【課題】本発明は、ショットキーダイオード及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のショットキーダイオードは、第一金属層と、半導体層と、第二金属層と、を含む。前記第一金属層及び前記第二金属層は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層に電気的に接続されている。前記第一金属層と、前記半導体層との接合方式は、ショットキー接触である。前記第二金属層と、前記半導体層との接合方式は、オーミック接触である。前記半導体層は、高分子絶縁材料及び該高分子絶縁材料に分散した複数のカーボンナノチューブからなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、培養用基体の使用方法に関する。
【解決手段】本発明の培養用基体の使用方法は、培養用基体を提供し、該培養用基体が基体及び該基体に設置されたカーボンナノチューブ構造体を含み、該カーボンナノチューブ構造体が横一列に間隔を置いて設置された複数のカーボンナノチューブワイヤを含み、隣接するカーボンナノチューブワイヤの間の間隔が培養しようとする神経細胞の神経突起の直径と同じか、又は培養しようとする神経細胞の神経突起の直径より大きい、ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体に極性化表面をもたせるために、該カーボンナノチューブ構造体に対して極性化処理を行うステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の極性化表面に複数の神経細胞を培養し、該複数の神経細胞の神経突起が、前記カーボンナノチューブワイヤの中心軸に沿って成長するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、培養用基体、該培養用基体を応用した移植体及び移植体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の培養用基体は、生物組織を培養することに用いる。該培養用基体は、カーボンナノチューブ構造体を含み、該カーボンナノチューブ構造体の表面が極性化され、極性化表面に形成され、該極性化表面が、培養しようとする生物組織とは異なる電荷極性を有する。また、本発明の移植体は、培養用基体及び生物組織を含み、前記生物組織は、前記カーボンナノチューブ構造体の極性化表面に接着される。本発明の移植体の製造方法は、培養用基体を提供して、該培養用基体がカーボンナノチューブ構造体を含み、該カーボンナノチューブ構造体の表面が極性化処理され、極性化表面を形成するステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の極性化表面に複数の細胞を播種するステップと、生物組織が形成されるまで、複数の前記細胞を培養するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ハイブリッド電源システムに関するものである。
【解決手段】本発明のハイブリッド電源システムは、互いに直列した複数の電力モジュールを含む。各々の前記電力モジュールは、一つの燃料電池ユニット及び一つのリチウムイオン電池ユニットを含み、前記燃料電池ユニットは、互いに直列した少なくとも二つの燃料電池単体を含み、前記リチウムイオン電池ユニットは、一つのリチウムイオン電池単体又は互いに並列した少なくとも二つの前記リチウムイオン電池単体を含み、各々の前記電力モジュールにおいて、前記燃料電池ユニットは、前記リチウムイオン電池ユニットと並列して、前記リチウムイオン電池ユニットを充電する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置される。前記絶縁層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子材料からなる。 （もっと読む）

【課題】欠陥のないエピタキシャル構造体を結晶成長させることができるエピタキシャルベース及びエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、カーボンナノチューブ層１０２とを含み、エピタキシャル層の成長に用いられるエピタキシャルベース１０であって、前記基板１００は、少なくとも一つのパターン化エピタキシャル成長面１０１を有し、前記パターン化エピタキシャル成長面１０１は、複数の溝１０３を含み、前記カーボンナノチューブ層１０２は、前記基板１００のパターン化エピタキシャル成長面１０１に配置され、前記複数の溝１０３に対応する位置では懸架される。前記基板１００のパターン化成長表面１０１にエピタキシャル層を成長させる （もっと読む）

【課題】本発明は、相変化メモリセル及びそれを利用した相変化メモリデバイスに関するものである。
【解決手段】本発明の相変化メモリセルは、書き込み回路及び読み出し回路を含む。前記書き込み回路は、第一電極と、カーボンナノチューブ構造体と、第二電極と、を含む。前記第一電極、前記カーボンナノチューブ構造体及び前記第二電極は、相互に直列接続される。前記書き込み回路は、相変化メモリセルにデータを書き込む。前記読み出し回路は、第三電極と、相変化層と、第四電極と、を含む。前記第三電極、前記相変化層及び前記第四電極は、相互に直列接続される。少なくとも一部の前記相変化層及び少なくとも一部の前記カーボンナノチューブ構造体は、相互に積層して設置される。前記読み出し回路は、前記相変化メモリセルからデータを読み出す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱音響装置の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供するステップＳ１１と、前記金属基材にグラフェン構造体を成長させるステップＳ１２と、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する非金属基材を提供するステップＳ１３と、前記グラフェン構造体の、前記金属基材に隣接する表面とは反対の表面を前記非金属基材の第一表面に隣接させるステップＳ１４と、前記金属基材の少なくとも一部を除去するステップＳ１５と、前記非金属基材をエッチングして少なくとも一つのスルーホールを形成し、前記グラフェン構造体の一部を該スルーホールに対して暴露させるステップＳ１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、化学気相成長法で前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、高分子材料層を前記グラフェン構造体の、前記金属基材に隣接する表面とは反対の表面に被覆する第三ステップと、前記金属基材をエッチングして、複数の帯状電極に形成し、基材−グラフェン−高分子材料複合構造体になる第四ステップと、カーボンナノチューブ構造体を前記高分子材料層の、前記グラフェン構造体に隣接する表面とは反対の表面に被覆する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）