【課題】圧電膜に対する張力を所望の状態に管理することができる圧力検出装置を提供する。
【解決手段】圧力検出装置１は、圧電膜４０を間に挟んで上ケース２０と下ケース３０とを互いに突き合わせることにより、圧電膜４０によって仕切られた一対の圧力室２１，３１を形成する本体部１０と、弾性部材で形成されるＯリング５０と、を有する。ここで、上ケース２０に形成される上側溝部２２は、上側溝部２２の内径ＤciがＯリング５０の内径Ｄriと対応して設定されるとともに、上側溝部２２の深さＬｃがＯリング５０の太さＤｄよりも小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることが可能な複合基板の製造方法、及び複合基板の製造装置の提供。
【解決手段】複合基板１の製造方法は、シリコン基板１０の第１主面１１に少なくとも１つの第１凹部１２を形成する工程と、シリコン基板１０の第１主面１１にガラス基板２０を接合する工程と、シリコン基板１０の第１主面１１とは反対側の第２主面１３に、少なくとも一部が第１凹部１２と連通する複数の第２凹部１４を形成する工程と、ガラス基板２０を加熱して粘性流動状態にすると共に、シリコン基板１０の第２主面１３側から吸引し、ガラス基板２０を第１凹部１２及び第２凹部１４に充填する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁障害（ＥＭＣ）に対する圧力測定モジュール１０の耐性を向上させ、圧力測定モジュール１０の構造を格段に簡素化し、フレキシブルにする。
【解決手段】少なくとも１つの導体路（５０）または打抜きグリッド（３０）の自由端部は、ボンディングワイヤ（２４）を介して前記圧力測定チップ（２０）の平坦面（２２）と電気接続されており、コンデンサ（２８，５６）は、ケーシング（１２）内の開口部（４６）に取り付けられており、当該開口部には前記内室（１４）とは反対側の前記ハウジング（１２）の裏側（４２）からアクセスすることができ、前記コンデンサ（２８，５６）は、前記少なくとも１つの導体路（５０）または打抜きグリッド（３０）の自由端部と、当該少なくとも１つの導体路（５０）または打抜きグリッド（３０）のボンディングワイヤ端子とは反対の側で電気接続されている。 （もっと読む）

【課題】飛行物体が離着陸する施設において発生するダウンバースト等の気象変動を予測するために利用可能な情報をリアルタイムに可視化して提供することができる気象変動情報提供システム、気象変動情報提供方法、気象変動情報提供プログラム及び記録媒体を提供すること。
【解決手段】気象変動情報提供システム１は、飛行物体の離着陸の目標位置を含む離着陸領域に分散して配置される複数の気圧計測装置２と、データ処理装置４と、を含む。データ処理装置４は、複数の気圧計測装置２の各々から気圧データを取得する気圧データ取得部３２と、気圧データ取得部３２が取得した気圧データに基づいて、気圧の変化に起因して発生する局所的な気象変動に関する情報を生成する気象変動情報生成部３４と、を含む。気象変動情報生成部３４は、気象変動に関する情報の少なくとも一部として、離着陸領域における気圧分布を表す時系列の画像情報を生成する。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】隔膜気圧計における標準圧室の真空を含む標準気圧の経時変化の問題を根本的に解決するために、隔膜気圧計の標準圧室の気圧が経時変化などで変動しても、標準圧室の標準気圧を計測し、この標準気圧が校正できる隔膜気圧計を提供する。
【解決手段】標準圧室を有する隔膜気圧計において、標準圧室内に熱型気圧センサを備え、その標準圧室内の気圧を常時または必要に応じて計測して、この計測した気圧を標準気圧として利用するようにした。熱伝導型センサとしてシリコン基板を利用し、絶対温度センサを備える。標準圧室の気圧を所望の気圧付近に調整することもできるようにする。 （もっと読む）

【課題】圧力センサなどのデバイスの製造工程中に空洞内の上下のシリコン面の固着がない半導体基板およびその製造方法を提供する。また、精度良い小型のダイアグラムを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造１０１のダイアフラム１００を有するシリコン基板１およびその製造方法において、ＳＯＮ構造１０１を構成する空洞２内の下側のシリコン面３に凸状の島４を形成する。半導体基板の表面に深さの異なるホール群を形成し、高温アニール処理することにより一つの大きな空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を重ね合わせて接合してなる積層構造において、接合材の接合面からのはみ出しを防止す積層体、これを備えた電子デバイス、圧電デバイス、これを備えた圧電モジュール、電子機器及び積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１は、積層して接合材４０で接合される感圧素子層１０、ダイアフラム層２０、ベース層３０を備え、感圧素子層１０の枠部１０８には溝部１０２ａ，１０２ｂが形成され、ダイアフラム層２０の他方の主面側の枠部２０６には溝部２０８が形成され、ベース層３０の一方の主面側の枠部３０４には溝部３０６が形成されている。溝部２０８は溝部１０２ａと互いに対向しないように位置をずらして配置され、溝部３０６は溝部１０２ｂと互いに対向しないように位置をずらして配置されている。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さいばかりでなく効果的に大量生産することができる高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層１５０によって第２のデバイス層２００から分離された第１のデバイス層１００を備えるデバイスウェーハを備える、環境的影響力を測定するためのデバイスおよび同デバイスを製作する方法が開示される。エッチングされた基板ウェーハ６００に第１のデバイスウェーハが接合されて、懸垂されたダイアフラム５００および突起５５０が作製され、その撓みが、内蔵された検出素子８５０によって測定される。 （もっと読む）

【課題】温度変化率の増大を抑制することができる圧力検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力検出素子の製造方法は、以下の工程を備えている。主表面１ａ側に凹部４を有する第１の基板１に、第１の基板１の凹部４を覆うように主表面１ａ側に積層された第２の基板２が接合される。積層方向から見て第２の基板２の凹部４と重なる部分に、第２の基板２の歪みを検出するための歪検出素子５が形成される。歪検出素子５に接するように電気配線７が形成される。電気配線７が形成された後に、歪検出素子５の電気配線７と接する箇所が還元されるように水素雰囲気で熱処理される。熱処理の終了時における水素分圧は０．４気圧以下である。 （もっと読む）

【課題】 センサデバイスに関する装置及び関連する作成方法が提供される。
【解決手段】 センサデバイスは、第１部分に形成された検出装置を有する第１部分及び第２構造を含むセンサ構造を含む。封止構造は、前記センサ構造と前記第２構造との間に挿入され、ここで、封止構造は、センサ構造の第１部分を囲む。封止構造は、第１部分の第１側に固定基準圧力を設け、第１部分の対向側は周囲圧力にさらされる。 （もっと読む）

【課題】センサチップの支持強度を高めるとともにセンサチップへのノイズの影響を抑制し得る圧力センサを提供する。
【解決手段】各歪みゲージ抵抗４５ａ〜４５ｄが形成される第１のシリコン基板４１における第１の板面５１の面方位が（１１０）面であり、当該各歪みゲージ抵抗４５ａ〜４５ｄはその長手方向が＜１１０＞結晶軸方向に沿うように配置されている。そして、第２のシリコン基板４２における第２の板面５２には、＜１１０＞結晶軸方向に沿うセンサチップ側溝５２ａが所定の間隔にて複数形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧力導入孔から光の照射又は異物の混入を防止し、延いては圧力センサの特性の低下を防止し得る圧力センサパッケージを提供する。
【解決手段】圧力センサパッケージ１Ａは、圧力センサ１０を実装した箱状のパッケージ本体２０と、圧力センサ１０の上側に設けられたダイアフラム１１の上方に空間２１を確保した状態でパッケージ本体２０を覆うリッド３０とを備えている。パッケージ本体２０は、樹脂からなっている。パッケージ本体２０には、外部から空間２１に連通する圧力導入孔２９が形成されている。圧力導入孔２９は、圧力センサ１０に接続されてパッケージ本体２０の外側まで延びる金属配線パターンに少なくとも一部が沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】被測定圧力の変化を静電容量の変化として検出するダイアフラム構造を備えた圧力センサにおいて、圧力センサのパッケージにリードピンを気密封止するハーメチックシール部に作用する応力を大幅に低減する。
【解決手段】筒状のハウジング１２及びハウジング１２の端部に接合される板状のカバー１３を有するパッケージ１０と、パッケージ１０の内部に形成される基準真空室１０Ｂと圧力導入部１０Ａとを隔絶する圧力検出用のセンサチップ３０と、センサチップ３０に電気的に接続されるとともにカバー１３の挿通孔１３ａを介してパッケージ１０の外部に露出するリードピン４１と、挿通孔１３ａとリードピン４１との間を気密的に封止する封着用ガラスで構成されるハーメチックシール部４３・６０と、を備える圧力センサ１０であって、カバー１３の内側面に凹部１３ｂを形成することにより応力吸収用の薄肉部１３ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】検出精度が低下することを抑制することができる力学量センサを提供する。
【解決手段】物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部２１が形成されたセンサチップ２０と、センシング部２１を露出させつつセンサチップ２０を片持ち支持する支持部材４０と、を有する力学量センサにおいて、センサチップ２０の平面形状を矩形状において隣接する二つの角の除去により構成される角部２３ａを有する形状とし、センサチップ２０のうち角部２３ａ側の端部を支持部材４０に封止する。 （もっと読む）

【課題】絶対圧力センサの全体厚みを小さくし得る絶対圧力センサを提供する。
【解決手段】絶対圧力センサ１は、ダイアフラム１１の周縁に複数のピエゾ抵抗１２・１２子を形成し、該ピエゾ抵抗１２・１２の形成面とは反対側の面にキャビティ１３を形成したセンサ基板１０に、キャビティ１３を閉じるようにキャップ基板２０を接合してなる。キャビティ１３の厚みＴ２は、キャップ基板２０の厚みＴ３以上となっている。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 外部の圧力を感度良く検出することができる圧力センサ用パッケージおよび圧力センサを提供することにある。また、圧力センサ用パッケージの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の圧力センサ用パッケージは、内部空間Ｓを有する絶縁構造体１と、内部空間Ｓの互いに対向する内壁面の上側及び下側のそれぞれに設けられた上側電極６及び下側電極５とを備え、内壁面の上側或いは下側の少なくとも一方が、外部からの圧力が印加された際に可撓する可撓領域を有する圧力センサ用パッケージであって、絶縁構造体１には、内部空間Ｓから絶縁構造体１の外表面まで延びる空隙部７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】気圧測定用発振器を用いた新たな気圧推定手法の提案。
【解決手段】水晶振動子型気圧センサー１において、処理部１０は、基準発振器３０の発振周波数を気圧測定用の水晶発振器２０の発振周波数に合わせるように制御する。そして、処理部１０は、基準発振器３０の基準発振信号と水晶発振器２０の水晶発振信号との位相差をコスタスループを用いて検出する。そして、処理部１０は、基準発振器３０の発振周波数と位相差とを用いて気圧を推定する。 （もっと読む）

【課題】圧力基準室として気密性の高い密閉空間が形成された圧力センサを提供する。
【解決手段】基板の厚さ方向と直交する面に凹部が形成された支持部と、前記基板の厚さ方向に直交する方向に薄いダイヤフラムであって、端部が前記凹部の側壁および底部と結合し前記凹部を二分しているダイヤフラムと、二分されている前記凹部のうち一方の凹部を前記支持部と前記ダイヤフラムとともに密閉している蓋部であって、前記支持部および前記ダイヤフラムと直接結合している蓋部と、を備える。 （もっと読む）