【課題】比較的硬質且つ剛質なＦＡＰ研磨パッドを使用したＦＡＰ研磨工程の場合、通常使用される研磨機およびウェハ保持システムが一部で不利である。
【解決手段】研磨板１上に固定され、且つ固定砥粒材料を結合して含有する研磨パッド２を用いて半導体ウェハ４の片面を研磨することを含み、その間に、研磨剤が半導体ウェハ４の研磨される側と研磨パッド２との間に導入され、研磨の間、キャリア５上に固定され且つ受け容れられる半導体ウェハ４の大きさの裏張りのある切り抜き部を含む保持システムを用いて、半導体ウェハ４は、研磨されない側による付着力を用いて該切り抜き部内に保持され、且つ、該キャリア５は研磨の間、半導体ウェハ４がその表面の一部で研磨パッド２の表面を超えて一時的に突き出すように導かれる、半導体ウェハ４の研磨方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを背面でキャリアに固定する場合に半導体ウェハが研磨の間にキャリアから浮動すること
【解決手段】０．１〜１．０μｍの平均粒径を有する固定結合された砥粒を有する研磨パッドの使用下での前記半導体ウェハの第１の面のＦＡＰ（固定砥粒研磨）、前記半導体ウェハのＦＡＰ研磨された第１の面上に厚くても３μｍの厚さの接合層の設置、前記半導体ウェハの、ＦＡＰ研磨された第１の面での研磨装置のキャリアプレートとの接合、並びに前記半導体ウェハの第２の面の片面化学機械研磨を有する、半導体ウェハの研磨方法 （もっと読む）

【課題】円錐形の管の管端部のこのような凝固を確実に防止する。
【解決手段】この課題は、粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法において、シリコン製の回転プレートの下位に配置された誘導加熱コイルにより、単結晶の円錐形に拡張された区分を結晶化させ、誘導溶融されたシリコンを、前記プレートの中央開口を取り囲んでおり且つ前記プレートの下方に延びる前記プレートの円錐形の管を通して、単結晶の円錐形に拡張された区分上に位置し且つ円錐形の管の管端部に接触している溶融物に供給し、しかも、単結晶の円錐形に拡張された区分が１５〜３０ｍｍの直径を有して結晶化される限りは、前記管端部の外径が１５ｍｍを下回らないように、前記プレートの下位に配置された誘導加熱コイルによって十分なエネルギを供給することによって解決される。 （もっと読む）

【課題】水素添加した場合のシリコンサブストレートウェハのボイドから発生するエピタキシャル層欠陥を抑制・防止する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、水素、および窒素をシリコン融液に添加し、窒素濃度が３×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン結晶を引き上げる工程と、シリコン結晶を加工してシリコンサブストレートを作製し、シリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】管状延長部の端部においてメルトが凍結して固体になり、連続的に流動するシリコンの膜が中断されないようにする。
【解決手段】顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置において、シリコンから成る回転するプレートが、中央の開口と、開口を包囲しておりかつプレートの下方に延びたシリコンから成る管状延長部とを有しており、顆粒を溶融させるための、プレートの上方に配置された第１の誘導加熱コイルが設けられており、溶融した顆粒を結晶化するための、プレートの下方に配置された第２の誘導加熱コイルが設けられており、第２の誘導加熱コイルが、シリコンから成るプレートと向き合った側において透磁性材料から成る下側層と、上側層とを有しており、該上側層に、冷媒を流通させるための少なくとも１つの冷却チャネルが設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを製造するための新規のプロセスシーケンスを提供する。
【解決手段】
（ａ）２０．０〜６０．０μｍの平均粒度を有する研磨材を含む研削ディスクによって半導体ウェハのエッジを丸味づけ、（ｂ）ウェハの同時両面材料除去プロセシングを行い、ウェハは２つの加工ディスクの間において処理され、（ｃ）ウェハの同時両面材料除去プロセシングを行い、ウェハは２つの加工ディスクの間において処理され、（ｄ）１．０〜２０．０μｍの平均粒度を有する研磨材を含む研削ディスクによってエッジの丸味づけを行い、（ｅ）ウェハの面ごとに、エッチング媒体を用いてウェハの両面を処理し、（ｆ）０．１〜１．０μｍの粒度を有する研磨材を含むポリシングパッドを使用してウェハの少なくとも一方の面をポリシングし、（ｇ）ウェハのエッジのポリシングを行い、（ｈ）少なくとも前面の化学機械的ポリシングを行う。 （もっと読む）

【課題】大気に開放されていない液体保持容器内の液体中にマイクロバブルを生成するマイクロバブル生成部より下流側の構成形態に拘らず、マイクロバブルの生成効率の低下を防止することができるマイクロバブル生成方法及びマイクロバブル生成装置を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置１は、減圧手段１４を備え、減圧手段１４は、導管４と戻し管６との間に配置されたバイパス管１５と、バイパス管１５に設けられたバイパス管１５を流れる液体の流量を調整するための流量制御弁１６とを備える。バイパス管１５は、一端が流量制御弁８の下流側において導管４に、他端が流量制御弁９の上流側において戻し管６に連通しており、バイパス管１５を流れる液体が導管を流れる液体保持容器２からの液体に合流し、導管４を流れる液体の流速が速くなり、液体保持容器２内の圧力が下がり、生成領域Ｒの圧力が下がる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ性緩衝液が、半導体ウェハの金属性汚染の原因になることを回避する。
【解決手段】研磨パッド中に結合された砥粒物質を含有する研磨パッドを使用し、且つアルカリ性研磨剤の供給下で半導体ウェハを研磨する方法に関し、その際、該研磨剤の体積流量が５リットル／分以上であり、且つ該研磨剤を、研磨中に研磨剤循環路内で循環させる。 （もっと読む）

【課題】特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有する酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０¹⁷／ｃｍ³であるシリコンウエハを得ることができる、シリコンウエハの最適化された製造方法を提供する。
【解決手段】低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法であって、
ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０¹⁷／ｃｍ³であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり；
ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして
ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングすること、を特徴とする製造方法。 （もっと読む）

この発明は以下のステップを述べられた順で含む、半導体ウェハを製造する方法に関する。（ａ）単結晶からスライスされた半導体ウェハの両面材料除去処理ステップと、（ｂ）半導体ウェハのエッジの丸み付けを行なうステップと、（ｃ）半導体ウェハの前面および後面を研削するステップとを含み、各場合において、半導体ウェハの一方の面は、ウェハホルダによって固定して保持され、一方、他方の面は研削ツールによって処理され、さらに、（ｄ）固定して結合された研摩材を含む研磨パッドによって半導体ウェハの少なくとも一方の面を研磨するステップと、（ｅ）エッチング媒体を用いて、半導体ウェハの面ごとに１μｍ以下の材料除去とともに、半導体ウェハの両面を処理するステップと、（ｆ）半導体ウェハの前面を、固定して結合された研摩材を有する研磨パッドを使用して研磨し、同時に、半導体ウェハの後面を、研摩材を含んでいない研磨パッドを用い、研摩材含有研磨剤を研磨パッドと半導体ウェハの後面との間に導入して研磨するステップと、（ｇ）半導体ウェハのエッジを研磨するステップと、（ｈ）半導体ウェハの後面を、固定して結合された研摩材を含む研磨パッドを使用して研磨し、同時に、半導体ウェハの前面を、固定して結合された研摩材を含んでいない研磨パッドを用い、研摩材含有研磨剤を研磨パッドと半導体ウェハの前面との間に導入して研磨するステップと含む。 （もっと読む）