【課題】両面研磨の場合の半導体ウェハのエッジ領域における非対称的研磨除去を回避する。
【解決手段】半導体ウェハ４の同時両面研磨を含み、半導体ウェハ４は、上方研磨板２２および下方研磨板２１によって形成された作業間隙から一時的に突出し、双方の研磨パッド１１、１２は、正方形の区画の格子状配置が形成されるよう、０．５〜２ｍｍの幅および深さを有するチャネルの配置を有しており、第１の研磨パッド１２は２０ｍｍ×２０ｍｍよりも大きい区画を有し、第２の研磨パッド１１は２０ｍｍ×２０ｍｍ以下の区画を有しており、双方の研磨パッド１１、１２は、０．１〜１．０μｍの平均サイズを有する、シリコン、アルミニウム、およびセリウムからなる群から選択された酸化物の砥粒を含んでおり、研磨プロセス中に研磨液が供給され、第１の工程で１１〜１２．５のｐＨを有する研磨液が供給され、第２の工程で１３以上のｐＨを有する研磨液が供給される。 （もっと読む）

【課題】研磨された半導体ウエハの端部表面形状に関して有利な代替の研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドによる半導体ウエハの研磨方法であって、研磨パッドは、平均粒径０．１〜１．０μｍを有するＳｉＯ₂の固定結合砥粒を含み、アルカリ成分を含み、固体材料を含有せず、１１〜１３．５の可変ｐＨ値を有する研磨液が供給され、研磨液は、研磨処理中にｐＨ値１３未満を有し、研磨処理を終了する目的で、ｐＨ値を１３〜１３．５に上昇させる、方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハを研磨するための方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハの研磨方法は、研磨パッドを用いて半導体ウェハの表面を研磨するステップを含む。第１のステップにおいては、研磨材を含む研磨スラリーを供給し、次いで研磨スラリーの供給を止め、第２のステップにおいては、固体を含まず１２以上のｐＨ値を有する研磨液を供給する。使用される研磨パッドは、半導体ウェハのうち研磨されるべき面と接触する側に隆起部を含む表面構造を有している。研磨パッドは、研磨作用を有する物質を含んでいない。 （もっと読む）

【課題】他の結晶特性に影響することなくシリコン単結晶における巨視的ボイドの発生率をさらに減じる。
【解決手段】シリコンから成る単結晶９をるつぼ４に含まれた融液１１から引き上げる方法において、引上げの間単結晶９は熱シールド２によって包囲されており、熱シールドの下端部３は融液の表面から所定の距離ｈに位置しており、ガス流１０が、単結晶９と熱シールド２との間の領域を下方へ、熱シールド２の下端部３と融液１１との間を外方へ、次いで熱シールド２の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部３における熱シールド２の内径Ｄ_HSが単結晶９の直径Ｄ_SCよりも少なくとも５５ｍｍだけ大きく、下端部３における熱シールド２の半径方向幅Ｂ_HSUが単結晶９の直径Ｄ_SCの２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハのワイヤ切断のための新規の方法を提供する。
【解決手段】長手方向軸線及び横断面を有する半導体材料から成る結晶から多数のウェハを切断する方法において、テーブルに固定された結晶が該テーブルとワイヤソーのワイヤ群との相対移動によって案内され、切断ワイヤによって行われる進入切断が結晶の引上げエッジの近くにおいて行われるか又は切断ワイヤによって行われる退出切断が結晶の引上げエッジの近くにおいて行われるように、前記相対移動が、結晶の長手方向軸線に対して垂直な方向に、切断ワイヤによって形成されたワイヤ群を通過するように方向付けられる。 （もっと読む）

【課題】チャンバーエッチに付随する欠点を、付随する利点をなくさないで、且つ、新しい欠点を受け容れないで、緩和する。
【解決手段】エピタキシャル堆積層を有するシリコンから構成される半導体ウェハの製造方法であって、エピタキシー反応器のサセプタ上にダミーウェハを設置すること； 該エピタキシー反応器を通してエッチングガスを導き、エッチングガスの作用によって該エピタキシー反応器内表面上の残留物を除去すること； 該エピタキシー反応器を通して第一の堆積ガスを導き、該エピタキシー反応器内表面上にシリコンを堆積させること； ダミーウェハをシリコンから構成される基板ウェハと交換すること； および該エピタキシー反応器を通して第二の堆積ガスを導き、該基板ウェハ上にエピタキシャル層を堆積させることを含む方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】転移が突然形成されたり、溶融シリコンはその時点まで成長した単結晶の側部において流出することがなく、歩留まりの高いシリコン単結晶の形成方法を提供する。
【解決手段】第１の誘導加熱コイル２によって、成長する単結晶と、シリコンから成る円錐状の管部分１の下端部との間に、溶融したシリコンの第１の体積９を形成し、プレート３の上方に配置された第２の誘導加熱コイル７によって、溶融したシリコンの第２の体積１０を形成し、溶融したシリコンの第２の体積１０のための通過開口が形成される程度まで管部分１の下端部を溶融させ、通過開口が、溶融したシリコンの第２の体積１０がまだ存在しないか又は溶融したシリコンの第１の体積９の２倍よりも少ない時点で形成され、第１及び第２の体積９，１０から溶融したシリコンを消費することによって、成長する単結晶にモノクリスタルシリコンを結晶させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの良好な幾何学的形状のみならず良好なナノトポグラフィも達成し、且つ４５０ｍｍのウェハにも適している、半導体ウェハを製造するための新規の処理シーケンスを提供する。
【解決手段】規定の順序において：（ａ）単結晶からスライスされた半導体ウェハを同時に両面で材料除去する加工工程；（ｂ）アルカリ性媒体による該半導体ウェハの両面の処理工程；（ｃ）該半導体ウェハの前面及び裏面の研削工程；（ｄ）０．１〜１．０μｍの平均粒径を有する砥粒を含有する研磨パッドによる半導体ウェハの両面の研磨工程；（ｅ）砥粒を含有する研磨剤の供給下での、砥粒を含有しない一次研磨パッドによる該半導体ウェハの前面の研磨工程；（ｆ）該前面の化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程
を有する、半導体ウェハの製造法によって達成される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体ウェーハの超音波洗浄装置の、保持具等により超音波が遮蔽された部分のウェーハ表面の洗浄が不十分となるという問題のない半導体ウェーハの超音波洗浄方法及び半導体ウェーハの超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの超音波洗浄装置１００において、洗浄液６中の半導体ウェーハ４の上方に超音波反射板２０が傾斜して設けられている。超音波発生装置１から発振される入射超音波８が超音波反射板２０に反射される。超音波反射板２０は、反射面として平面２０ａを有しており、超音波反射板２０は、平面２０ａの法線方向に、影部分７が位置するように位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、デバイス製造プロセスにおけるスリップ転位
及び反りの発生を共に抑制することができるシリコンウエハ及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【解決手段】 対角長が１０ｎｍ〜５０ｎｍのＢＭＤを含むシリコンウエハであって、
前記シリコンウエハ表面から深さ５０μｍ以上の位置に存在する前記ＢＭＤの密度が１×１０^１１／ｃｍ^３以上であり、かつ、前記ＢＭＤの形態として、ＢＭＤを取り囲む面全体における｛１１１｝面の比率が０．３以下であることを特徴とする、シリコンウエハである。 （もっと読む）