説明

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングにより出願された特許

1 - 10 / 586


【課題】構造高さの小さな薄膜半導体チップを後にウェハレベルで簡単にテストでき、また、構造高さが小さく、良好な機械的安定性を有する薄膜発光ダイオードチップを提供する。
【解決手段】薄膜半導体チップ1が、電磁放射の形成に適した活性層体2と、活性層体2上の導電性かつ反射性のコンタクト材料層4と、導電性かつ反射性のコンタクト層4上のフレキシブルな導電性シート6から成る支持体層とを含み、導電性シート6はカーボンシートである。 (もっと読む)


【課題】光学部材をオプトエレクトロニクスデバイスに固定する照明装置を提供する。
【解決手段】光学部材2は少なくとも1つの固定部材9を有しており、当該固定部材は光学部材をオプトエレクトロニクスデバイス20に固定するように設けられており、光学部材2は少なくとも1つのガイド部材を有しており、当該ガイド部材は前記固定部材と比較して、固定部材の側で光学部材2に接している縁部により近く配置されている照明装置。 (もっと読む)


【課題】効率が改善されたオプトエレクトロニクス半導体チップを提供する。
【解決手段】半導体チップの成長方向において、以下の順序で複数の領域を有する、すなわち、アクティブ領域に対するpドープされたバリア層と、電磁放射の生成に適しており、六方晶系の化合物半導体をベースとするアクティブ領域と、アクティブ領域に対するnドープされたバリア層とを有し、前記アクティブ領域は放射生成のために設けられている量子井戸構造を含み、成長方向において、前記放射生成のために設けられている量子井戸構造の前段には、放射生成のためには設けられていない少なくとも1つの量子井戸構造が配置されている。 (もっと読む)


【課題】高い取出効率を有する半導体チップの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ及び半導体チップを製造する方法。半導体チップ1は、放射を発生するために設けられた活性領域23を有する半導体連続層を有する半導体ボディ2を含んで、半導体連続層が半導体ボディ2を形成する。コンタクト部4が半導体ボディ2の上に配置される。注入障壁5がコンタクト部4と活性領域23の間に形成される。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、高い効率を特徴とする光源として少なくとも1つのLEDを備えた照明ユニットを提供する。
【解決手段】一次放射線を光学スペクトル領域の370〜430nmの領域内(ピーク波長)で発光し、前記の放射線を赤色、緑色及び青色で発光する3種の蛍光体を用いてより長波長の放射線に変換する発光変換LEDをベースとする照明ユニット。 (もっと読む)


【課題】りん光体では、適切な比率の正孔と電子を発光層中に注入可能なデバイスを、励起子消光を可能にする材料、例えば導電性が低くデバイスの効率を下げる他の特性が低い有機材料を用いて作成することを含む可能性があるという問題があった。
【解決手段】OLEDの発光材料中に電子と正孔を注入する効率を、発光層の片側又は両側に整合層を追加することによって改善する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップにおいて、改善されたビーム放出効率が得られるように、すなわち使用される電気出力単位当たりで改善されたビーム強度が得られるように構成することである。
【解決手段】トレンチは裏側で薄膜層のただ1つの部分領域を定め、該部分領域は実質的に前面コンタクト構造体とは重なっておらず、前記裏側では前記部分領域にだけ電気的裏側コンタクトが形成されており、前記トレンチは薄膜層の主伸長面を基準にして斜めの内壁を、電磁ビームを偏向するために有する。 (もっと読む)


【課題】LEDの光出力を最適に利用できるように、LEDの改善された放熱によって優れた、表面実装されたLED装置、および、立体的形態の異なる空間的形態を簡単に実現可能であるLED装置が得られることになる。
【解決手段】プラスチック材料からなる導電性プレート(1)と、該導電性プレート(1)の主要面積上に対応配置された複数のLED(2)と、金属性層(4)とを有し、該金属性層(4)は、該導電性プレート(1)のLEDに向けられていない側の上に備えられている表面実装されたLED装置において、LED(2)が、表面実装可能なLEDであり、冷却体(3)が、導電性プレート(1)のLED(2)に向けられていない側と接続されている。 (もっと読む)


【課題】無機蛍光体を有するLEDを提供する。
【解決手段】LEDチップ1が300〜470nmの範囲の一次放射線を放出し、この放射線が部分的に又は完全に、LED1の一次放射線に曝されている少なくとも1種の蛍光体6により長波長の放射線に変換され、その際、前記変換は、少なくとも、平均粒度d50が1〜50nm、好ましくは2〜25nmの範囲内である1種の蛍光体6の利用下で達成されるLEDである。 (もっと読む)


【課題】生成された出力結合すべきビームの特性を従来方式のチップよりも向上させ、かつ従来形のLEDケーシング構造の中にも十分に組み込める、発光ダイオードチップを提供することである。またそれと同時にその製造方法についても従来の発光ダイオードチップの製造方法に比べて技術的に増える手間がごく僅かで済むように改善を行うこと。
【解決手段】横断面積がFLのビーム発光アクティブ領域(32)と、照射方向で該ビーム発光アクティブ領域(32)に後置接続されている屈折率nsのビーム透過性ウインドウ層(2)を有し、該ウインドウ層は光出力結合のためにFCの横断面積を有し、さらに屈折率nMの媒体が接している出力結合面を有し、前記ns>nMであり、前記ビーム発光アクティブ領域(32)の横断面積FLを、出力結合面の横断面積FCよりも小さくする。 (もっと読む)


1 - 10 / 586