【課題】高出力化を図る発光素子アレイを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、ゲートに一定の電位が印加されたときアノードとカソード間で導通することが可能な３端子構造のシフト部サイリスタT1〜T6と、シフト部サイリスタT1〜T6から分離するように形成された発光ダイオードL1〜L6と、シフト部サイリスタT1〜T6のゲート間を結合する結合ダイオードD0〜D6とを有する。発光ダイオードＬ１〜Ｌ６のアノードは、対応するシフト部サイリスタT1〜T6のゲートに短絡され、発光ダイオードのカソードは、外部からの発光信号ラインΦＩ１またはΦＩ２に接続される。点弧されたシフト部サイリスタに接続された発光ダイオードは、発光信号ラインΦＩ１またはΦＩ２から供給される信号に応じて発光または非発光する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の第１の半導体層１６と、量子井戸構造２０と、キャリアブロック調整層２４を含むｎ型の第２の半導体層２２と、ｐ型の第３の半導体層２６と、ｎ型の第４の半導体層２８と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２８上に形成された上部電極３２と、ゲート電極３４とを有する。キャリアブロック調整層のバンドギャップは、正孔に対するエネルギーレベルが量子井戸構造のバリア層のエネルギーレベルよりも高くなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る自己走査型発光素子アレイを提供する。
【解決手段】自己走査型発光素子アレイ１０は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Ｓｎ-１、Ｓｎ、Ｓｎ＋１、Ｓｎ+２と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタＬｎ−１、Ｌｎ、Ｌｎ+１、Ｌｎ+２と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタＴｎー１、Ｔｎ、Ｔｎ+１、Ｔｎ+２と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタＰＴｎ、ＰＴｎ+１、ＰＴｎ+２、ＰＴｎ+３と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層２８ＰＴの直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る自己走査型発光素子アレイを提供する。
【解決手段】自己走査型発光素子アレイは、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTｎ、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子にレンズを設けることにより、発光素子から取り出される光量の差を抑制した発光部品等を提供することを目的とする。
【解決手段】発光チップＣは、基板８０上に列状に配置された複数の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８と、それぞれの発光サイリスタＬの光を出射する発光面３１１に対向してそれぞれ設けられ、発光サイリスタＬが出射する光を集光するとともに、それぞれの発光サイリスタＬに発光のための電流が供給される配線のφＩ端子からの抵抗値に対応して、光量を増加させる割合が設定された複数のレンズ９０を備えている。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTｎ、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子の発光面にレンズを設けることにより、効率よく光を取り出すことのできる発光部品等を提供する。
【解決手段】第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１が設けられている。発光サイリスタＬ１の発光面３１１上には、発光面３１１と交差する方向に開口された開口部９２ａと、開口部９２ａの発光面３１１から遠い側の端に連続し、開口部９２ａから発光面３１１に沿う方向に遠ざかるとともに発光面３１１に近づくとともに、発光面３１１から遠ざかる方向に凸面状である表面（曲面９２ｃ）を有する曲面部９２ｂとを備えたレンズ９２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の半導体多層膜反射鏡１６と、ｐ型の第１の半導体層１８と、ｎ型の第２の半導体層２０と、ｐ型の第３の半導体層２２と、ｎ型の第４の半導体層２４と、半導体基板１２の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２４上に形成された上部電極３２とを有し、半導体多層膜反射鏡１６は、選択的に酸化された酸化ＤＢＲ１６Ａと、これに隣接する導電ＤＢＲ１６Ｂとを含み、酸化ＤＢＲ１６Ａは、半導体基板による光の吸収を抑制し、導電ＤＢＲ１６Ｂは、半導体基板１２と第１の半導体層１８とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子が列状に配列された発光素子アレイのそれぞれの発光素子の発光面に設けたレンズにより、効率よく光を取り出すことのできる発光部品等を提供する。
【解決手段】第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１が設けられている。発光サイリスタＬ１の発光面３１１上には、発光面３１１から遠ざかるにしたがい狭まりながら傾斜するとともに、発光面３１１から遠い側に凸状となった曲面部９２ｂと、曲面部９２ｂの発光面３１１から遠い側に曲面部９２ｂとつながった平面部９２ａとを備えたレンズ９２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被駆動素子に対する補正データを記憶する補正データメモリ（ＭＥＭ）を少ない素子で構成する。
【解決手段】補正データメモリ（ＭＥＭ）が、第１及び第２のインバータ（２２４、２２３）で構成されるメモリセルと、第１のインバータ（２２４）の入力端子に接続され、メモリセルへデータを伝達する第１導電形の第１のスイッチ素子（２３１，２３２）と、第１のインバータ（２２４）の出力端子と、グランドの間に接続された第１導電形の第２のスイッチ素子（５００）とを備え、第１のインバータの出力端子が第２のインバータの入力端子に接続され、第２のインバータの出力端子が第１のインバータの入力端子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】
連続通電した場合でも光学素子の光量の低下が比較的小さい光学素子ヘッドおよび光学素子ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る光学素子ヘッド１は、一方主面側に複数の光学素子を列状に有するとともに前記一方主面側に凸状に湾曲した長方形状の光学素子アレイ１０を、長尺の基板２０の上面に熱硬化性の接着剤３０を介して列状に複数個接着した光学素子ヘッド１であって、前記光学素子アレイ１０は、前記基板２０への接着前に予め前記一方主面側に凹状に湾曲させた状態で前記基板２０の上面に配列されて、前記接着剤３０の硬化後の応力によって前記一方主面側に凸状に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】ゲート層をピーク波長が単一の発光層で構成する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、Ａｌの組成が０．１２、ピーク波長λ＝７８８．０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ａ、及びＡｌの組成が０．１４、ピーク波長λ＝７７５．７ｎｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂの、ピーク波長が異なる２つの発光層で構成している。 （もっと読む）

【課題】ゲート層全体が発光層として機能する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８のうち、発光層をバンドギャップの小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂとし、一方、残りのゲート層１０８を発光層１０８Ｂよりもバンドギャップ（ＤＢＲ各層のバンドギャップの平均値）が大きいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ａとしている。 （もっと読む）

【課題】本構成を有しない場合と比較して、キャリアの発光再結合の確率が向上された発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態の発光サイリスタ１００では、ｐ型ＡｌＧａＡｓ系のアノード層１０６とｎ型ＡｌＧａＡｓ系のカソード層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、ｐ型ＡｌＧａＡｓ系のアノード層１０６側から順に、バンドギャップが小さいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のトラップ層１０８Ａ２、バンドギャップが大きいｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ｂ１、及びバンドギャップが小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂ０が積層されるように構成している。 （もっと読む）

【課題】複数の発光面が列状に配列された発光素子アレイを有する発光部品において、光を効率よく取り出すためのレンズを設置する台座による応力の発生を抑制する。
【解決手段】発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３…上（基板８０の反対側）には、円筒（丸筒）状の台座（ペデスタル）９１を介して、球状のレンズ９２がそれぞれ設けられている。台座９１は、発光サイリスタＬ１の発光面３１１の周辺部に設けられている。それぞれのレンズ９２は発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…のそれぞれの発光面３１１から空隙（空気層）９３を介して設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子とこれを駆動する駆動部を同一の基板に設けた構成において、当該基板を支持する透明基板の電気配線と駆動部との電気的な短絡を防止する。
【解決手段】配線が配された光透過性の第１の基板と、発光素子を有するとともに当該発光素子を第１の基板に向けた状態で第１の基板に支持される第２の基板と、第２の基板に配されて発光素子を駆動する駆動部と、第１の基板の配線と第２の基板の駆動部との間に配される絶縁部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】列状に配列された複数の発光素子において、列方向の長さと列方向と直交する方向の長さとが異なる発光領域を有する発光素子から光を効率よく取り出す。
【解決手段】発光部１０２を構成する発光サイリスタ列のそれぞれの発光サイリスタＬの発光領域３１１は、点灯信号線７５の２つの主部７５ａおよび２つの副部７５ｃで取り囲まれている。接続部７５ｄは、発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けられ、２つの副部７５ｃの一方と発光領域３１１上に設けられたｎ型オーミック電極３２１とを接続している。そして、副部７５ｃは、隣接する発光サイリスタＬの発光領域３１１の間の分離溝の中に設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子に印加される点灯のための電位の変動を抑制した発光チップを提供する。
【解決手段】発光チップＣａ１（Ｃ）は、基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…、書込サイリスタＭ１、Ｍ２、Ｍ３、…を備える。転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…をそれぞれ番号順に２つをペアにしてそれぞれの間に結合ダイオードＤｘ１、Ｄｘ２、Ｄｘ３、…を備える。さらに、発光サイリスタＬが非点灯であるときに、点灯時に発光サイリスタＬに流れる電流と等しい電流が流れる擬似電流部１０４を備えている。擬似電流部１０４は、擬似発光サイリスタＬｄ、擬似書込サイリスタＭｄを備えている。 （もっと読む）

【課題】 比較的コンパクトでありながら、発光不良等が少なく、動作信頼性が高い発光装置を提供する。
【解決手段】 基板、発光部、基板および発光部の少なくとも一部を被覆する絶縁保護層を有する発光素子と、前記発光素子が載置された、導体部部を有する回路基板と、前記回路基板の上面から前記基板の側面にかけて被着され、回路基板と基板とを接合した接合部材と、接合部材の表面および絶縁保護層の表面を通り、前記導体部と前記発光素子とを電気的に接続した導体層とを備え、前記発光素子の前記基板は、前記側面の側の前記一方主面の周縁部に、前記一方主面および前記側面と繋がる傾斜部を有し、前記絶縁保護層が、前記基板の前記一方主面から前記傾斜部にかけて被覆されているとともに、前記接合部材が、前記回路基板の前記上面および前記基板の側面から前記傾斜部を被覆する前記絶縁保護層の表面にかけて被着されていることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬと遮光部材の間に光透過性基板を配した露光ヘッドにおいて、ゴーストの発生を抑制することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】有機ＥＬおよび当該有機ＥＬを封止する封止部材が配されるシリコン基板と、シリコン基板の有機ＥＬおよび封止部材を覆うとともに、有機ＥＬの発光する光が透過する光透過性基板と、有機ＥＬに開口する開口部を有し、有機ＥＬから光透過性基板を透過して開口部に入射する光が通過する孔が配されるとともに、孔の方向から見て開口部がシリコン基板より小さくシリコン基板の内側に配される遮光部材と、遮光部材の孔を通過する光を結像する光学系と、を備える。 （もっと読む）