【課題】今まで使用されていた微細研削の欠点及び慣用の粗大研削工程（ＰＰＧ、ＤＤＧ）及びラッピングの欠点を抑え、かつ同時に４５０ｍｍに適している、半導体ウェハの製造シーケンスと新規の加工工程を獲得する。
【解決手段】半導体ウェハを両面同時に加工する方法であって、前記半導体ウェハは、自由に移動可能に、回転装置により回転される複数のキャリヤの１つにおける切り抜き部に載置されており、それによりサイクロイド軌跡で移動する前記方法によって達成され、該半導体ウェハは、２つの回転するリング状の工作ディスクの間で材料除去的に加工される半導体ウェハの両面同時加工方法において、各工作ディスクは、研磨材料を含む工作層を含み、研磨材料を含まないアルカリ性媒体が、加工の間に供給される前記方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】歩留まりロスを十分に低減することができるシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。
【解決手段】融液中に種子結晶を浸漬し、前記種子結晶を前記融液から結晶引き上げ速度で引き上げることにより種子結晶に接する箇所で単結晶を結晶化させ、前記単結晶の直径を円錐部の形で目標直径にまで拡大することを有する坩堝中に含まれている融液からシリコン単結晶を引き上げる方法において、前記円錐部において前記単結晶の成長フロントの湾曲の反転が生じるように前記結晶引き上げ速度を制御することを有する、単結晶の引き上げ方法 （もっと読む）

【課題】融液からの引き上げによる単結晶の製造において、ワイヤケーブル回転ヘッドの回転軸線を整合させかつワイヤケーブルの振り子運動の能動的な減衰を行うための手段を提供する。
【解決手段】単結晶５が引き上げられるチャンバ１内の圧力と同じく、大気圧より低い圧力下に収容されているワイヤケーブル回転ヘッド８の回転軸線を中心にワイヤケーブル６を回転させる単結晶の引き上げ方法において、るつぼ軸１８の回転軸線にワイヤケーブル回転ヘッド８の回転軸線を整合させ、かつ、ワイヤケーブル６の振り子運動の能動的な減衰を行うために、大気圧中に設置されたＸ−Ｙステージ１３を用いて、ワイヤケーブル回転ヘッド８の制御された移動を行う。Ｘ−Ｙステージ１３は、大気圧に配置された環境にあるため、特定の複雑な技術を用いることなく、駆動することができる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのプロセスモジュールを備える、平坦な基板の流体直列式処理のための装置及び方法に関する。特に、本発明は、基板の緩やかで且つ制御された搬送中のこのような処理に関し、処理は、基板の搬送にも関することができる。本発明によれば、処理平面５に実質的に水平に配置されており且つ下側流体クッション６Ａを形成するように設計された少なくとも１つの処理面７Ａを有する処理チャンバ２を含むプロセスモジュール１が設けられており、同じ平面における基板２２の線形送りのための入口３及び出口４の形式の２つの開口が、処理面７Ａに割り当てられており、処理チャンバ２内の基板２２の制御された送り９のための少なくとも１つのキャッチ１０を備えた少なくとも１つの送り装置が設けられている。さらに、本発明は、本発明による装置を使用する方法を提供する。
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【課題】特にナノトポロジーに関して、引き続く部品製造に関する高まる品質の要求を満たし、同時に費用が安く、材料を節約した、迅速で、柔軟性のある半導体ウェーハを製造方法を提供する。
【解決手段】１つの工程での半導体ウェーハの両面の同時研削、ワンストップダブルディスク・グラインディングを有する半導体ウェーハの製造方法において、この研削が唯一の削る機械的処理工程であり、この工程により半導体ウェーハの平面を処理する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの超音波洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】 洗浄槽の底部に、単一の超音波振動子により発振させた複数の周波数成分が重畳された変調超音波発生装置を設ける。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素を含有する水溶液に含まれる微量なアルミニウムのフレームレス原子吸光法における分析感度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素を含有する水溶液中に含まれるアルミニウムを分析する方法であって、フッ化水素を含有する水溶液およびストロンチウム塩を、原子化炉に導入して、灰化して原子化させ、アルミニウムを分析することを特徴とするフレームレス原子吸光法によるアルミニウムの分析方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を検出する方法に関する。
【解決手段】シリコンウエハを希フッ酸で処理し、前記処理されたシリコンウエハをＣｕイオン含有希フッ酸に浸漬し、純水洗浄した後ＳＣ１洗浄し、前記シリコンウエハの表面に形成されたヘイズを分析することを特徴とする。
【効果】シリコンウエハ表面の微小加工損傷を確実にかつ高精度で検出、評価することができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル被覆されたシリコンウェハのグローバル及びローカルフラットネスを実現する方法を提供する。
【解決手段】第１工程において水素雰囲気下で、第２工程及び第３工程においてこの水素雰囲気にエッチング媒体を添加しながら前処理し、引き続きエピタキシャル層を設け、その際、第１工程の間及び第２工程の間の水素流速、第２工程及び第３工程の間にエッチング媒体の流速は特定の速度であり、更に第２工程の間の反応器チャンバー中の平均温度は特定の温度であり、加熱エレメントの出力を特定の領域間で特定の温度差が存在するように制御し、第３工程の間に水素流速を特定速度に減少させるエピタキシャルに被覆されたシリコンウェハの第１の製造方法。第２の方法は、第３の前処理工程の間にエッチング媒体の流速を１．５〜５ｓｌｍに増加させ、その一方で水素流速は第３の前処理の間に減少させる必要はない。 （もっと読む）

【課題】低酸素シリコン単結晶を製造するのに適しておりかつ酸素濃度を制御するために努力をあまり必要としない方法を提供する。
【解決手段】るつぼに融液を提供し、磁界中心Ｃにおける磁気誘導Ｂを有する水平方向磁界を融液に提供し、ガスをシリコン単結晶と熱遮へい体の間を融液自由面に向かって送り、融液自由面の、実質的に磁気誘導Ｂに対して垂直に延びた領域上を流れるようにガスを制御する。 （もっと読む）