニッケル電解析出用電解質品質を迅速且つ確実に決定するために、次の作業工程、即ちa)沈着性電解質から作用電極上に金属被膜を析出する工程、b)前記金属被膜を前記作用電極と電解接触している対向電極に対して作用電極を陽極分極することによって電解溶解する工程と、c)前記金属被膜の溶解中に生じる作用電極における溶解電位を時の経過と共に記録する工程と、d)前記溶解電位の時間平均値を決定する工程とを含む金属被膜を検査する方法をもたらした。沈着性電解質の分析管理を行うために、次の作業工程、即ちa)沈着性電解質から作用電極上に金属被膜を析出する工程、b)前記金属被膜を前記作用電極と電解接触している対向電極に対して作用電極を陽極分極することによって電解溶解する工程と、c)前記金属被膜の溶解中に生じる作用電極における溶解電位を時の経過と共に記録する工程と、d)前記溶解電位の時間平均値を決定する工程と、e)前記溶解電位の時間平均値と基準値との差を決定する工程と、及び、f)前記差を前記溶解電位を決定する沈着性電解質の組成濃度と基準濃度との差に割り当てる工程とを有する方法をもたらした。
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シリカ粒子を内部に分散させた金属層を電気めっきするために、
a)第1の電位を有する第1のニッケル層を析出させる工程と、
b)前記第1のニッケル層上に前記第1の電位より負である第2の電位を有する第2のニッケル層を析出させる工程と、
c)基材上に金属を電着させるための溶液を用いて前記第2のニッケル層上に第3のニッケル層を析出させる工程と
を含む、基材上に金属を電着する方法、より詳しくは、基材上に耐腐食性ニッケル多層を形成する方法であって、
前記溶液が、析出させるべき金属のイオンおよびシリカ粒子を含有し、少なくとも1個のケイ素含有有機成分が前記シリカ粒子に提供され、前記ケイ素含有有機成分が、前記溶液に接触しつつ正電荷を前記シリカ粒子に付与する、アミノ、第四化アンモニウム、第四化ホスホニウムおよび第四化アルソニウムを含む群から選択される少なくとも1個の官能基を含む方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】銅からなる金属層の電解析出のための経済的で簡単な方法を見出す。
【解決手段】高い電流密度の箇所でも一様な光沢性、高い破断伸びと引っ張り強さ並びに一様な層厚分布を備えた微細結晶構造の金属層を、パルス電流乃至パルス電圧法を用いて、電解析出するための方法にして、a)陰極として複雑に形作られた被加工物上に、b)貴金属又は貴金属の酸化物で被覆され不活性で寸法安定な不溶解性陽極を使用して、c)c1)析出されるべき金属のイオン、c2)光沢性、破断伸び及び引っ張り強さの制御のための添加化合物、並びにc3)少なくとも1種の電気化学的に可逆な酸化還元系の化合物であって、その酸化形態によって析出されるべき金属のイオンを、対応する金属部分の分解によって形成するような酸化還元系の化合物、を含有する析出溶液から、上記金属層を電解析出し、c4)上記陽極は、穴を明けられているか、陽極メッシュであるか、エキスパンドメタルの形状である、電解析出方法。 (もっと読む)


特に、ブラインドマイクロビア(BMV)およびトレンチにおいて非常に均一な銅析出を生成させるために、銅を電解析出するための水性酸浴が提供され、前記浴は、少なくとも1種の銅イオン源、少なくとも1種の酸イオン源、少なくとも1種の光沢剤化合物および少なくとも1種のレベラー化合物を含み、少なくとも1種のレベラー化合物は、合成によって製造される非官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化アミノ酸を含む群から選択される。
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非常に薄い銅基材を損傷しないことを確保しながらレジスト被覆、より具体的には光画像形成型レジスト被覆の銅基材への良好な接着性を達成するために、銅基材の処理用非エッチング且つ非レジスト組成物をもたらし、当該組成物は、(i)少なくとも一つのチオール基を含むヘテロ環式化合物と、(ii)一般化学式{N(R)(R)−(CH−N(H)−C(Y)−N(H)−(CH−N(R)(R)−R2nXを有する四級アンモニウムポリマーであって、ここでR、R、R、R、R、Y及びXは請求したように定義される四級アンモニウムポリマーとから成る群から選択された、少なくとも一つの接着剤を含有している。 (もっと読む)


処理剤を用いる製品Lの電解処理用装置は、板形状をした製品の処理をより均一にするために用いられる。この装置は、上記装置内で製品Lを保持するための機械装置40、42と、一つ又は複数の流量装置10であって、各々少なくとも一つのノズル15を有しており且つ製品Lに向かい合った位置に置かれる流量装置10と、一つ又は複数の対向電極30であって、処理剤に不活性であり且つ少なくとも一つの処理表面と平行に置かれる対向電極30と、一方では製品Lと他方では流量装置10及び/又は対向電極30との間において処理表面に対して平行な少なくとも一方向に相対運動を発生するための手段44とを有する。製品Lは処理中処理剤内に浸漬され得る。
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製品Wの表面に渡って均一な流れを確保するために、製品Wの湿式化学処理用に装置が設けられ、上記製品は上記装置内に置かれる。本装置は、各々少なくとも一つのパドル様流量要素155を備える少なくとも一つの流量部材150を有しており、少なくとも一つの流量部材155は、製品Wの表面と向かい合った位置に置かれ、且つ製品Wの表面に実質的に平行に移動可能である。
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