【課題】本発明は、グラフェン複合構造体の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法は、第一の表面及び該第一の表面に対向する第二の表面を有する基材を提供する第一ステップと、グラフェン構造体を提供して、該グラフェン構造体を前記基材の第一の表面に形成又は設置する第二ステップと、少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体を提供して、前記グラフェン構造体の、前記基材に隣接する表面とは反対の表面に前記カーボンナノチューブ構造体を隣接させて、前記グラフェン構造体を前記基材と前記カーボンナノチューブ構造体との間に設置して、基材−グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体を形成する第三ステップと、前記基材を除去し、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体を形成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン導電膜の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、自立構造を有するカーボンナノチューブ構造体を提供して、前記グラフェン構造体の、前記基材に隣接する表面とは反対の表面に前記カーボンナノチューブ構造体を隣接させ、基材−グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体を形成する第三ステップと、前記基材の少なくとも一部を除去し、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体を形成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】迅速かつ有効的に画像ピクセルの顕著性値を分析して、画像における重要物体領域を均一的に表現する。
【解決手段】本発明は、領域のコントラストに基づいて画像の視覚的顕著性を検出する画像処理方法と画像処理装置に関するものである。当該方法は、自動分割アルゴリズムを用いて入力画像を複数の領域に分割する分割ステップと、前記複数の領域のうちの一つの領域とその他の領域との色、の差分の重み付き和を利用して、当該領域の顕著性値を算出する算出ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶を成長させるための結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面に、カーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、前記基板の前記結晶面に、第一半導体層、活性層、及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、前記第二半導体層及び前記活性層の一部をエッチングして、前記第一半導体層の表面の一部を露出させる第三ステップと、前記第一半導体層の表面に、第一電極を設置し、前記第二半導体層の表面には第二電極を設置する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した光取り出し効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０及び第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層及び第二半導体層が、第一電極から離れる方向に沿って、基板に順に積層して設置され、第一半導体層が、第一電極に接続され、第二電極が、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の第一電極と隣接する表面が、複数の溝を含むパターン化表面１２２であり、第一半導体層のパターン化表面が、第一電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶成長のための結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面に、バッファ層を成長させる第二ステップと、前記バッファ層の表面にカーボンナノチューブ層を設置する第三ステップと、前記バッファ層の表面に、第一半導体層、活性層及び第二半導体層を順に成長させる第四ステップと、前記第二半導体層の表面に、第二電極を形成する第五ステップと、前記基板を除去する第六ステップと、前記第一半導体層の表面に、第一電極を設置する第七ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の製造方法は、結晶成長のための結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、基板の結晶面に第一カーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、基板の結晶面に第一半導体層、活性層、及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、第二半導体層の表面に第二カーボンナノチューブ層を設置する第四ステップと、第二半導体層の表面に第三半導体層を成長させる第五ステップであって、第三半導体層は複数の溝によって互いに間隔を開けて成長された結晶粒を含む第五ステップと、第一及び第二カーボンナノチューブ層を除去する第六ステップと、第三半導体層、第二半導体層、及び活性層の一部をエッチングして、第一半導体層の一部の表面を露出させる第七ステップと、第一半導体層の表面に第一電極、第二半導体層の表面に第二電極を設置する第八ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードに関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、カーボンナノチューブ層と、を含む。前記第一半導体層、前記活性層、及び前記第二半導体層が、前記基板から離れる方向に沿って、前記基板に順次的に積層され、前記第一電極が、前記第一半導体層に電気的に接続され、前記第二電極が、前記第二半導体層に電気的に接続され、前記カーボンナノチューブ層が、前記第一半導体層の内に配置され、且つ前記カーボンナノチューブ層の一部が前記第一半導体層の外部に露出され、前記第一電極が、前記カーボンナノチューブ層の前記第一半導体層の外部に露出された部分に接続される。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０と、第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層１０２である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 （もっと読む）