【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶部材のデバイスを製造する際における剥離バッファー層をエッチングする時間を短縮する。
【解決手段】下地基板の上にバッファー層を形成する工程と、前記バッファー層の上に前記バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成する工程と、前記バッファー層の表面における前記マスクパターンにより露出された領域からＩＩＩ族窒化物の結晶を成長させ前記バッファー層と前記マスクパターンの一部とを覆うように複数の結晶部材が互いに隙間を隔てて配された構造体を形成する工程と、前記マスクパターンの第１のエッチャントを用いて前記マスクパターンを選択的にエッチングして前記バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する工程と、前記隙間及び前記経路を介して前記第２のエッチャントを供給し前記バッファー層を選択的にエッチングして前記複数の結晶部材を前記下地基板から分離するとともに互いに分離する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】基板上１にAlN単結晶層２またはＡｌを含むIII族窒化物単結晶層２を０．００５μm以上１０μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板１，２又はサファイア基板１を窒化処理したAlNテンプレート基板１，２、もしくはAlN単結晶基板上に、金属層３，４を成膜する工程と、金属層３，４の上に開口部６’を有するパターンマスク膜６を形成する工程と、マスク開口部６’に露呈した部位の金属層３をアンモニア混合ガス雰囲気中で加熱処理を行い金属窒化物層７を形成する工程と、金属窒化物層７を核としてIII族窒化物半導体層８を成膜する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】バイオディーゼル燃料用の脂肪酸エステルの効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】脂肪酸トリグリセリドと低級アルコールとのエステル交換反応でバイオディーゼル燃料用脂肪酸エステルを製造する際に、反応溶媒として生成物である脂肪酸エステルを混合することによって反応液を均相化させ、反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】脂肪酸エステルの製造方法を効率よく製造する。
【解決手段】油脂類とアルコール類とのエステル交換反応により脂肪酸エステルを製造する方法において、脂肪酸エステル生成工程（Ａ工程）、および陰イオン交換体再生工程（Ｂ工程）を行う単位２，３，４を複数有し、単位２，３，４の１以上でＡ工程を行う間、単位２，３，４の他の１以上でＢ工程を行うものであり、各々の単位２，３，４内でＡ工程とＢ工程とを交互に行うことにより連続的に脂肪酸エステルを生成し、Ａ工程は油脂類およびアルコール類を油脂類、アルコール類及び脂肪酸エステルに不溶性の陰イオン交換体に接触させる工程を含み、Ｂ工程は陰イオン交換体の対イオンの置換を行なう再生工程を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の上に第１バッファー層３０を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層３０の上に、複数の開口を有するマスク４０を形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層３０の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層６０a、６０bを形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層６０a、６０bの上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】切削力を高精度に検出することができる加工装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る加工装置１は、切刃１２を有する工具２と、工具２を微小振動させるアクチュエータ３と、アクチュエータ３を収容するケーシング４と、ケーシング４の内部に配置されアクチュエータ３に予荷重を与える予負荷機構５と、切刃１２と予負荷機構５の間に配置された力センサ６と、力センサ６の出力に基づいて加工部１の切削力を検出する検出手段（コンピュータ１９）とを具備する。本発明において、力センサ６は、工具２の慣性質量に基づく力成分のみを検出する。これにより、非加工時に検出される力センサ６の出力を小さくすることができるため、加工時に検出される力センサの出力との差分が大きくなり、切削力の検出精度を大幅に向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い飽和磁束密度を有しつつ高肉厚化を可能とするアモルファス合金組成物を提供すること。
【解決手段】組成を特定の組成Ｆｅ_ａＢ_ｂＳｉ_ｃＰ_ｘＣｕ_ｙとすると、厚さが３０μｍ以上３００μｍ以下の薄帯形状を有するアモルファス合金組成物や、厚さ０．５ｍｍ以上の板状又は外形１ｍｍ以上の棒状の形状を有するアモルファス合金組成物、厚さ１ｍｍ以上の板状又は棒状の部位を一部に有する所定形状のアモルファス合金組成物などが得られる。ここで、ａ〜ｃ、ｘ、ｙは、７３≦ａ≦８５ａｔ％、９．６５≦ｂ≦２２ａｔ％、９．６５≦ｂ＋ｃ≦２４．７５ａｔ％、０．２５≦ｘ≦５ａｔ％、０≦ｙ≦０．３５ａｔ％、及び０≦ｙ／ｘ≦０．５の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】一度に多数の試料を用いて、イネの品種判別（識別）を簡便にかつ低コストで実施できるようなＳＮＰ分析手段、並びに、該分析手段に使用する一塩基多型（ＳＮＰ）を含むポリヌクレオチド（断片）及び該ポリヌクレオチドから成るイネ品種判別用変異型プローブを提供すること。
【解決手段】イネの品種判別用ＳＮＰマーカーとして有用な特定の配列で示されるポリヌクレオチド、該ポリヌクレオチドから成るイネ品種判別用ＳＮＰマーカー及び該マーカーセット、並びに、該マーカーセット等を用いて該ＳＮＰを分析することによるイネの品種判別方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。
【解決手段】下地基板と、下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜と、を備え、クロム窒化物膜の三角錐形状の各微結晶部は、すべての斜面がクロム窒化物の結晶面で構成されている。各斜面における結晶方位は揃っており、｛１００｝面群で構成されている。また、クロム窒化物膜の各微結晶部は、（１１１）面を底面とする。 （もっと読む）