説明

ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトにより出願された特許

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【課題】エッジ領域における、ポリッシングされた半導体ウェハのジオメトリを改良する。
【解決手段】ポリッシングされた半導体ウェハを製造する方法において、半導体材料から成るロッドから半導体ウェハをスライスするステップと、半導体ウェハの少なくとも一方の面の材料除去処理を行うステップと、半導体ウェハの少なくとも一方の面をポリッシングするステップとを記載した順序で行い、半導体ウェハが、材料除去処理の後でかつポリッシングされる少なくとも一方の面におけるポリッシングの前に、半導体ウェハのエッジに沿って、少なくとも0.1μmの最大高さを有する環状の局所的な隆起部を有しており、局所的な隆起部が、半導体ウェハのエッジに位置する10mmの幅の環状領域内において最大高さに達している。 (もっと読む)


【課題】スラリー中の金属分析方法を提供する。
【解決手段】次のステップを順次実施するシリコン研磨用スラリー中および研磨後スラリー中の金属分析方法:(1)シリコン研磨用スラリーまたは研磨後スラリーを、フッ化水素酸と硝酸により、第1の分解容器で溶解するステップと、(2)前記第1の容器を第2の容器に入れて、第1の容器と第2の容器の間に超純水を入れるステップと、(3)前記第2の容器をマイクロウエーブにより加熱するステップと、(4)第1の容器の溶液を加熱蒸発させて乾燥させるステップと、(5)乾燥残渣を酸に溶解して測定用試料を調整するステップと、(6)前記測定試料を用いて、金属分析するステップ。 (もっと読む)


【課題】窒化ケイ素含有物中のアルミニウムの湿式分析試料の調製方法に関する。
【解決手段】窒化ケイ素含有物をフッ化水素酸で溶解し、さらに硝酸を添加して得られる溶液を蒸発乾燥させて固体残渣とし、固体残渣を硝酸で再溶解することを特徴とする。
【効果】分析試料溶液を再現性良くかつ定量的に調製することが可能となる。また従来の湿式分析方法であってAAS、ICPMS等に容易に適用可能となり、装置の有する感度で再現性よく検出可能となる。 (もっと読む)


【課題】ウェハエッジ部の段差、エッジ領域における望ましくない被覆物またはエッジ領域における望ましくない厚さの増加を除去する。
【解決手段】半導体ウェハを研磨板上に位置し且つ固定された砥粒を含有する研磨パッドに押しつけ、研磨ヘッドは弾力性のあるメンブレンと共に提供され且つガスまたは液体のクッションによる複数の室に放射状に細分化され、及ぼされる研磨圧力をそれぞれの室について異なって選択でき、半導体ウェハはリテーナーリングによって所定の位置に保持されており、研磨剤が半導体ウェハと研磨パッドとの間に導入され、半導体ウェハのエッジ領域に位置する室において半導体ウェハ上に及ぼされる研磨ヘッドの研磨圧力、およびリテーナーリングの適用圧力が、本質的に半導体ウェハのエッジ部でのみ材料が除去されるように選択される、半導体ウェハの片面の部分研磨方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】実際のエッジの領域中のみならず、前面及び/又は裏面の隣接する領域中でも除去が行われることに対して解決手段を提供し、且つ従来技術の欠点を回避する。
【解決手段】(a)端面が研磨されており、且つラウンドエッジを有する半導体ウェーハを準備すること;(b)中心で回転するチャック上に該半導体ウェーハを固定し、該半導体ウェーハと、チャックに対して傾斜されており、固定砥粒を含有する研磨パッドが適用されている、中心で回転する研磨ドラムとを位置決めし、及び固体を含有しない研磨剤溶液の連続的な供給下で半導体ウェーハと研磨ドラムとを互いに押し付けることによって半導体ウェーハのエッジを研磨することを有する、半導体ウェーハのエッジを研磨する方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】先行技術の欠点を受け入れる必要がなく、エピタキシャル被覆された半導体ウェハの成長縞を抑制し、そのナノトポグラフィーを改善すること
【解決手段】記載された順序で次の:(a)半導体ウェハの片面にエピタキシャル層を堆積させる工程、(b)前記半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側を固定砥粒を有する研磨パッドを使用して固体を含まない研磨剤溶液を供給しながら第1の研磨を行う工程、(c)前記半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側を、固定砥粒を有していない軟質の研磨パッドを使用して研磨剤懸濁液を供給しながらCMP研磨を行う工程、(d)前記半導体ウェハの予めエピタキシャル被覆されかつ研磨された側に新たなエピタキシャル層を堆積させる工程を有する、エピタキシャル被覆された半導体ウェハを製造する方法。 (もっと読む)


【課題】従来技術により研磨された半導体ウェーハに見られる、エッジ領域におけるその厚さの不所望な減少(エッジロールオフ)をなくす。
【解決手段】第1の工程において半導体ウェーハの裏面を0.1〜1.0μmの粒径の固定砥粒を有する研磨パッドによって、及び固体材料を含まず、少なくとも11.8のpH値を有する研磨剤の供給下で研磨し、且つ第2の工程において該半導体ウェーハの前面を研磨し、その際、11.8未満のpH値を有する研磨剤を供給する、半導体ウェーハを研磨する方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】当該技術分野で公知の仕上げのCMP研磨の前の両面研磨法は、エッジ形状およびナノトポグラフィーの将来的な要求を満たさず、且つ基板直径450mmを有するウェハの加工に適していない。
【解決手段】第一の工程において固定された砥粒を有する研磨パッドを使用して半導体ウェハの前面を研磨し、且つ同時に砥粒を含有しない研磨パッドを用いて半導体ウェハの裏面を研磨するが、その間に砥粒を含有する研磨剤を研磨パッドと半導体ウェハの裏面との間に導入し、引き続き半導体ウェハを反転させ、その後、第二の工程において固定された砥粒を含有する研磨パッドを用いて半導体ウェハの裏面を研磨し、且つ同時に固定された砥粒を含有しない研磨パッドを用いて半導体ウェハの前面を研磨し、砥粒を含有する研磨剤を研磨パッドと半導体ウェハの前面との間に導入することを含む、半導体ウェハの両面研磨方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの裏面の定義されたかつ有利な特性を有する半導体ウェハを提供すること
【解決手段】a) シリコン棒をウェハに切断することにより半導体ウェハを準備する工程、b) 前記半導体ウェハのエッジを丸めることで、前記半導体ウェハは前面及び裏面が平坦な面とエッジ領域で丸められかつ傾斜する面とを有する工程、c) 前記半導体ウェハの前面及び裏面を研磨し、前記前面の研磨は、研磨パッド中に固定された砥粒を有していない研磨パッドを使用する化学機械的研磨を有し、前記半導体ウェハの裏面の研磨は、それぞれ研磨パッド中に結合された研磨材料を有する研磨パッドを使用してかつ前記半導体ウェハの裏面に研磨圧力を加える3つの工程で行い、第1の工程では、固体を有していない研磨剤を前記研磨パッドと前記半導体ウェハの裏面との間に導入し、第2及び第3の工程では研磨材料を有する研磨剤を導入し、第1の及び第2の工程の8〜15psiの研磨圧力を、第3の工程では0.5〜5psiに低下させる工程を有する半導体ウェハの製造方法 (もっと読む)


【課題】今まで使用されていた微細研削の欠点及び慣用の粗大研削工程(PPG、DDG)及びラッピングの欠点を抑え、かつ同時に450mmに適している、半導体ウェハの製造シーケンスと新規の加工工程を獲得する。
【解決手段】半導体ウェハを両面同時に加工する方法であって、前記半導体ウェハは、自由に移動可能に、回転装置により回転される複数のキャリヤの1つにおける切り抜き部に載置されており、それによりサイクロイド軌跡で移動する前記方法によって達成され、該半導体ウェハは、2つの回転するリング状の工作ディスクの間で材料除去的に加工される半導体ウェハの両面同時加工方法において、各工作ディスクは、研磨材料を含む工作層を含み、研磨材料を含まないアルカリ性媒体が、加工の間に供給される前記方法によって解決される。 (もっと読む)


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