【課題】空間分解能が高く、高精度な計測を可能にする曲げセンサーを提供する事。
【解決手段】曲げセンサーは、可撓性を有する基板に第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとを備え、基板は可撓領域と非可撓領域とを含み、第一薄膜トランジスターと第二薄膜トランジスターとは差動トランジスター対をなし、第一薄膜トランジスターは可撓領域に形成され、第二薄膜トランジスターは非可撓領域に形成されている。薄膜トランジスターはマイクロメーター単位で形成できるため、空間分解能が数マイクロメーターと極めて高い曲げセンサーを実現できる。 （もっと読む）

【課題】膜厚測定の対象測定領域内の絶縁性薄膜の膜厚の空間分布を得る。
【解決手段】試料と、カンチレバーに保持された探針との間に可変直流電圧を印加する原子間力顕微鏡を用いて、絶縁性薄膜の膜厚分布を測定する膜厚評価方法で、試料の測定領域に電圧を変化させて印加するとともに、発生電流および絶縁破壊電圧を測定し、前記測定領域のうち任意の１点の膜厚を基準値として、各測定点の絶縁破壊電圧および（１）式の関係に基づいて、前記測定領域内の相対膜厚の分布を求めることとする。
膜厚＝絶縁破壊電圧÷絶縁破壊電場強度 （１） （もっと読む）

【課題】基板を汚染することなく非接触で保持する基板保持装置では、基板の自重によるたわみが発生したり、使用条件の中で回転動作の風圧による基板のたわみが発生するために、各種処理の障害になっている。
【解決手段】基板の上面を所望の面高さに保持したり、あるいは平面度を保持したりするために、基板上面に基板面の高さを測る非接触の変位センサを設置し、また、載せ台上面には複数の溝と障壁を設け、基板と乗せ台の間にエアーを供給してその圧力によって基板の変位を可能として、さらに、変位センサの出力をフィードバックすることで基板を任意の凸，凹形状に変形したり、平面化することを可能とする構造を持つ基板搭載装置。 （もっと読む）

【課題】渦電流センサが配置される周囲構造物の材料に影響されることなく、簡単な構成で高感度で且つ安定して導電性膜厚を検出できる渦流センサ及び該渦電流センサを提供すること。
【解決手段】導電性膜が形成された基体の近傍に配置されたセンサコイルを備え、該センサコイルに交流電流を通電することにより、前記導電性膜に渦電流を誘起し、該渦電流により発生する磁束変化をセンサコイルに誘起される誘起電圧により検出して前記導電性膜の膜厚を測定する渦電流センサにおいて、センサコイル２１、２２、２３はセンサヘッド２４に配置されており、センサコイル２１、２２、２３はそれぞれＡ側とＢ側の一対のコイルからなり、一対のコイルの各コイルに通電した際に、センサヘッド２４の一方のコイル周囲を周回する電流Ｉａが、他方のコイル周囲を周回する電流Ｉｂと絶対値が同じで流れの向きが逆になるように配置した。 （もっと読む）

【課題】基準信号の整数倍次の高調波に起因して位相検波処理で生じるドリフトを抑制できる基板観察装置を提供する。
【解決手段】基板観察装置３１は、方形波の基準信号を出力する基準信号源６１と、基準信号源からの方形波を正弦波に変換するための第１のフィルタ回路６３と、第１のフィルタ回路を経た正弦波を基板に対して出力する励磁部４１と、基板からの検出信号を受ける検出部４３と、基準信号と基板からの検出信号とを掛け合わせる位相検波回路７７と、位相研磨回路の後段に接続された第２のフィルタ回路７９と、検出部４３と位相検波回路７７との間に設けられ、検出信号から、基準信号の整数倍次の高調波を除去する第３のフィルタ回路７３とを備える。第３のフィルタ回路７３は、基準信号の３次の高調波を除去してよい。 （もっと読む）

【課題】 試料に印加する交流磁界の発生磁束が磁心全般に広がるため検知される空間分解能（測定分解能）が低下する。
【解決手段】 磁心が磁気特性に加えて誘電特性が顕著となる材料製である渦電流センサを使用し、磁気及び誘電特性の複合作用によって生ずる磁心内部の電磁波が定在波となる周波数（寸法共鳴が生ずる周波数）又はその近傍の周波数で前記渦電流センサを作動させて（磁心を励磁して）定在波の山の部分に磁束を集中させて、その磁界（磁束断面積）を磁心の磁路断面積より小さくし、その磁束を渦電流センサの磁心に与えるようにした。渦電流センサの磁心を、磁気特性に加えて誘電特性が顕著となる材料製として、励磁時の磁気及び誘電特性の複合作用によって生ずる磁心内部の電磁波が定在波となる周波数で作動させると、発生磁束が定在波の山の部分に集中するようにした。磁心材料をＭｎ−Ｚｎフェライトとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ加工等において、デバイスウェーハに形成されている素子等に強い磁束を及ぼすことなく、導電性膜の膜厚を精度よく測定できる膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】 ウェーハ１０２の表面に対向してコイル１０３を離間配置させ、ウェーハステージ１０１をＸ，Ｙ方向及びＲ、θ方向へ移動させる。インピーダンスアナライザ１０５によって周波数を掃引させながらコイル１０３に交流電流を供給すると、コイル１０３に誘起させた磁場がウェーハ１０２の導電性膜に作用する。導電性膜の表皮効果に影響するパラメータ（周波数又は角度）を変化させてコイル１０３に与えることにより、磁場をウェーハ１０２の膜内へ相対的に貫通させない状態と、膜内へ相対的に貫通させる状態とを形成することができる。導電性膜の表皮効果に影響される状態変化に基づいて誘起される渦電流に対応する諸量の変化から、ウェーハ１０２の膜厚を精度よく測定することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハーなどの表面の金属イオンによる汚染やアース電極の接触によるキズを避けなければならない場合や表面の汚染やアース電極の接触によるキズをそれほど考慮しなくてもよいような場合などの被測定体の測定条件に応じて、上記アース電極と上記被測定体とを接触状態又は非接触状態に切り替えることができる。
【解決手段】被測定体Ｗの測定部位Ｐを境にして対向する位置に所定の対向距離Ｇ_Sを置いて一対の静電容量式距離検出センサＳ₁・Ｓ₂を配置し、被測定体の複数の測定部位Ｐ₁、Ｐ₂、Ｐ₃の厚みを多点測定する静電容量式厚み多点測定装置において、アース電極８と被測定体とを被測定体の測定条件に応じて接触状態又は非接触状態に切替可能な接離機構１３を設けてなる。 （もっと読む）

【課題】研磨装置の運転を停止させることなく渦電流センサの較正を行うことができ、精度の高い膜厚監視を可能とする研磨監視方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】基板の水研磨時、研磨パッド１０のドレッシング時、または研磨パッド１０の交換時において、渦電流センサ５０の出力信号を補正信号値として取得し、補正信号値から補正基準値を減算して補正量を算出し、導電膜を有する他の基板を研磨しているときの渦電流センサ５０の出力信号から補正量を減算して実測信号値を算出し、実測信号値の変化を監視することにより研磨中の導電膜の厚さの変化を監視する。 （もっと読む）

【課題】導電性膜内の微細な配線に強い磁束によるジュール熱損を及ぼすことなく、研磨終了時点を精度よく予測する。
【解決手段】ウェーハWの導電性膜を除去する研磨工程において、ウェーハ上の導電性膜に二次元平面のインダクタ型センサ34を近接させて、インダクタ型センサによりウェーハの導電性膜に誘起される磁束をモニタする。インダクタの形状、インダクタと導電性膜との距離、発振周波数などの条件を導電性膜に表皮効果が働く程度に適正化し、研磨終了の直前に磁束のピークが出現するように構成する。研磨終了の直前では導電性膜を磁束が殆ど貫通せず、ウェーハ内の微細配線などを損傷する虞がなくなる。 （もっと読む）

【課題】狭い搬送口を有する装置に対しても搬入可能な位置検出用ウェハを用いて、搬送アームの搬送先の位置調整を行う。
【解決手段】位置検出用ウェハＳは、位置調整の目標物との間の静電容量を検出する静電容量検出センサ５０を有する。静電容量検出センサ５０は、目標物との間で静電容量を形成する複数の静電容量検出電極５２と、静電容量検出電極５２と通信し、静電容量検出電極５２による静電容量の検出を制御する制御回路５１を有する。静電容量検出電極５２は、位置検出用ウェハＳの裏面側に設けられ、制御回路５１は、表面側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子端面の反射率を精度よく測定するとともに、測定値に基づいて該半導体素子端面の反射率をより設計値に近づけた半導体素子を得ることを可能とする半導体素子端面の誘電体薄膜膜厚評価方法を提供する。
【解決手段】TiO₂膜およびSiO₂膜を備え、半導体素子の光出射端面に設けられるＨＲ膜の膜厚を、ＨＲ膜に対して半導体素子の光出射端面外部から照射された励起光によって生成された光励起電流を測定し、光励起電流の測定値に基づいて光励起電流の変動率Ｉ_phを算出し、光励起電流の変動率Ｉ_phの算出結果と、予め参考値として計算したTiO₂膜の設計膜厚と実際の膜厚のずれ及びSiO₂膜の設計膜厚と実際の膜厚のずれに対する変動率の関係とを比較し、TiO₂膜の実際の膜厚とSiO₂膜の実際の膜厚の取り得る領域（I）、（II）と（IV）を決定することによって求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】測定精度が可動物体の動作によって引き起こされる妨害によって実質的にほとんど影響されない、位置信号を測定するように構成されたエンコーダ型高精度測定システムを提供する。
【解決手段】可動物体の位置信号を測定するように構成され、可動物体の上に取付け可能な少なくとも１つのセンサと、実質的に静止したフレームの上に取付け可能なセンサターゲット物体と、実質的に静止したフレームの上にセンサターゲット物体を取付けるように構成された取付けデバイスとを含む。さらに、実質的に静止したフレームに対するセンサターゲット物体の移動および／または変形を補償するように構成された補償デバイスを含む。補償デバイスは受動型または能動型制振デバイスおよび／またはフィードバック位置制御システムを含むことができる。補償デバイスは、可動物体の運動中にセンサターゲット物体の位置を固定する把持デバイスを含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】渦電流損失測定センサ、膜厚測定装置、膜厚測定方法およびコンピュータ読取り可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】高周波磁界を励磁して導電性膜９に渦電流を励起させるコイルと、渦電流に起因する渦電流損失の影響を受けた高周波電流を出力するコイルとを有する渦電流損失測定センサ２０と、コイルが出力する高周波電流から渦電流損失測定センサ２０のインピーダンスの変化、高周波電流の電流値の変化または高周波電流の位相の変化を測定して渦電流損失量を測定するインピーダンスアナライザ４８と、導電性膜９と渦電流損失測定センサとの距離を測定する光学式変位センサ３２と、インピーダンスアナライザ４８と光学式変位センサ３２の各測定結果に基づいて導電性膜９の膜厚を算出する膜厚演算部５４を含む制御コンピュータ４２と、を備える膜厚測定装置１。 （もっと読む）

【課題】加速度を検出する検出部としての変位可能な可動電極を有する加速度センサ装置において、検出部の機械的な破損に対して冗長性を持たせることで信頼性の向上が図れるようにする。
【解決手段】検出部１〜４は、検出対象として加速度を検出するものであって、可動部としての可動電極２０とこの可動電極２０に対向して配置された固定電極３０、４０とを有するとともに、加速度の印加時には、可動電極２０と固定電極３０、４０との間の容量が変化し、この容量変化が検出部１〜４の信号として出力されるものである。このような検出部１〜４を、１つの半導体チップ１０に複数個設けることで、１個の検出部が機械的に破損したとしても、他の検出部からの出力信号により検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】導電性膜の研磨終点を検出するのに極めて好適なセンサを提供して該研磨終点を高い精度で確実に検出し、ノイズの発生がなく、低消費電力で、さらにはコスト低減を図る静電結合型センサ及びそれを用いた終点検出方法及び終点検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は上記目的を達成するために、インダクタ３４とキャパシタ３５からなる発振回路３６と、インダクタ３４の両端に配置することにより生じる位相差を有する複数の電極３７，３７とで構成され、複数の電極３７，３７をある膜厚を有した導電性膜２８に平行に近接させることで、複数の電極３７，３７と導電性膜２８との間に静電結合を引き起こし、その静電結合を介して導電性膜２８の膜厚抵抗値の変化に対応した共振周波数で発振する静電結合型センサ３３を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】電解処理対象物を破壊することなく、測定によって電解処理に悪影響を及ぼすこともなく、特に膜厚を電解処理中にリアルタイムにモニタリングする方法及び装置を提供する。
【解決手段】電解処理される対象物に磁気センサを配設し、電解処理中に磁束密度分布を計測し、磁束密度分布から電解処理対象物の表面電流密度を算出し、表面電流密度から対象物の膜厚を算出し、電解処理の実施中に対象物の膜厚をリアルタイムに測定する。磁束密度分布のデータを電解処理後に演算することによって、対象物の膜厚を電解処理後に計測することもできる。 （もっと読む）

【課題】薄片状の被測定物の厚さ分布および反り形状を同時にかつ高精度に測定できる形状測定方法およびその装置を提供する。
【解決手段】対向する一対の静電容量センサ２，２’を、被測定物Ｓを挟んで昇降可能に配置し、上部の静電容量センサ２を昇降させて被測定物Ｓとの間隙を略一定に保持するとともに、下部の静電容量センサ２’を、上部の静電容量センサ２の前記移動に追随させて移動させ、一対の静電容量センサ２，２’間の距離を一定に保持する。そして、上部の静電容量センサ２の移動量および一対の静電容量センサ２，２’で検出された被測定物Ｓとの間隙に基づいて前記被測定物の厚さおよび反り形状を求める。 （もっと読む）

【課題】導電性膜の膜厚を精度良く測定する。
【解決手段】渦電流センサ１は、基板６に形成された導電性膜７に対向して配置されたセンサコイル２ａ及びセンサコイル２ｂと、導電性膜７に渦電流を生じさせるための交流信号をセンサコイル２ａ・２ｂのいずれかに選択的に供給する交流信号源３と、導電性膜７に生じた渦電流に応じてセンサコイル２ａ・２ｂのいずれかに流れる電流値を検出する交流電流計４とを備え、センサコイル２ａの径とセンサコイル２ｂの径とは、導電性膜７の種類に応じて互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成されるごく薄い導電性膜から比較的厚い導電性膜まで正確に膜厚等の検出を行いながら該導電性膜を研磨する研磨方法を提供する。
【解決手段】基準ウエハのインピーダンスを渦電流センサ１０で計測することで、渦電流センサ１０のインピーダンスと、センサコイルに供給すべき交流電流の周波数と、膜厚との関係を較正し、渦電流センサ１０は、センサコイルに一定周波数の交流電流を供給して研磨対象物上の導電性膜に渦電流を形成し、センサコイルの両端子から見た導電性膜を含めたインピーダンスを計測し、研磨対象物上の導電性膜を含めたインピーダンスの変化から、導電性膜の膜厚変化を検出する。 （もっと読む）