【課題】比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なｐ型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。結晶中心部の冷却速度に対する結晶エッジ部の冷却速度の比を１．４以上２．０以下にすることにより、生産性を維持しつつ引上中心軸と垂直な断面における比抵抗変化率を３％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料からなる被加工物のワイヤーソーイング時の最適な冷却を保証しつつ、切削液（ソーイングスラリー、スラリー）の特性に影響を及ぼさない方法を開発する。
【解決手段】本発明は、ワイヤーソーイング時に、たとえばシリコン、ゲルマニウムまたはガリウムヒ素などの半導体材料からなる円筒形被加工物を冷却する方法に関し、切断時にノズルによって冷却液が半導体材料被加工物に塗布される。被加工物を支承するワイパーが、冷却液が切削液と混合するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】アニール後の残留ボイド、およびアニールウエハに形成した酸化膜のＴＤＤＢ特性劣化を回避し、シリコン単結晶に含有可能な窒素濃度範囲を拡張することが可能となるアニールウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】アニールウエハの製造方法では、結晶引上速度Ｖと結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇとの比であるＶ／Ｇについて、Ｖ／Ｇが０．９×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以上２．５×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以下となるように制御するとともに、結晶引上炉内の水素分圧を３Ｐａ以上４０Ｐａ未満とする。シリコン単結晶は、窒素濃度が５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３超え６×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、不純物濃度が５ｐｐｍａ以下の希ガス雰囲気もしくは非酸化性雰囲気中において熱処理する。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの金属不純物の元素情報及び空間情報を高感度且つ高精度で取得することができ、加えて低コスト且つ簡便に実現することができるシリコンウェハの金属不純物分析方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング用のＯ_３／ＨＦ混合ガスをシリコンウェハ表面に噴射し、シリコンウェハ表面を気相エッチングする。これにより、第１表層のシリコンが分解され、該第１表層に含まれる金属不純物がその位置をほぼ維持したまま第１表層分解後のシリコンウェハ表層に蓄積する。また、第１表層分解後のシリコンウェハ表面は、Ｏ_３／ＨＦ混合ガスによる気相エッチングにより鏡面化される。その後、気相エッチングにて鏡面化されたシリコンウェハ表面をＴＸＲＦ法にてスキャンし、シリコンウェハの第１表層に含まれる金属不純物の面内分布情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】更に小型化する際に問題を生じない半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】欠陥が減少した領域を有する単結晶半導体ウェーハであり、この欠陥が減少した領域は０／ｃｍ^２〜０.１／ｃｍ^２の範囲のＧＯＩ関係欠陥の密度を有し、全体として半導体ウェーハの平坦な平面の１０〜１００％の単位面積割合を占めており、その際半導体ウェーハの残りの領域は欠陥が減少した領域より明らかに高い欠陥密度を有する。 （もっと読む）

【課題】煩雑な作業を要することなく洗浄液中の溶存窒素濃度をリアルタイムで精度良くモニタリングすることができ、加えてコストを低減することができる溶存窒素濃度のモニタリング方法を提供する。
【解決手段】超音波照射時の溶存酸素濃度Ｄ_Ｏ２を溶存酸素濃度計４３で測定し、測定された溶存酸素濃度Ｄ_Ｏ２から初期溶存酸素濃度Ｄ_０を差し引いて溶存酸素濃度の増加量ΔＤ_Ｏ２を算出する。次いで、所定のオーバーフロー量或いは超音波の所定出力に適合する近似式を記憶部４６から読み出し、記憶部４６から読み出された近似式を用いて、溶存酸素濃度の増加量ΔＤ_Ｏ２から混合超純水の溶存窒素濃度Ｄ_Ｎ２を算出する。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）

【課題】特に平面平行半導体ウェハを経済的に製造できるように、遊星運動学を用いて公知の両面処理方法を向上させる。
【解決手段】両面処理装置は、キャリア１３の各々は厳密に１つの開口部１を有し、当該開口部１に１枚の半導体ウェハが、加工ディスク同士の間のサイクロイド軌道上を移動するように、自由に移動できるように挿入され、両面処理装置内のキャリア１３の配置およびキャリア１３の開口部１の配置は、不等式Ｒ／ｅ・ｓｉｎ（π／Ｎ^*）−ｒ／ｅ−１≦１．２を満たすようなものであり、Ｎ^*は、周角と、隣接するキャリア同士が互いに最大距離を空けられた状態で転がり装置に挿入される角度との比率を表わし、ｒは半導体ウェハを受ける開口部１の半径を表わし、ｅは、開口部１が配置されるキャリア１３の中点４の周りのピッチ円２の半径を表わし、Ｒは、キャリア１３が転がり装置によって加工ディスク同士の間を移動するピッチ円８の半径を表わす。 （もっと読む）

【課題】マルチワイヤソーでの切断時に、分離プレートの挿入時やマウンティングプレートからの分離及び個別化時のウェハの損傷を回避する方法を提供する。
【解決手段】インゴットをギャング長さ（刃部の幅）Ｌ_Gを有するワイヤソーによって同時に多数のウェハに同時に切断する。工作物の長さをＬ_i、工作物間を識別する分離プレート挿入スペースなどを考慮した工作物間の最小間隔をＡ_minとすると、
［数１］


を満足し、かつ右辺ができるだけ大きくなるように同時に切断する工作物の組み合わせを選定する。次に工作物の間隔Ａ（Ａ≧Ａ_min）が下式を満たすように決めてマウンティングプレート１１に固定する。
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