説明

ツィンファ ユニバーシティにより出願された特許

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【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶を成長させるための結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面に、カーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、前記基板の前記結晶面に、第一半導体層、活性層、及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、前記第二半導体層及び前記活性層の一部をエッチングして、前記第一半導体層の表面の一部を露出させる第三ステップと、前記第一半導体層の表面に、第一電極を設置し、前記第二半導体層の表面には第二電極を設置する第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャル構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板のエピタキシャル成長面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に対して垂直する方向にエピタキシャル成長させ、前記カーボンナノチューブ層のカーボンナノチューブによって間隔された複数のエピタキシャル結晶粒からなる非連続なエピタキシャル層を形成する第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層を除去する第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にグラフェンを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、基板と、音波発生器と、発熱器と、を含む。前記基板は、少なくも一つの線状カーボンナノチューブ構造体及び該線状カーボンナノチューブ構造体の表面に被覆された絶縁層からなる。前記音波発生器は、前記基板の一つの表面に設置され、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、積み重なって設置された少なくとも一つのグラフェン構造体及び少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体からなる。前記発熱器は、前記音波発生器にエネルギーを提供し、前記音波発生器から熱を発生させる。 (もっと読む)


【課題】グラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなる。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数の微孔を有し、分子間力で長軸方向の端と端が接続された複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブ構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と前記複数の微孔の面積との比は1:1000〜1:10である。前記グラフェン構造体は、前記複数の微孔を被覆する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にグラフェンを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、音波発生器と、発熱器と、を含む。前記発熱器は、前記音波発生器の一つの表面に設置される。前記音波発生器は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなり、前記グラフェン構造体が前記カーボンナノチューブ構造体に被覆される。前記カーボンナノチューブ複合構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と複数の微孔の面積との比が1:1000〜1:10である。前記発熱器は、前記音波発生器にエネルギーを提供し、前記音波発生器から熱を発生させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にカーボンナノチューブを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、基板と、音波発生器と、発熱器と、を含み、前記基板は、カーボンナノチューブ複合構造体からなり、前記カーボンナノチューブ複合構造体は、カーボンナノチューブ構造体及びカーボンナノチューブ構造体の表面に被覆された絶縁層からなり、前記音波発生器は、前記基板の一つの表面に設置され、グラフェン構造体からなり、前記発熱器は、前記音波発生器にエネルギーを提供し、前記音波発生器に熱を発生させる。また、本発明は、前記熱音響装置を利用した電子デバイスも提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャル構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板の結晶面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第三ステップと、前記基板及び前記カーボンナノチューブ層を除去する第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にカーボンナノチューブを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、基板と、発熱器と、複数の音波発生器と、を含む。前記複数の音波発生器は、前記基板の少なくとも一つの表面に設置され、少なくとも一つの前記音波発生器は、グラフェン構造体からなり、前記発熱器は、前記複数の音波発生器にエネルギーを提供し、前記複数の音波発生器に熱を発生させる。また、前記熱音響装置を利用した電子デバイスも提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


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