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Fターム[2F065BB02]の内容

光学的手段による測長装置 (194,290) | 対象物−形態;性質 (11,481) | 平面平板(長手方向を特定できない) (2,611) | パターン有(プリント基板、フォトマスク) (1,360)

Fターム[2F065BB02]に分類される特許

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【課題】2つの基板のそれぞれに形成されたアライメントマークの両方に同時にピントを合わせることができない場合であっても、それらの位置合わせを高精度に行うことを可能にする。
【解決手段】パターンを転写される基板に形成されるアライメントマークAM1は、正方形の中実図形であるアライメントパターンAP101〜AP109、AP111〜AP114を配列してなるものとする。一方、基板に転写すべきパターンを担持するブランケットには、アライメントマークAM2として、環状の中空矩形のアライメントパターンAP2をパターンと同じ材料で形成する。アライメントマークAM1は、低い空間周波数成分をアライメントパターンAP2よりも多く含むパターンにより構成されており、ピントが合わない状態で撮像された場合でも重心位置を精度よく検出することが可能である。 (もっと読む)


【課題】部品の端子が接続されない基板上の半田の位置を取得することができる技術の提供。
【解決手段】基板上の半田の印刷位置を取得し、部品の端子が接続される前記基板上の半田の位置である接続位置を取得し、前記印刷位置から前記接続位置を除外した位置を前記部品の端子が接続されない基板上の半田の位置である非接続位置として取得する。 (もっと読む)


【課題】一方主面に薄膜が形成された透明で平板状の基材の厚みを計測する厚み計測装置および厚み計測方法において、薄膜の光学的特性に影響されることなく、基材の厚みを高精度に計測する。
【解決手段】対物レンズ455の合焦位置FPを、ブランケットBLの下面BLtよりも下方位置Zminから上面BLfよりも上方位置Zmaxまで、一定の刻みΔZでステップ的に上昇させながらその都度撮像を行う。撮像位置と受光強度との関係において、ブランケットBLの上面BLfおよび下面BLtに対応するピーク間の距離から、ブランケットBLの厚みDzを求める。 (もっと読む)


【課題】トレンチ幅が照明光の波長と同程度の高アスペクト比のトレンチの深さを測定できるトレンチ深さ測定装置を実現する。
【解決手段】照明光学系は、ライン状の照明ビームを発生する光源装置1〜4及びライン状の照明ビームを前記試料に向けて投射する対物レンズ6を有し、光源装置と対物レンズとの間の瞳位置にトレンチの長手方向と平行なライン状の瞳パターンを形成する。ライン状の瞳パターンは対物レンズを介してトレンチが形成されている試料表面7にトレンチと交差するようにライン状の照明エリアを形成する。また、照明光として直線偏光した照明光を用い、その電界ベクトルの方向は、トレンチの長手方向に対してほぼ平行に設定する。直線偏光した照明光の電界ベクトルの方向をトレンチの長手方向に設定することにより、トレンチにおける光損失が減少し、トレンチの内部に照明光を進入させることでき、高精度な深さ測定が可能になる。 (もっと読む)


【課題】所定領域内の状況を適切に把握することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、第1の所定領域にある第1物体を撮像する第1撮像部130又は30と、前記第1撮像部が撮像した前記第1物体の面積に関する量を検出する検出部42とを備え、前記第1物体の面積に関する量に基づいて第1の所定領域内の状況を把握する。さらに、第2の所定領域にある第2の物体を撮像する第2撮像部30又は130とを備え、前記検出部は前記第2撮像部が撮像した前記第2物体の面積に関する量を検出する。 (もっと読む)


【課題】電子部品の電極の導電性積層膜の膜厚を安価な装置で高速に測定する。
【解決手段】絶縁膜1上に上下に積層された導電層2,3(積層膜、例えばNi層およびその上のAu層)からなる半導体基板の電極に対して、段差を触針で測る場合やレーザ光を用いる場合など公知の方法で導電層2,3の厚さ(電極高さ)を測定するステップと、4端針法により電極の表面抵抗を測定するステップとを有し、二つのステップから得られた積層膜の膜厚(電極高さ)と表面抵抗値から、上下に積層した導電層2,3からなる電極の上部皮膜である導電層3の膜厚を計算式から算出する。 (もっと読む)


【課題】露光時の走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めることが可能
な表面検査装置を提供する。
【解決手段】露光によって作製されたパターンを有するウェハを照明光で照明する照明系
20と、パターンで反射した照明光を検出する受光系30および撮像装置35と、撮像装
置35により撮像されたウェハの回折画像からパターンの線幅を求め、走査方向によるパ
ターンの線幅の差を求める検査部42とを備えている。 (もっと読む)


【課題】コークガイド車などの移動体の移動路に沿って設けられた目標体とコークス炉の位置関係に誤差が生じても移動機を簡易に目標とする位置にする。
【解決手段】コークガイド車1の移動路に沿って設けられた目標体9を検出し、目標体検出装置4で目標体9を検出したときのコークガイド車1の規定位置に対し、目標位置検出装置5で目標位置を検出しながら規定位置から目標位置までコークガイド車1を移動し、検出された目標位置と規定位置との位置誤差を記憶し、以降、目標体9を検出した位置から記憶された位置誤差分だけ移動してコークガイド車1を目標位置にすることにより、目標体9とコークス炉7の位置関係に誤差が生じても、一度、目標体9を検出したときの規定位置と目標位置との位置誤差を記憶してしまえば、以降はコークガイド車1を簡易に目標とする位置にすることができる。 (もっと読む)


【課題】位相シフト法を利用した三次元計測を行うにあたり、より高精度な計測を実現することのできる三次元計測装置を提供する。
【解決手段】基板検査装置1は、プリント基板2に対し縞状の光パターンを照射する照射装置4A,4Bと、これを撮像するカメラ5と、撮像された画像データを基に三次元計測を行う制御装置6とを備えている。制御装置6は、第1照射装置4Aから第1光パターンを照射して得られた画像データを基に第1計測値を取得し、第2照射装置4Bから第2光パターンを照射して得られた画像データを基に第2計測値を取得する。そして、両光パターンが照射される全照射領域に関しては、両計測値から特定される値を当該領域の高さデータとし、いずれか一方のみ照射される一部照射領域に関しては、前記全照射領域の高さデータから算出した補完データを基に当該領域に係る計測値の縞次数を特定し、当該領域に係る高さデータを取得する。 (もっと読む)


【課題】作業者が作業対象物から目を逸らすことなく、誘導画像を参照しながら作業対象位置を選別できるようにする。
【解決手段】作業時に、ポインティング部11の先端が、作業面の予め既知の作業対象位置に向かうように誘導する場合に、カメラ部13により作業面を撮影し、画面が透過する透明スクリーン部15により、作業時に作業面を見えるようにしながら、誘導用の位置ナビゲーションマーク153及び直交する交差点が誘導中心のライン151,152を表示し、カメラ部13で撮影された画像からポインティング部11の先端の位置を算出し、既知の作業対象位置の位置情報と比較し、両者のずれ量及び方向に基づいて透明スクリーン部15に誘導中心に対する位置ナビゲーションマークを表示し、位置ナビゲーションマークが誘導中心に向かうように移動方向を画面上に指示表示する。 (もっと読む)


【課題】パターンの凹部の厚さの計測に有利な技術を提供する。
【解決手段】残膜厚を算出するときに用いる光の入射条件を決定する方法は、残膜厚RLTとパターンの厚みとの計測感度の差が大きな第1偏光状態の反射光を生成する光の複数の第1入射条件と、残膜厚RLTの計測感度が良い第2偏光状態の反射光を生成する光の複数の第2入射条件とを組み合わせた複数の組み合わせのそれぞれについて、得られた反射光の強度を独立変数とし、前記情報を用いて得られた前記凹部の厚さを従属変数とする回帰式を作成し、作成された複数の回帰式のうち回帰誤差が許容条件を満たす回帰式に対応する第1入射条件を前記第1偏光状態の反射光を生成する入射条件として、該回帰式に対応する第2入射条件を前記第2偏光状態の反射光を生成する入射条件として、それぞれ決定する。 (もっと読む)


【課題】確認対象部位を容易に特定できるような支援を行う。
【解決手段】自動外観検査が完了した対象物(基板)について、検査に用いられた画像を保存すると共に、検査における計測処理により得た計測データを計測対象部位の位置情報に紐付けて保存し、これらの保存情報を用いて、特定の被検査部位(部品100)の実際の状態を目視により確認する作業を支援するための画像を表示する。この画像は、基板の一部に相当する領域に対応し、確認対象部品100が含まれる。画像中の確認対象部品100には、枠UWやラインL1,L2などによるマーキングが施される。さらに確認対象部品100の周囲を取り巻くように、視認が可能で固有の特徴を有する特徴部位(部品101,102,103など)が抽出され、これらの特徴部位に、確認対象部品100とは異なる態様(赤枠RW)によるマーキングが施される。 (もっと読む)


【課題】回折格子を用いて計測を行う際に、相対位置を予め定められた相対位置からの絶対位置として容易に計測する。
【解決手段】エンコーダ10Xは、第1部材6に設けられ、格子パターン12Xa及び基準パターン13XAが形成された回折格子12Xと、計測光MX1,MX2を供給するレーザ光源16と、第2部材7に設けられ、計測光MX1,MX2を格子パターン面12Xbにθy方向(X方向)に対称な角度で傾斜させて入射させる傾斜ミラー32X,34Xと、計測光MX1,MX2の回折格子12Xによる回折光DX2,EX2を受光する光電センサ40XA,40XBと、を有する。 (もっと読む)


【課題】撮像装置とキャリブレーションマークとの位置関係に係わらず、撮像装置をキャリブレーションするに十分な、キャリブレーションマークの撮像画像を取得する。
【解決手段】単一のキャリブレーションマークを複数回撮像することによって、複数の基準マークが配置されたキャリブレーションを撮像したときと同様の画像マークを取得し、この画像マークに基づいて撮像装置について中心位置、取り付け角度、分解能等のキャリブレーションを行う。単一のキャリブレーションマークを異なる撮像位置で複数回撮像して画像マークを取得する撮像工程と、複数回の撮像で取得したキャリブレーションマークの各画像マークを用いて、複数個の画像マークを有した撮像画像を形成する撮像画像形成工程と、撮像画像の画像マークの位置と撮像画像上の基準位置とに基づいて、撮像装置のキャリブレーション情報を算出するキャリブレーション情報算出工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】波長が13.5nm付近の極端紫外(Extreme Ultra Violet:EUV)光を露光光源とする反射型マスクの欠陥修正技術を利用した半導体集積回路装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相欠陥211が生じている開口パターン204の近傍の吸収層203に、開口パターン204よりも微細な開口径を有する補助パターン301を形成する。この補助パターン301は、ウエハ上のフォトレジスト膜に開口パターン204を転写する際の露光光量を調整するためのパターンである。 (もっと読む)


【課題】所望の計測部分の幾何的な物理量を選択的にかつ容易に取得することが可能な画像処理装置および画像処理プログラムを提供する。
【解決手段】対象物画像データに基づいて対象物画像OIが表示されるとともに、指定画像データに基づいて対象物画像の特定部分に対応する計測部分指定画像AIが表示される。使用者による操作部の操作により、表示される計測部分指定画像AIが対象物画像OIに相対的に移動される。計測部分指定画像AIが対象物画像OIの特定部分に移動された場合、その特定部分に対応するように予め設定された計測対象物の計測部分の物理量が計測される。 (もっと読む)


【課題】
携帯機器向けのような小さい液晶製品の基板部品であっても、正確なマスクの位置を設定することができる。
【解決手段】
基板の画像情報を取得するために、マスク部に対して複数種の透過光を照射し、マスク部の透光窓を介して取得された透過光を画像情報に変換し、変換された画像情報において、マスク部の遮蔽線の幅は、所定の透過光を透過した、画面表示画面の隣り合う同一色の画素に対応するパターンの間に位置するパターンを覆うように設定されたものである。 (もっと読む)


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