【課題】半導体基板を洗浄する方法および装置の提供。
【解決手段】基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ加工装置用のチャックは、温度制御式ベースと、断熱材と、フラット支持体と、加熱器とを含む。温度制御式ベースは、操作中、加工物の望ましい温度以下の温度に制御される。断熱材は、温度制御式ベースの少なくとも一部分に上に配置される。フラット支持体は、加工物を保持し且つ断熱材の上に配置される。加熱器は、フラット支持体内に埋め込まれ及び又はフラット支持体の下側に取り付けられる。加熱器は、複数の対応する加熱ゾーンを加熱する複数の加熱素子を含む。各加熱素子に供給される電力及び又は各々の加熱素子の温度は、独立に制御される。加熱器及びフラット支持体は、毎秒少なくとも１℃の組合せ温度割合変化を有する。 （もっと読む）

【課題】所定のプラズマプロセスが処理基板に創り出す処理表面プロファイルを予測するための方法を提供する。
【解決手段】入力変数のそれぞれの試験値を選択し（２００）、プラズマをモデル化し（２１０）、２１０の結果及び２００で与えられた基板パラメータを利用して、基板表面プロファイルの試験プロセスの結果を概略予測し（２２０）、入力変数と未知の係数に関して表面プロファイルモデルの初期値を与え（２３０）、試験表面プロファイルとプロファイル予測概略値との間の相異の指示を生成し、相異の指示を最小化する未知の係数のそれぞれの最適値を生成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程の制御可能性を改善したエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハをエッチングするエッチング処理装置は、該ウエハを保持するチャックと、該ウエハの温度を知らせる温度センサとを含む。チャックは、温度制御システムによって制御されるヒータを含む。温度センサは、温度制御システムに作動的に結合されて、チャックの温度を選択可能な設定温度で維持する。第１の設定温度及び第２の設定温度を選択する。ウエハをチャック上に配置し、第１の設定温度に設定する。次に、ウエハを、第１の設定温度で第１の時間だけ処理し、第２の設定温度で第２の時間だけ処理する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ処理チャンバの一貫性した結果を保持するために、チャンバ・ハードウェア部品の正しいアセンブリを確認しかつチャンバ・プラズマ処理システムを故障診断修理するために高速かつ正確な方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、チャンバ、ＲＦ電源、及び整合ネットワークを有しているプラズマ処理システムを試験する。ＲＦ電力信号は、チャンバ内のプラズマを点火することなくＲＦ電源からチャンバに生成される。チャンバで受け取った、ＲＦ電力信号の電圧、ＲＦ電力信号の電流、及びＲＦ電力信号の位相が測定され、同時にチャンバ係数に影響を及ぼすその他のパラメータが保持される。チャンバのインピーダンスを表す値は、電圧、電流、及び位相に基づき計算される。次いで、値は、プラズマ処理システムにおける欠陥を決定するために基準値と比較される。基準値は、欠陥なしチャンバのインピーダンスを表す。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上でのプラズマ放電の均一性を改善する方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置（２００）は、第１の電極（２０８）、第２の電極（２０２）、閉じ込めリング（２１６）、合焦リング（２１８）、及びシールド（２２０）を囲むチャンバを有する。第１の電極は、一定電位の源に結合される。第２の電極は、二重周波数ＲＦ電源（２０６）に結合される。閉じ込めリングは、第１の電極と第２の電極との間に配設される。チャンバは、源に結合された導電性材料で形成される。合焦リングは、実質的に、第２の電極を取り囲み、該第２の電極を電気的に絶縁する。シールドは、実質的に、合焦リングを取り囲む。第２の電極の縁とシールドの縁との間の距離は、少なくとも、該第２の電極の縁と第１の電極の縁との間の距離より少ない。シールドは、一定電位の源に結合された導電性材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】大きいプラズマ熱流束を要せずに、リアクティブ・イオンエッチングの間に半導体ウェーハの温度を制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】温度制御型ベース（３０２）と、断熱材（３０４）と、平支持体（３０６）と、ヒータ（３０８）とを有するプラズマ加工機のチャック。温度制御型ベースは、ワーク（３１０）の所望温度以下の温度を有する。温度制御型ベース上には断熱材が配置される。断熱材上には平支持体が配置され、該平支持体はワークを保持する。ヒータは、平支持体内に埋設されおよび／または平支持体の下面上に配置される。ヒータは、複数の対応加熱ゾーンを加熱する複数の加熱要素を有している。各加熱要素に供給される電力および／または各加熱要素の温度は独立的に制御される。 （もっと読む）

処理チャンバの中で基板のはす縁をエッチングするための方法を提供する。該方法は、基板の中心領域より上側で画定される処理チャンバの中心領域に、不活性ガスを流し込むステップと、基板のエッジ領域の上に不活性ガスおよび処理ガスの混合物をエッジ領域流すステップとを含む。該方法は、エッジ領域でプラズマを発生させるステップをさらに含み、不活性ガス流および混合物流は、処理ガスの質量分率を実質的に一定に維持する。基板のはす縁を洗浄するように構成される処理チャンバも提供する。
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本明細書では無電解銅めっき溶液を開示する。この溶液は、水性銅塩成分と、水性コバルト塩成分と、ポリアミン系錯化剤と、化学光沢剤成分と、ハロゲン化物成分と、この無電解銅めっき溶液を酸性にするのに十分な量のｐＨ調整物質とを含む。また、無電解銅溶液を調製する方法も提供する。水性銅塩成分は、硫酸銅（ＩＩ）、硝酸銅（ＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、テトラフルオロホウ酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、エチレンジアミン硫酸銅（ＩＩ）、ビス（エチレンジアミン）硫酸銅（ＩＩ）、およびジエチレンアミン硝酸銅（ＩＩ）からなる群から選択され得る。
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プラズマエッチングチャンバの他のコンポーネントのエロージョンを最小限に留めながら、プラズマ閉じ込めリングから迅速にポリマーフィルムを除去するために使用される装置が開示される。装置は、センターアセンブリと、電極板と、閉じ込めリングスタックと、第１のプラズマ源と、第２のプラズマ源とを含む。電極板は、その外周に沿ってチャネルが画定されているセンターアセンブリの表面に貼付される。チャネル内に、センターアセンブリの外周に沿って第１のプラズマ源が配置され、第１のプラズマ源は、閉じ込めリングスタックの内周表面にプラズマを向けるように構成される。第１のプラズマ源から離れて位置する第２のプラズマ源は、エッチングチャンバ内の基板に対する処理作業を実施するように構成される。
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