【課題】車両の運転過程においてドライバーの運転行為を分析し、ドライバーのそのときの運転行為に対して警告を与える、運転行為分析警告システムを開発すること。
【解決手段】本発明の運転行為分析警告システムは車両の走行過程に用い、ドライバーの運転行為を検出し、且つ前記運転行為に対応する警告信号を提供し、そのうち前記分析警告システムがデータ収集ユニットにより前記車両の外部及び（または）内部の走行データを取得し、内部にアルゴリズムが組み込まれた分析モジュールで分析・演算を行って安全運転信号を生成し、出力ユニットにより出力して前記ドライバーに前記ドライバー自身の前記運転行為が正常運転または異常運転の状態にあるか判断させ、危険運転による傷害を回避することができる。このほか、本発明は同時に運転行為の分析・警告方法も提出する。 （もっと読む）

【課題】本発明はユーザーフィードバック情報に基づく電気器具検出方法とシステム、特に、ユーザーフィードバック情報と共同意思決定検索演算法に基づいた非侵入式負荷検出方法とシステムを提供する。
【解決手段】本発明のユーザーフィードバック情報に基づく電気器具検出方法とシステムは、電気器具の各種負荷特徴値を用い、ユーザーの入力或いは電気器具検索結果の確認によって、電気器具と各種電気器具消費電力特徴値の対応関係を生じさせる手順と、フィードバック情報をスマートメーター或いはクラウドシステム内に記載する手順と、数学の分析によって電気器具のいずれかの特徴値が出現する比率及び各特徴値の識別率を計算する手順と、共同意思決定方法によって各種電気器具の種類を自動判別し、家の中の電気器具の使用状況を分析する手順と、からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明はホログラフィックデータストレージに用いる画像位置決め方法を提供する。
【解決手段】本発明は、参照グレースケールフレームを利用し、受信したグレースケール画像上でグレースケールフレームの大きさと同じ領域画像をキャプチャしてキャプチャ画像とし、参照グレースケールフレームとキャプチャ画像の領域比較を行い複数数値を得ることで二次元オリジナルマトリクスを作成し、ゼロより小さい数値をゼロとし、二次元オリジナルマトリクスを二次元マトリクスに変換する。次元の大きさと参照グレースケールフレームがキャプチャマトリクスおよび二次元マトリクスより小さいまたは等しいことを利用して位置決めマトリクスを取得し、これに基づき二次元マトリクスの中心領域で見つけた最大の数値を位置決め値とし、位置決め値を利用してグレースケール画像上に対応する位置を見つけ位置決め点位置とすることで、歪んだまたはピンぼけのグレースケール画像を再生する。 （もっと読む）

【課題】スタックエラーを測定することのできる三次元集積回路を提供する。
【解決手段】三次元集積回路１００は、第１ウェハ１１０および第２ウェハ１２０を含む。第１ウェハ１１０は、第１導電パターン１１２を含む。第２ウェハ１２０は、第２導電パターン１２２を含み、第１導電パターン１１２に電気接続される。第１ウェハ１１０と第２ウェハ１２０の間の変位は、第１導電パターン１１２と第２導電パターン１２２の抵抗に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】 フィルタリングアンテナはフィルタをアンテナに整合すると同時に、余計な回路面積を増加する場合が多く、アンテナの小型化にとって不利となっているため、小型化及び良好なフィルタリング効果を達成するように、２ステージフィルタリングアンテナをいかに設計するかということは、この業界で至急の課題となっている。
【解決手段】 アンテナ部は、結合線路共振器に直接に接続される。結合線路共振器は、アンテナ部と合わせて、フィルタリング作用を提供するものであり、ショートスタブ回路と、オープンスタブ回路と、を含む。ショートスタブ回路は、開路端と、接地した短絡端と、を包含する。オープンスタブ回路は、隙間を介してショートスタブ回路に平行し、信号フィードポイントに接続され、ショートスタブ回路の開路端に対応するようにショートスタブ回路に結合される第１の端と、第２の端と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法の提供。
【解決手段】本シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法は、半導体産業において半導体装置製造に用いられる。本発明によると、ＵＨＶＣＶＤシステムを使用してGeフィルムをSi基板上に成長させ、その後、高電子移動度トランジスタを該Geフィルム上に成長させることで、バッファ層の厚さとコストを低減する。該Geフィルムの機能は、Si基板上にＭＯＣＶＤによりIII-Ｖ ＭＨＥＭＴ構造を成長させるときに、シリコン酸化物の形成を防止することである。本発明においてＭＨＥＭＴを使用する理由は、ＭＨＥＭＴ構造中の変成バッファ層がGeとSi基板間の非常に大きな格子不整合度のために形成される貫通転位をブロックし得ることにある。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板１を提供する工程と、前記成長基板１に複数の溝１ａを形成する工程と、前記成長基板１に半導体素子層２を形成する工程と、前記成長基板１から前記半導体素子層２を分離するように、前記成長基板１及び前記半導体素子層２の温度を変更する工程と、を備えている。成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らし、ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。 （もっと読む）

【課題】バッテリレス電子タイマに適用される半導体デバイス、及びその動作方法とアプリケーション回路を提供する。
【解決手段】半導体デバイス６００は、第１導電型半導体基板と、ゲート誘電層と、フローティングゲート６０６と、第２導電型ウェル６０８と、第１導電型ウェル６１０と、第２導電型ソース拡散層６１２と、第２導電型ドレイン拡散層６１４と、第２導電型制御ゲート拡散層６１６と、を含む。制御ゲート拡散層６１６、ソース拡散層６１２及びドレイン６１４の間の漏れ電流が二重のウェル領域上に印加されるバイアスを調節することにより減少される。 （もっと読む）

【課題】銅を回路層に用いても、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系の半導体材料でできている本体２１および少なくとも１つの電極構造物２３を含む。電極構造物２３は、本体２１に形成されるオーミック接触層２３１、本体２１の反対側のオーミック接触層２３１上に形成されるバッファ層２３２、および、銅系の材料でできており、オーミック接触層２３１の反対側のバッファ層２３２に形成される回路層２３３を含む。オーミック接触層２３１は、チタン、アルミニウム、ニッケルおよびそれらの合金から選択される材料でできている。バッファ層２３２は、オーミック接触層２３１の材料とは異なっており、かつ、チタン、タングステン、窒化チタン、タングステン窒化およびそれらの組み合わせから選択される材料でできている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱可能なだけでなく、電気通信上の接続を有し、高密度でマルチファンクションな応用を達成できる集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明が開示する集積回路と発光ダイオードを備えた異種集積構造及びその製造方法はまず、集積回路と発光ダイオードを提供する。集積回路の表面には少なくとも１つの第一導電ブロックと少なくとも１つの第一接合ブロックを設けて、第一導電ブロックと電気的接続する。発光ダイオードは相異なる両側の第一面と第二面を有し、第一面は少なくとも１つの第二導電ブロックと少なくとも１つの第二接合ブロックを設けて、第二導電ブロックと電気的接続する。そして、集積回路は、第一導電ブロックと第一接合ブロックをそれぞれ第二導電ブロックと第二接合ブロックに対応させて接合することで、発光ダイオードと相互結合するとともに、第一導電ブロックと第二導電ブロックを電気的接続して、製造は完成する。 （もっと読む）