【課題】 硝酸態窒素を含む産業廃水等に脱窒細菌を添加し、硝酸態窒素の濃度を低下させる廃水処理を行う際に、その処理速度を早めること。
【解決手段】 硝酸態窒素を含む廃水に対し、当該廃水中の硝酸態窒素の濃度が５０００ｍｇ／ｌ以下となるように所定の希釈水で希釈した後、脱窒細菌を添加して廃水中の硝酸態窒素の濃度を低下させる。ここで、希釈水としては、希釈後の廃水中の塩濃度が４％〜１０％の適正範囲内となるものを用いる。その結果、前記適正範囲外となる塩濃度の場合に比べ、脱窒細菌による脱窒活性が大幅に向上して廃水処理速度が早まることになり、硝酸態窒素の濃度を所定値に低下させるのに要する時間が約半分以上短縮される。 （もっと読む）

【課題】 導体とポリイミドフィルムとの接着性及び密着性に優れると共に、ポリイミドフィルムの誘電特性等の特性を損なうことなく信頼性に優れた積層体であって、フレキシブルプリント配線板のファインパターン加工が可能な積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面がプラズマ処理されていると共にシランカップリング処理されており、この面には貴金属化合物を含んだ触媒を介して無電解めっき層が形成され、更に電気めっき層が形成されているフレキシブルプリント配線板用積層体であり、また、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の面をプラズマ処理する工程、シランカップリング処理する工程、貴金属化合物を含んだ触媒を付着させる工程、この触媒を介して無電解めっき層を形成する工程及び電気めっき層を形成する工程とを含むフレキシブルプリント配線板用積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
スルーホールを有するプリント配線板のメッキにおいて、メッキ液の簡単な攪拌方法で、高いアスペクト比のスルーホール表面にも、均一で十分な厚みのメッキを精度よく行うことができ、さらには、スルーホール表面のメッキ厚みとプリント配線板表面のメッキ厚みの比を100％に近づけるようなメッキ方法およびメッキ装置を提供すること
【課題を解決するための手段】
スルーホールを有するプリント配線板をメッキ液に浸漬し、該プリント配線板の一方の面に接触するメッキ液と、他方の面に接触するメッキ液の攪拌速度を異なるようにした。メッキ液の攪拌の方法は、攪拌棒を往復運動させる方法で、プリント配線板の一方の面に面する攪拌棒の往復速度と他方の面の往復速度とが異なるように攪拌する。
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【課題】
本発明は、単層カーボンナノチューブのみを比較的低温で、効率よく高純度に製造でき、生成速度が速く、量産性に優れた単層カーボンナノチューブの製造方法および製造装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
基板の表面をクリーニングする工程と、クリーニングされた基板の表面に、触媒材料を形成する工程と、続いてカーボンナノチューブを形成する工程と、その後、形成された不純物を削減する工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法において、触媒材料を形成する工程で、触媒材料を形成する前に、前記クリーニングされた基板の表面に、基板の表面と触媒材料との反応を防止するための反応防止層を形成し、触媒材料形成後、その上に分散材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】 人工酸素運搬体の提供。
【解決手段】 本発明は、L-チロシンを含むメト化防止剤、及び該メト化防止剤を含有する小胞体を提供する。具体的には、二分子膜構造を持つ小胞体に内包されたヘモグロビン等が酸化されてメトヘモグロビン含量が増加することを防止し、長期保存に適した酸素輸液製剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により欠陥が無く、良質で、大口径の窒化物単結晶が効率良く製造できる窒化物単結晶の製造技術を提供する。
【解決手段】 加熱炉１内の原料るつぼ４内に収容した窒化物単結晶用の原料９を加熱して昇華させ、昇華させた原料を、当該加熱炉内に設けられ、サセプター１０にて支持されている種子結晶７上に析出させて単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法であって、サセプターに設けられた回転手段１１にて、原料の昇華開始初期の段階では当該サセプターの種子結晶を設けていない面１２が原料るつぼ側を向く位置に回転させ、原料の昇華が定常状態に移行したときに回転手段にてサセプターを回転させて種子結晶７の面が原料るつぼ側を向くように回転させ、当該種子結晶上に昇華させた原料を析出させる。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を、その有利な製造装置と共に提供する。
【解決手段】 加熱炉１内の原料９及び種結晶７を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶７上の温度が原料９の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶７の温度を原料９の温度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】正確な動きタイプ予測が可能で、映像内容が複雑な動きを示す場合でも高い頑健性を得ることができる動き推定技術の提供。
【解決手段】対象フレームの各ブロックの既に決定された動きベクトルに基づき、ブロックＣ_０の動きベクトルの仮推定値ＭＶ_０”を決定する。ＭＶ_０”とブロックＣ_０周囲のブロックの動きベクトルＭＶ_ｊとの距離の代表値δ_Ｔ、すなわち動き複雑性を算出する。更に、参照フレームについても動き複雑性δ_Ｔ−１を算出する。この代表値δ_Ｔ、δ_Ｔ−１の値に対応するブロック探索方法を、代表値δ_Ｔ、δ_Ｔ−１の各値に対応して予め決められている各種ブロック探索方法の中から選択する。このブロック探索方法によって、ブロック探索を行い、動きベクトルを決定する。このように、動き複雑性によりブロック探索方法を適応化させることで、映像内容が複雑な動きを示す場合であっても高い頑健性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により良質の窒化物単結晶が製造できる窒化物単結晶の製造技術を提供する。
【解決手段】 加熱炉１内で窒化物単結晶用の原料９を加熱して昇華させ、昇華させた原料を、加熱炉内に設けられた種子結晶７上に析出させて単結晶を成長させる窒化物単結晶の製造方法において、原料の窒化アルミニウムに適量のカーボンをあらかじめ混合した混合原料を加熱、昇華させる。 （もっと読む）

【課題】 回路規模を増大させることなく、演算時間を短縮できる乗算剰余演算器及び情報処理装置を提供する。
【解決手段】 Ｓ＝Ｓ＋Ａ×Ｂ＋ｕ×Ｎを算出するための乗算剰余演算器であって、複数のビット数ｑ単位で供給される乗数Ｂ、Ｎの値をBooth法に基づいて変換し、該変換後のＢに対応する被乗数Ａの整数倍の値を選択して出力し、該変換後のＮに対応する被乗数ｕの整数倍の値を選択して出力する論理回路と、論理回路から順次出力される値を用いてＡ×Ｂ＋ｕ×Ｎの演算を実行する桁上げ保存加算器と、桁上げ保存加算器からビット数ｑ単位で出力されるＡ×Ｂ＋ｕ×Ｎの演算結果とビット数ｑ単位で供給される過去の該演算結果とを加算し、該加算結果を乗算剰余演算結果Ｓとして出力する加算器とを有する構成とする。 （もっと読む）