誘電窓を導電性の付着物から保護するための改良されたバッフルが、高密度プラズマ装置において提供される。 このバッフルは、導電性のブリッジで寸断される溝部の切込みを有する中央部の円形状の部材を備えている。 前記溝部の間で本体に形成されたリブは、穿設された冷却液通路区域を備えており、前記バッフルの周辺の環状部材に形成された相互接続通路部によって直列的に接続されており、前記バッフルの周辺の前記環状部材に、前記入口から前記出口への連続する蛇行状の冷却液流路が形成される。
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本発明においては、半導体ウェハ処理装置（１０）の真空処理チャンバ（１１）内において、ラジオ波周波数（ＲＦ）によってバイアスされたウェハ支持電極（２４）に隣接して配置された永久磁石アセンブリ（３０）を使用することによって、磁気的に増強されたプラズマが形成される。ウェハ支持体には、被処理ウェハ（１５）の周縁のところに、環状周縁領域（２４ｂ）が、設けられている。複数の磁石リング（３３，３４，３５）を使用した磁石構成によって、周縁領域のところに磁気トンネルが形成され、この磁気トンネルのところにおいてプラズマが形成される。よって、プラズマは、ウェハからは離間している。磁界は、環状周縁領域のところにおいて、基板支持体の表面に対して平行な成分を有しているものの、ウェハからは、全体的に離間している。
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プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
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本発明においては、処理システム内において使用し得るよう、様々な構成を有した適応可能な処理部材（５０，１５０〜１５６）を提供する。処理部材は、主要部材（１８２，２００，２０２，２３０）と、少なくとも１つの着脱可能部材（１８４，２０８，２３２）と、を備えている。着脱可能部材は、ある構成においては、取り付けたままで保持することができ、他の構成においては、取り外すことができる。着脱可能部材は、右側に配置されたあるいは左側に配置されたパンチアウト（２１０，２１４，２１６）を有することができる。これにより、処理チャンバのガス供給ラインが右側に配置されていてもまた左側に配置されていても、適応することができる。加えて、着脱可能部材を保持したままとしたりまたは取り外したりすることにより、様々なサイズの処理チャンバに対して適応することができる。このような処理部材の製造方法も、また、提供される。
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半導体ウェーハ処理装置（１０）のチャンバ（１６）と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのＩＣＰ電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で２０％から８０％の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Ｓｉ及びＳｉＯ_２汚染物質又はＣＦｘ汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト（４６）から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。

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