【課題】酸化膜耐圧特性に優れ、Ｃモード特性の高いシリコン結晶で構成されるシリコン
ウエハを提供する。また、前記シリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】窒素及び水素を含有するシリコンウエハであって、泡状のボイド集合体を構
成する複数のボイドが、総ボイド数の５０％以上存在し、ボイド密度が２×１０^４／ｃｍ
^３を超えて１×１０^５／ｃｍ^３未満であるＶ１領域が、前記シリコンウエハの総面積中２
０％以下を占め、ボイド密度が５×１０^２〜２×１０^４／ｃｍ^３であるＶ２領域が、前記
シリコンウエハの総面積中８０％以上を占め、並びに、内部微小欠陥密度が５×１０^８／
ｃｍ^３以上であることを特徴とするシリコンウエハである。 （もっと読む）

【課題】シリコンから成る半導体ウェハを、高い歩留りで、かつ経済的な引き上げ速度で製造する。
【解決手段】増大する直径を有する円錐状セクションと、少なくとも４５０ｍｍの直径とるつぼに含まれた融液から少なくとも８００ｍｍの長さとを有する隣接する円筒状セクションとを備える単結晶を、円錐状セクションから円筒状セクションへの移行部を引き上げる過程において、円筒状セクションの引上げ中の平均引上げ速度よりも少なくとも１．８倍高い引上げ速度で引き上げ、成長する単結晶を少なくとも２０ｋＷの冷却電力で冷却し、るつぼの側壁から成長する単結晶に熱を供給し、成長する単結晶を包囲する熱シールドと融液の表面との間に、少なくとも７０ｍｍの高さを有する間隙が存在しており、円筒状セクションから半導体ウェハをスライスし、複数の半導体ウェハが、半導体ウェハの中心から半導体ウェハのエッジまで延びた、ｖ−欠陥を備えた領域を有している。 （もっと読む）

【課題】良好なエッジロールオフ値および良好な局所的平坦度を有すると同時に、望ましくない結晶欠陥、背面のハロ、オートドーピングおよびナノトポグラフィ作用を回避した、応力フリーのエピタキシャルコーディング半導体ウェハを提供すること。
【解決手段】ここに記載されているのは、前面および背面を有する半導体ウェハである。この半導体ウェハは、さらに光弾性応力測定（"ＳＩＲＤ"）によれば応力のないエピタキシャル層を前面に有し、さらにその背面にナノトポグラフィおよび「ハロ」を有しており、上記のナノトポグラフィは、２ｍｍ×２ｍｍの面積を有する正方形の測定ウィンドウにて２ｎｍ以上かつ５ｎｍ以下のＰＶ（＝peak to valley ピークから谷間まで）高さ偏差として表され、また上記のハロは、0.1ppm以上かつ5ppm以下のヘーズによって表される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の表層部が酸化シリコン層と単結晶炭化シリコン層とからなるシリコン半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】下記のステップ：（１）表層部が埋め込みシリコン酸化膜層と、表面シリコン酸化膜層とからなるシリコン半導体基板を用意し、（２）シリコン基板内の埋め込み酸化膜層と酸化膜層との間のシリコン層に炭素イオンを注入して、シリコンと炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと、（３）前記表面酸化膜層を除去するステップと、（４）前記シリコン基板を熱処理して、前記炭素含有層を炭化シリコン膜層とするステップと、（５）前記シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去するステップ、を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下記のステップを順次実施することを特徴とする、シリコン基板の表層部が酸化シリコン層と単結晶炭化シリコン層とからなるシリコン半導体基板の製造方法である：（１）表層部が単結晶炭化シリコン層からなるシリコン半導体基板を用意し、
（２）シリコン基板内に酸素イオンを注入して、単結晶炭化シリコン層の下にシリコンと酸素の混在した酸素含有層を形成するステップと、（３）前記シリコン基板を熱処理して、前記酸素含有層を酸化膜層とするステップと、（４）前記シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去するステップ。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化シリコン層からなる半導体基板を製造する技術に関し、特にシリコン基板の表層部がさらに応力緩和炭化シリコン層を有する半導体基板を製造する技術を提供する。
【解決手段】下記のステップ：（１）シリコン半導体基板を用意し（２）シリコン基板内に炭素イオンを注入してケイ素と炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと（３）基板を熱処理して炭素含有層を応力緩和炭化シリコン膜層と酸化膜キャップを形成するステップと（４）酸化膜キャップを除去するステップと（５）第２の酸化膜キャップを形成するステップと（６）応力緩和炭化シリコン膜層と第２の酸化膜キャップとの間のシリコン層に炭素イオンを注入して、ケイ素と炭素の混在した炭素含有層を形成するステップと（７）基板を熱処理して炭素含有層を結晶成長炭化ケイ素膜層とするステップと（８）基板の表面に形成された酸化膜キャップを除去するステップを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面の超微量不純物金属の分析、特に自動分析の方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 （もっと読む）

【課題】疎水性表面を有するシリコンウェハの洗浄方法、洗浄液を提供する。
【解決手段】洗浄液として、ＨＦが０．０１〜０．０５重量％と、かつオゾンが含有されている洗浄液を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶を、コスト効率よく、簡単な形式で操作することができる結晶引上げプロセスを用いて、高い歩止まりで製造し、該単結晶を、欠陥の少ない半導体ウェハを形成するために適当な表面処理により処理することができ、該半導体ウェハが、不純物濃度の変動により制限されない特に高い最終フラットネスを有している方法を提供する。
【解決手段】半導体材料から成る単結晶（３）を引き上げ、該単結晶（３）から半導体ウェハ（９）を切断し、該半導体ウェハ（９）を研磨し、この場合、使用される研磨パッドが、研磨作用を有する固定的に結合された固体材料を含有しており、研磨作用を有する固体材料を含有しない、９．５〜１２．５のｐＨ値を有する研磨剤を、研磨されるべき半導体ウェハの表面と、研磨パッドとの間に形成される作業ギャップに供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】直径の効果的な制御を維持しつつ、同時に、ＦＰＤｓ又はＬｐｉｔｓのような不都合な欠陥の形成を確実に回避できるようにする。
【解決手段】直径が一定の区分を備えたシリコンから成る単結晶を引上げるための方法であって、
予め規定された目標引上げ速度ｖ_ｐ［ｍｍ／ｍｉｎ］で単結晶を引上げ、
単結晶と、単結晶に隣接する融液の領域に熱を供給する、融液の上方に配置された第１の熱源の熱出力を、（２×１８ｍｍ）／ｖ_ｐよりも長くない一定の期間Ｔで直径変動が修正されるように制御することにより、直径が一定の区分における単結晶の直径を予め規定された目標直径に制御する。 （もっと読む）