ツィンファ ユニバーシティにより出願された特許

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【課題】本発明は、太陽光の吸収率が高く且つ光電変換効率が高い太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、順に配列し且つ互いに接触する第一電極と、P型シリコン層と、N型シリコン層と、第二電極と、反射素子と、を含む。第一電極とP型シリコン層とN型シリコン層と第二電極とが一つの直線上に設置されて全体構造を有する一つの電池ユニットを形成し、該電池ユニットは、前記直線に平行し、互いに対向する第一表面及び第二表面を含み、前記第一表面は、太陽電池の太陽光を直接的に吸収する光入射面であり、前記反射素子は、前記第二表面に設置される。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを利用したエネルギー転換効率の高い線熱源を提供する。
【解決手段】線熱源は、線状の支持体202と、前記線状の支持体202に設置された加熱素子204と、前記加熱素子204と電気的に接続された二つの電極206と、を含み、前記二つの電極206の少なくとも一つの電極206が、複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ構造体であり、前記加熱素子204は、同じ方向に沿って配列され、端と端が分子間力で接続されている複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブフィルムである。 (もっと読む)


【課題】太陽光を受け取る面積が大きく、且つ太陽光の吸収率が高い太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、背面電極と、シリコン基板と、ドープシリコン層と、前面電極と、を含む。前記シリコン基板は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を含み、前記シリコン基板の前記第二表面には、複数の三次元ナノ構造体が形成され、前記背面電極は、前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触し、前記ドープシリコン層は、前記シリコン基板の第二表面に形成され、前記前面電極は、前記ドープシリコン層の少なくとも一部に形成される。 (もっと読む)


【課題】複雑な構造で、高精確性を有し、且つ生産コストが低い三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイの製造方法は、基板を提供する第一ステップと、前記基板の表面にマスク層を設置する第二ステップと、前記マスク層を加工して、前記マスク層の表面に、並列した複数のストリップ状の突部構造を形成し、隣接する該ストリップ状の突部構造の間に、凹溝を形成させる第三ステップと、前記マスク層をエッチングして、前記凹溝と対応する領域における前記基板の表面を露出させる第四ステップと、エッチングによって、前記隣接するストリップ状の突部構造を二つずつ互いに接近させて、更に接触させ、三次元ナノ構造体予備成形物を形成する第五ステップと、前記マスク層を取り除き、三次元ナノ構造体アレイを形成する第六ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】複雑な構造で、高精確性を有し、且つ生産コストが低い三次元ナノ構造体アレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の三次元ナノ構造体アレイは基板と複数の三次元ナノ構造体と、を含む。前記複数の三次元ナノ構造体は、アレイ形式によって、基板の少なくとも一つの表面に設置され、前記三次元ナノ構造体は、第一突部と第二突部を含み、前記第一突部と第二突部とは接触して並列し、隣接する前記第一突部と第二突部との間には、第一溝が形成され、隣接する前記三次元ナノ構造体の間には、第二溝が形成され、前記第二溝の深度は第一溝より深い。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光出射率が高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、複数の三次元ナノ構造体と、第一電極及び第二電極と、を含む。前記複数の三次元ナノ構造体は、前記基板の表面に、一次元アレイの形式によって設置され、前記三次元ナノ構造体は、第一突部と第二突部を含み、前記第一突部と前記第二突部とは互いに並列して、同じ方向で延伸し、三次元ナノ構造体の前記第一突部と前記第二突部との間には、第一溝が形成され、隣接する三次元ナノ構造体の間には、第二溝が形成され、前記第二溝の深度は前記第一溝より深い。 (もっと読む)


【課題】光出射率が高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード10は、基板100と、第一半導体層110と、第二半導体層130と、活性層120と、複数の三次元ナノ構造体140と、第一電極150及び第二電極160と、を含む。第二半導体層の活性層に隣接する表面と反対側の表面は、発光ダイオードの光出射面であり、複数の三次元ナノ構造体は、発光ダイオードの光出射面に、一次元アレイの形式によって設置され、各々の三次元ナノ構造体は、第一突部と第二突部とを含み、第一突部と第二突部とは同じ延伸規則によって延伸し、三次元ナノ構造体の第一突部と第二突部との間には、第一溝が形成され、隣接する二つの三次元ナノ構造体の間には、第二溝が形成され、第二溝の深度は第一溝より深い。 (もっと読む)


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