【課題】安定的に高効率で、１０ｍＡ以上の炭素イオン注入電流を実現することができるイオン注入方法、及びそれを利用した炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波イオン源を有するイオン注入装置を用いて対象物にイオンを注入するイオン注入方法であって、イオン源のガスチャンバーに導入した一酸化炭素ガスにマイクロ波電力を供給して炭素イオン電流を出力するステップと、導入した一酸化炭素ガスの密度を、所定のマイクロ波電力を供給したときに得られる炭素イオン電流が飽和する領域まで高くするステップと、ガス密度を高くして所定のマイクロ波電力を供給して炭素イオン電流を出力させている状態で、マイクロ波電力を増加させるステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造プロセスにおけるスリップ転位及び反りの発生を共に抑制することができるシリコンウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウエハは、ＢＭＤの形態が八面体であるシリコンウエハであって、該シリコンウエハ表面から深さ２０μｍより浅い位置に存在している、対角長が２００ｎｍ以上のＢＭＤが、２×１０^９／ｃｍ^３以下であり、深さ５０μｍより深い位置に存在している、対角長が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下のＢＭＤが、１×１０^１２／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で被処理体を容易に且つ確実にすることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、上部が開口された略直方体の箱状容器であって、その内部に洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、内部に水を貯留すると共に洗浄槽１０を収容する外槽１５と、洗浄槽１０の内部に配設され、洗浄すべき被処理体としての半導体ウエハＡを支持する支持部材２０と、外槽１５の外部に配設され、洗浄槽１０内部に超音波を発振する超音波発振装置６０を備える。洗浄槽１０は、超音波発振装置６０からの超音波を透過する側面部１２ｂと、側面部１２ｂに対向して配され、超音波発振装置６０からの超音波を反射する側面部１２ａとを有している。そして、超音波発振装置６０は、外槽１５に貯留された水を介して洗浄槽１０に超音波を発振し、且つ洗浄槽１０の側面部１２ｂから側面部１２ａに向かって超音波を伝播させる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕに対するゲッタリング効果を向上してなるアニールウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒素濃度５×１０^１４〜１×１０^１６／ｃｍ^３、炭素濃度１×１０^１５〜５×１０^１６／ｃｍ^３、酸素濃度６×１０^１７〜１１×１０^１７／ｃｍ^３を含むシリコン基板に対して、６５０℃以上８００℃以下の温度で、４時間以上の熱処理を行い、しかる後に、１１００℃以上１２５０℃以下の温度で、アルゴンアニールを行い、アニール後の内部積層欠陥密度５×１０^８／ｃｍ^３以上であることを特徴とするアニールウェハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ５を処理する方法。
【解決手段】半導体ウェーハ５を、
・フッ化水素を含有する溶液９１が少なくとも部分的に充填された液体容器１１中で処理して、半導体ウェーハ５の表面にある酸化物を溶解させ、
・溶液９１から輸送方向８１に沿って輸送して取り出し、かつ乾燥させ、かつ
・乾燥後に、オゾン含有ガス９３で処理して、半導体ウェーハ５の表面を酸化させ、
ここで、半導体ウェーハ５の表面の一方の部分が既にオゾン含有ガス９３と接触しているのに対し、半導体ウェーハ５の表面の他方の部分がなお溶液９１と接触しており、かつ溶液９１及びオゾン含有ガス９３は、これらが互いに接触していないように、空間的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面に付着するワックスの均一的な除去を可能とし、洗浄中のパーティクルの再付着および洗浄槽のフィルター詰まりの問題を低減することが可能な、ワックスの除去方法を提供する。
【解決手段】洗浄液を用いてウエハ表面に付着するワックスを除去する半導体ウエハの洗浄方法において、当該洗浄液がマイクロバブルを含むことを特徴とする、洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】DE 102 007 019 565 A1に提案された方法に対する代替法を提供すること
【解決手段】０．５５μｍ以下の粒径を有する固定結合した研磨材料を含有する研磨布を使用して、研磨装置中の半導体ウェハのＳｉ_1-xＧｅ_x層を機械的に加工する第１の工程と、研磨布を使用してかつ研磨材料を含有する研磨剤スラリーを供給しながら、予め機械的に加工された前記半導体ウェハのＳｉ_1-xＧｅ_x層を化学機械的に加工する第２の工程とを有する、Ｓｉ_1-xＧｅ_xの歪み緩和層を備えた半導体ウェハをポリシングする方法 （もっと読む）

【課題】２２ｎｍの未来世代の技術要件を満たし、４５０ｍｍのウェーハの新しい世代にも適している新規のポリッシング法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの裏面を研磨パッド中に固定された砥粒を含有する研磨パッドでポリッシングし、半導体ウェーハの前面を研磨パッド中に固定された砥粒を含有する研磨パッドで粗研磨し、微小粗さと微小損傷を半導体ウェーハの前面から研磨パッドでの半導体ウェーハの前面のポリッシングによって除去し、半導体ウェーハの前面を研磨パッド中に固定された砥粒を含有しない研磨パッドでの半導体ウェーハの前面のポリッシングによって仕上げポリッシングする。
【効果】端面除外領域におけるローカルジオメトリーの改善に適している。 （もっと読む）

【課題】ロータディスクおよびワークピース（例えば半導体ウェハ）の摩耗と損傷の危険性を最小にすることのできる装置を提供することである。
【解決手段】一つの案内部（４８）が、前記ピン構成体の周囲に延在する少なくとも一つのショルダ（５０）によって形成され、該ショルダの直径はピン構成体の第１の比較的大きな直径と第２の比較的小さな直径との間にあり、
別の案内部（４８）が、前記ピン構成体の周囲に延在する少なくとも一つの溝（１５）の側面（５６，５８）によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】複合ロッドから製造されるウェハの反りを改善する。
【解決手段】半導体材料の複合ロッドをワイヤソーによって複数のウェハに同時に切断する方法において、ａ）１つ又は２つ以上の半導体ロッドから切断された、貯蔵された加工物から少なくとも２つの加工物を選択し；ｂ）各ロッドの２つの端面のうちの少なくとも一方を研削し；ｃ）複合ロッド片を製造するために少なくとも２つの加工物を研削された端面において接合し、複合ロッド片を長手方向に取り付けプレートに固定し、加工物の間に配置された固定手段による加工物の間の距離のみが個々に存在し；ｄ）複合ロッド片が固定された取付けプレートをワイヤソーに締め付け；ｅ）複合ロッドを長手方向軸線に対して垂直にワイヤソーによって切断するステップを含む。 （もっと読む）