【課題】本発明は、メモリ用途のセレクタデバイスに関する。
【解決手段】本発明に係るセレクタデバイスは、ＭＩＴ素子およびこれに熱的に連動する分割ヒータを備えたメモリアレイ内のメモリ素子を選択するためのセレクタデバイスであって、ＭＩＴ素子は、ＭＩＴ材料構成要素とバリア構成要素とを有し、分割ヒータを用いて相転移温度より高い温度に加熱されることにより、高抵抗状態から低抵抗状態に切り換え可能であり、バリア構成要素は、高抵抗状態にあるＭＩＴ素子の抵抗値を大きくするように構成されたことを特徴とするものである。セレクタデバイス。 （もっと読む）

【課題】第１、第２ゲートを有するトンネルトランジスタで、第１、第２のゲート間の電圧の差がより小さい場合にしようできるトンネルトランジスタを提供する。
【解決手段】ドレイン２、ソース４およびドレイン２とソース４との間で電流を制御するための少なくとも第１ゲート６とを含み、第１および第２のゲート誘電体材料７、１１の第１側９、１３が、それぞれ第１および第２の半導体部分１４、１５に実質的に沿って、実質的に接続して配置されたトンネルトランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】断熱構造を持つマイクロ流体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板内の少なくとも１つのマイクロリアクタ１０５と、半導体基板内でマイクロリアクタに接続された１つ以上のマイクロ流体チャネル１０１と、マイクロ流体チャネルを封止するための、半導体基板に接合されたカバー層と、マイクロリアクタ及びマイクロ流体チャネルを包囲する基板貫通トレンチ１００とを備えたマイクロ流体デバイス１０４であって、基板貫通トレンチは空隙であるか、または断熱材料で充填されている、マイクロ流体デバイス （もっと読む）

【課題】ソース領域、ドレイン領域、ソース領域とソース−チャネル界面およびドレイン領域とドレイン−チャネル界面を形成するチャネル領域、を有するトンネル電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース領域は、第１ソースサブ領域２０と、ソース−チャネル界面２０１に近接する第２ソースサブ領域２５とを含み、第１ソースサブ領域と第２ソースサブ領域との間の界面が規定される。第２ピーク濃度は、第１ソースサブ領域と第２ソースサブ領域との界面に近接する位置での第１ドーピングプロファイルの最大レベルより充分高い。チャネル領域２１及びドレイン領域２２がゲート電極２４によって覆われないように、ソース領域の一部を長手方向Ｌに覆うようにした電極２４と、ゲート電極とソース領域との間の長手方向Ｌに沿ったゲート誘電体２９と備える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧なＩＩＩ−窒化物デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板１、基板１上の活性層のスタックであって、それぞれの層はＩＩＩ−窒化物材料を含むスタック２−５、スタック２−５上のゲート８、ソース９およびドレインコンタクト１０、および基板１の裏側（活性層のスタックに接する側に対向する側）から基板１に接する活性層のスタックの下層まで基板中を延びるトレンチであって、トレンチはドレイン領域を完全に囲み、ドレインに向かうゲート領域の端と、ゲートに向かうドレイン領域の端との間に配置され、基板のドレイン領域は本質的に半導体材料から形成されるような幅を有するトレンチを含むＩＩＩ−窒化物デバイス。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面に、Ａｌ２Ｏ３層を備えて表面パッシベーション層を形成するに際し、表面パッシベーション層は、パッシベーション層の良好な表面パッシベーション品質が維持されると共に、ブリスター形成が、高温でも回避される方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン基板の表面に表面パッシベーション層を形成する方法であって、この方法が、前記表面上に、１５ｎｍ以下の厚さを有するＡｌ_２Ｏ_３層を堆積するステップと、前記表面上への前記Ａｌ_２Ｏ_３層の堆積の後、５００℃と９００℃の間の範囲の温度でガス発生プロセスを行うステップと、ガス発生プロセスの後、前記Ａｌ_２Ｏ_３層上に、窒化シリコン層及び／又は酸化シリコン層等の少なくとも１個の追加誘電体層を堆積するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】表面増強ラマン散乱（ＳＥＲＳ）セットアップと結びついた（一体型の）表面プラズモンポラリトン、及びそこでの導波路一体型共振器に使用可能である共振器構造を提供する。
【解決手段】共振器構造１００は、２つの金属層１１０，１３０と、該２つの金属層１１０，１３０の間に挟持された絶縁層１２０とを有する金属−絶縁体−金属導波路を備える。共振器構造１００はまた、絶縁層１２０内の少なくとも一部に配置され且つ絶縁層１２０内に共振キャビティの少なくとも１つのミラーを形成する、少なくとも１つのナノスケール金属反射体１６０ａ,１６０ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】容器中の液体を通る音波の行動により基板を洗浄し、容器中で実質的に音波の反射が発生しない方法に関する。洗浄効率に関して大きな改良を得る。
【解決手段】基板は、洗浄液を含むタンク中に、液体中で形成された音波に対して所定の角度で配置される。この角度は、伝達角度に対応し、即ち、基板表面から波が反射されない角度に対応する。減衰材料はタンク中に配置され、基板を通って伝達される全ての波を実質的に吸収するように配置される。 （もっと読む）

【課題】製造コスト下げると同時に良好なエネルギー変換効率を維持することにより、ワットピーク当たりのコストを削減した結晶シリコン太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、第１ドーパント型の結晶シリコン基板を提供する工程と、注入工程を行い、これにより、結晶シリコン基板の表側に、第１型とは反対の第２型のドーパントを導入する工程と、注入工程後に、基板の表面上に水素含有層を堆積する工程と、水素含有層の堆積後に、熱処理を行い、これにより第２型のドーパントを電気的に活性化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン化合物および抗ウイルス処置法の提供。
【解決手段】化合物５−（（３−（２，４−トリフルオロメチルフェニル）イソオキサゾール−５−イル）メチル）−２−（２５フルオロフェニル）−５Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジンならびにその塩および溶媒和物。この化合物および医薬的に許容され得るキャリアを含む組成物、ならびに、ウイルス感染症の処置または予防におけるそのような組成物の使用もまた提供される。 （もっと読む）