【課題】高いQ・f値と低いε_rを持つマイクロ波誘電体磁器組成物を低い焼成温度により提供する。
【解決手段】xMgO-(1-ｘ)B₂O₃（0.75≦ｘ≦0.99）の一般式で示され、400,000GHz以上のQ・f値を示すMgO多結晶体であるマイクロ波誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】縮合反応を良好に進行させると共に、縮合反応の終了後にはフルオラス縮合剤に由来するフッ素成分を粗反応物から簡易に分離できる方法を提供する。
【解決手段】N-アルキル-2-ハロピリジニウム塩におけるアルキル基をパーフルオロ炭化水素基に置換してなる化合物であって、前記パーフルオロ炭化水素基中のフッ素量が前記化合物の分子量の４０〜６０重量％を占めるものであるフルオラス縮合剤。 （もっと読む）

【課題】内装工事に際して内装材の表面側からの走査により下地の位置を精度良く検出する。
【解決手段】
本発明の下地センサ３０は、中間部がピン３１を支点として揺動自在に軸支されたアーム３２と、アームの先端に装着された磁石３３と、アームの基端部を臨む位置に配置されたロードセル３４からなる。本発明の下地検出機構２０は２組の下地センサ３０を基台としてのベースプレート２１に旋回可能に並設し、それぞれの旋回角度を角度センサにより検出する。本発明の内装工事用ロボットは、上記の下地検出機構２０により下地の位置と方向を検出しつつ下地に倣うように制御して内装工事を自律的に実施する。 （もっと読む）

【課題】既存天井の解体に際して軽量鉄骨下地をそのまま残して天井ボードのみを効率的に解体撤去する。
【解決手段】解体対象の既存天井の下方からウォータージェットにより天井ボード４を切断するとともに切断物を軽量鉄骨下地３から切り離して撤去する。天井ボードを横方向の切断線Ｃ１と縦方向の切断線Ｃ２により縦横に切断するとともに、縦方向の切断線Ｃ２を軽量鉄骨下地の直下の位置に設定して、天井ボードをネジ７の近傍位置で切断すると同時に切断物をネジから切り離し可能とする。あるいは縦方向の切断線Ｃ２を軽量鉄骨下地の相互間に設定するとともにネジの周囲に穿孔を形成して切り離す。横方向の切断を先行する。自律的に作動する解体ロボットを使用して軽量鉄骨下地の位置を検出し、天井ボードの切断位置や切り離し位置を設定し、それに基づいて解体作業を自動的に実施する。 （もっと読む）

【課題】大きな面積及び厚さを有する単結晶窒化アルミニウム板状体が、大きな速度で形成できる製造方法を提供する。
【解決手段】希土類元素及びアルカリ土類金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素とアルミニウムとを含む複合酸化物又は複合酸窒化物と、窒化アルミニウムと、を含んでなる原料又は複合酸化物或いは複合酸窒化物の原料物質（但し、窒化アルミニウムを除く）と、窒化アルミニウムと、を含んでなる原料を準備し、原料の近傍に、突起２４、２６が形成された無機単結晶基板２２を配置する準備工程、及び１０〜１００００Ｐａの非酸化性ガス雰囲気中で、原料及び無機単結晶基板２２を加熱し、原料の温度を１６００〜２０００℃とすると共に無機単結晶基板２２の温度を１５８０℃以上であって原料より低い温度として、突起２４、２６の上に単結晶窒化アルミニウムからなる板状体２８を形成する単結晶窒化アルミニウム形成工程からなる。 （もっと読む）

【課題】転がり接触又はすべり接触が生じる接触面に供給される潤滑油が少量であっても、均一な油膜が形成され、摩擦係数小さくかつ均一である接触面を有する転がり摺動部材を提供する。
【解決手段】転がり摺動部材としての外輪１、内輪２及び転動体３を備える転がり軸受において、それぞれの転がり接触面である、外側軌道面１１、内側軌道面２１及び転走面３１のうちの少なくとも１つに、多数の微細な凹部５を形成し、前記凹部５の内面に撥油剤６を付着させた。 （もっと読む）

【課題】結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 （もっと読む）

【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長のバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微細デインプルを形成するため、極微小粒子を安定して広範囲に分散させて投射することが可能なショットピーニング装置を提供する。
【解決手段】投射粒子Ｐを収容する粒子収容タンク２と、粒子収容タンクと連通し、投射粒子を被加工物１４に投射するためのノズル１２とを備え、投射粒子の粒径より大きい粒径を有する混入粒子Ｍが、粒子収容タンクに収容され、混入粒子を通さないようフィルター５を経由して投射粒子を投射する。 （もっと読む）

【課題】内蔵電界などの生成を抑制すべくｃ軸以外の方位、例えば反転対称性を有する結晶方位などへ配向した、Al_xGa_1-x-yIn_yN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】ｃ軸より８°以上傾斜した方位に配向させ、AlxGa1-x-yInyN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含み、かつＢを１原子％未満で含有させる。 （もっと読む）