【課題】スパイラルピットが少なく、表面の平坦性に優れるＳｉＣ基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体層を形成する主面が、平坦なテラスと段差とからなるステップテラス構造を有する炭化ケイ素基板の製造方法であって、原料基板の主面の面方位を（０００１）面から０．０３°〜１°傾斜させ、１２５０℃〜１７００℃で水素ガスエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】優れた性能を有するＳｉＣ単結晶とそのエピタキシャル成長方法を提供する。かかるＳｉＣエピタキシャル単結晶を用いて作製された、ウエーハと半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の面を、（０００１）面から５．７４度±１度以内または２．８６度±０．７度以内のオフ角に設定して、前記ＳｉＣの基板上にＳｉＣの結晶をエピタキシャル成長させる工程を有しているＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．５度以内または２．８６度±０．５度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。前記オフ角が、（０００１）面から５．７４度±０．３度以内または２．８６度±０．３度以内であるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。ＳｉＣ基板が、ＳｉＣ基板上に改良レーリー法により堆積されたＳｉＣ結晶から作製されたものであるＳｉＣエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 大口径で高品質のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られたＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣウエハを提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ基板１の周縁領域１５の一部を切除または溝切りする工程と、切除または溝切り後の基板を種基板としてこの種基板の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させる工程とを含むＳｉＣ単結晶の製造方法である。また、このＳｉＣ単結晶の製造方法により得られたＳｉＣ単結晶からなり、小傾角粒界の数が１０本以下であるＳｉＣウエハである。 （もっと読む）

【課題】 安定して製造することができる高抵抗率のＳｉＣ単結晶とこのＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】 タングステン、ニオブおよびモリブデンの群から選択された少なくとも１種類の金属を含有するＳｉＣ単結晶である。ここで、ＳｉＣ単結晶中におけるこれらの金属の含有量が１×１０¹⁴個／ｃｍ³以上１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であることが好ましい。さらに、このＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板である。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶とＳｉＣ基板を提供し、高抵抗率を示すＳｉＣ単結晶を安定して製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 アクセプタとしての機能を有する第１ドーパントと、ドナーとしての機能を有する第２ドーパントとを含むＳｉＣ単結晶であって、第１ドーパントの含有量が５×１０¹⁵個／ｃｍ³以上であり、第２ドーパントの含有量が５×１０¹⁵個／ｃｍ³以上であって、第１ドーパントの含有量が第２ドーパントの含有量よりも多いＳｉＣ単結晶である。炭素と珪素とを含む材料中に金属ホウ化物を混合して原料を作製する工程と、原料を気化させる工程と、炭素と珪素とホウ素と窒素とを含む混合ガスを生成する工程と、混合ガスを種結晶基板の表面上で再結晶させてホウ素と窒素とを含む炭化珪素単結晶を種結晶基板の表面上に成長させる工程とを含む、炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ結晶中における結晶欠陥の増加を抑制しつつ、ＳｉＣ結晶上への絶縁膜形成速度を改善した絶縁膜形成方法と、この方法を用いて形成された絶縁膜を含むＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ結晶１上への絶縁膜の形成方法であって、ＳｉＣ結晶１上にＳｉ膜２を形成する工程と、Ｓｉ膜２を酸化または窒化することによりＳｉを含む絶縁膜を形成する工程と、を含む絶縁膜の形成方法である。また、この絶縁膜形成方法を用いた炭化珪素半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 効率的に高抵抗率のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造方法とその方法により得られた高抵抗率のＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】 シリコンを含む材料と炭素を含む材料とから炭化珪素単結晶を製造する炭化珪素単結晶の製造方法であって、シリコンを含む材料および炭素を含む材料の少なくとも一方に遷移金属を添加する工程と、シリコンを含む材料および炭素を含む材料を加熱してシリコンと炭素とを含むガスを生成する工程と、シリコンと炭素とを再結晶させる工程とを含む炭化珪素単結晶の製造方法である。また、この製造方法により得られたＳｉＣ単結晶を所定の厚みに切断して得られたＳｉＣ基板である。 （もっと読む）

【課題】表面にステップバンチングがないエピタキシャルＳｉＣ膜を提供すること。さらにその膜を用いてリーク電流が低く、ＭＯＳ界面の移動度が高いデバイスを提供すること。
【解決手段】 六方晶系結晶構造を有するＳｉＣ基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルＳｉＣ膜であって、前記ＳｉＣ基板のオフカット面が、（０００１）面から０．５°以上１０°以下のオフカット角度を有し、前記オフカット面の結晶方向が、前記ＳｉＣ基板の１２種の等価な＜２１−３０＞方向（［２１−３０］、［−２−１３０］、［２−３１０］、［−２３−１０］、［１２−３０］、［−１−２３０］、［１−３２０］、［−１３−２０］、［−３１２０］、［３−１−２０］、［−３２１０］および［３−２−１０］方向）のいずれかの方向から±７．５°以下のうちの１方向を向いていることを特徴とするエピタキシャルＳｉＣ膜。 （もっと読む）

【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＳｉＣ半導体１のイオン注入層２は、４Ｈ型ＳｉＣの｛０３−３８｝面から１０°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 （もっと読む）