【課題】複数のウエハ型被処理物を一時保管するための装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明は複数のウエハ型被処理物１７を一時保管するための装置に関し、この装置は、フレーム１と、少なくとも２つの搬送要素３とを備え、搬送要素は、各々、フレームに接続された上側と下側の偏向装置５の周りを垂直方向に循環し、被処理物１７を水平方向に載せるための等間隔の複数の支持領域４を有し、各搬送要素３の偏向装置５のうち少なくとも一方が駆動され、搬送要素３間に空きスペースがある。装置はさらに上側の偏向装置５間の搬入位置３３を備える。搬入位置で、各被処理物１７を対応する支持領域４上に配置できる。装置はさらに、搬入位置３３の下方の、水平搬送装置７、８、９を含む静止取出し装置を備え、静止取出し装置の第１の端部は、搬送要素３間の空きスペース内にある。本発明はまた、上記装置を用いる、複数のウエハ型被処理物１７の一時保管方法に関する。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減させたシリコン基板を製造するシリコン基板の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶体から切り出されたシリコン基板のデバイス形成予定領域部分を厚さ５０〜２００μｍに加工し、温度Ｔ（℃）、時間ｔ（秒）、初期酸素濃度Ｏｉ（原子個／ｃｍ^３）としたとき、ｔ＝ｆ（Ｏｉ）^２（Ｔｓｉ／２００）^２／｛［０．５２ｅｘｐ［−２．９４×１０^４／（２７３＋Ｔ）］｝ （ただし式中、ｆ（Ｏｉ）＝１．４３×１０^−６９Ｏｉ^４−３．３５×１０^−５１Ｏｉ^３＋２．５１×１０^−３３Ｏｉ^２−３．９９×１０^−１６Ｏｉ−８３．４３である）で与えられる温度Ｔ（℃）以上の温度で、時間ｔ（秒）以上の時間アニールする。 （もっと読む）

【課題】バウの制御のためだけでなく、ＳｉＧｅエピタキシャル層の品質を改善するために、特にＳｉ基板上に堆積されたＳｉＧｅ層のクロスハッチ及び表面ラフネスを低減するために、背面層によって形成された応力を用いる適切な解決策を提供する。
【解決手段】第１の面及び第２の面を有する基板１０、前記基板の第１の面に堆積された完全に又は部分的に緩和されたヘテロエピタキシャル層２０、及び前記基板の第２の面に堆積された応力相殺層３０を有する、半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】ロータディスクおよび被加工ワークピース（例えば半導体ウェハ）の摩耗と損傷の危険性を最小にすることのできる装置を提供することである。
【解決手段】ワークピースを内部に装填するための切欠部２５と外側歯部１０を有する複数のロータディスク５を、上側作業ディスク４ｂと下側作業ディスク４ａに挟まれた状態で遊星運動させることにより複数のワークピースを同時に両面加工する装置において、ロータディスク５の回転時に外側歯部１０が係合するピンリングのピン構成体には、周囲に延在するショルダによって少なくとも一つの案内部が形成されている。これによりロータディスク５の縁部の運動が案内部によって少なくとも軸方向に制限され、ロータディスク５とワークピースの損傷の危険性は最小となる。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスから発生する材料層を基板ウェハ上に堆積するための装置および方法を提供する。
【解決手段】プロセスガスから発生する材料層を基板ウェハ上に堆積するための装置は、上方ドームと下方ドームと側壁とによって画定されるリアクタチャンバと、材料層の堆積の際に基板ウェハを保持するためのサセプタと、サセプタを取囲む予熱リングと、ライナーとを備え、その上に、予熱リングが、均一幅の隙間が予熱リングとサセプタとの間に存在するように中央位置に支持され、さらにライナーと予熱リングとの間に作用するスペーサを備え、当該スペーサは、予熱リングを中央位置に保ち、かつ予熱リングとライナーとの間に距離Δを発生する。 （もっと読む）

【課題】大径のワークを正確に効率良く破損等の不具合を生じることなく切断することができるワイヤーソーによるワークの切断方法を提供する。
【解決手段】ワークの切断の際には、ソーワイヤ１は、噛み合い部分Ｍの両端である入出部Ａにおいて、砥粒スラリー６の砥液面の上方に位置しており、入出部Ａにおいて砥粒スラリー６内に浸漬されていない。また、砥粒スラリー６の砥液面がソーワイヤの入出部Ａと、ソーワイヤ１のワーク押し付け方向に向かって最も変位している最大撓み部Ｂとの間に位置するように、ソーワイヤ１及びワークＷは砥粒スラリー６内に浸漬されている。さらに、各ノズル４ｒ，４ｌは、ソーワイヤ１の入出部Ａの外側に砥粒スラリー６が供給される被噴射位置Ｐが位置するように位置している。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有する２つのワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、温度変化によって引起される一方のワイヤガイドロールのコーティングの長さにおける変化を、コーティングの端部でコーティングに固定されるリング（９）を用いて、センサ（７）とリングとの間の距離を測定することによって、測定するステップと、測定された距離に応じてワイヤガイドロールを冷却するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】加工物からウェハをスライスする方法を提供する。
【解決手段】加工物（１２）からウェハをスライスする方法は、切断動作中に、加工物に対して、ワイヤソーのワイヤの、平行に配置されたワイヤセクションを移動させて、ウェハを形成するステップを含み、ワイヤセクションは、特定の厚みを有する、溝を有するコーティング（８）を各々が有するワイヤガイドロール（１）間に張設され、前記方法はさらに、ワイヤガイドロールを冷却し、ワイヤガイドロールの固定された軸受（２）を冷却するステップを含み、ワイヤガイドロールおよび固定された軸受は、互いから独立して冷却される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ラッピング装置、研削装置、または研磨装置の２つの加工盤の間での両面処理のために１つまたは複数の半導体ウェハを受け入れるのに好適な挿入キャリアに関する。
【解決手段】この挿入キャリアは、第１および第２の表面を有する第１の材料から構成されるコアを含み、第１および第２の表面の各々は第２の材料から構成されるコーティングを有し、コーティングは第１および第２の表面を完全にまたは部分的に覆い、挿入キャリアはさらに半導体ウェハを受け入れるための少なくとも１つの開口部を含み、コーティングにおいてコアから離れた側の表面は、凸部と凹部とからなる構造を有し、構造の凸部および凹部の相関長は０．５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲内であり、構造の縦横比は０．０００４〜０．４の範囲内である。本発明はさらに、挿入キャリアが用いられる、半導体ウェハの同時両面材料除去処理のための方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】加工層のトリミングによって著しい量の材料を除去することなく、平坦性および平面平行度をさらに向上させる。
【解決手段】両面処理装置は、上部加工ディスク１３、下部加工ディスク２６、転動装置を含み、対称軸２８を中心として回転可能に取り付けられ、下部介在層２９を下部加工ディスク２６の表面上に、上部介在層１６を上部加工ディスク１３の表面上に取り付けるステップと、３つのトリミング装置によって両方の介在層１６、２９を同時に平坦にするステップとを備え、各トリミング装置はトリミングディスクと、研削物質を含む１つのトリミング本体と、外側歯部とを含み、コロイド経路上で、圧力を受けて研削作用を有する物質を含まない冷却潤滑材の添加により、転動装置と外側歯部によって動かされ、介在層１６、２９から材料除去をもたらし、下部加工層３２と上部加工層３９を下部介在層２９と上部介在層１６に取り付けるステップを備える。 （もっと読む）