【課題】有底の凹部の状態を非破壊で検査し、製造コストを低減させる。
【解決手段】本発明のウエハ５０のビア孔５１の検査方法は、有底のビア孔５１が表面に形成されたウエハ５０に被転写材料を塗布し、この被転写材料をビア孔５１内に充填させ、被転写材料を硬化させた後、ウエハ５０から離型させることでビア孔５１がビア像７１として転写されてなる被転写体７０を形成する転写工程と、ビア像７１の表面を観察することでその表面形状の画像データを作成する表面観察工程と、ビア像７１の画像データに基づいてビア像７１の形状を評価し、ビア孔５１内の状態を検査する検査工程とを備えたところに特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ幅が照明光の波長と同程度の高アスペクト比のトレンチの深さを測定できるトレンチ深さ測定装置を実現する。
【解決手段】照明光学系は、ライン状の照明ビームを発生する光源装置１〜４及びライン状の照明ビームを前記試料に向けて投射する対物レンズ６を有し、光源装置と対物レンズとの間の瞳位置にトレンチの長手方向と平行なライン状の瞳パターンを形成する。ライン状の瞳パターンは対物レンズを介してトレンチが形成されている試料表面７にトレンチと交差するようにライン状の照明エリアを形成する。また、照明光として直線偏光した照明光を用い、その電界ベクトルの方向は、トレンチの長手方向に対してほぼ平行に設定する。直線偏光した照明光の電界ベクトルの方向をトレンチの長手方向に設定することにより、トレンチにおける光損失が減少し、トレンチの内部に照明光を進入させることでき、高精度な深さ測定が可能になる。 （もっと読む）

【課題】露光時の走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めることが可能
な表面検査装置を提供する。
【解決手段】露光によって作製されたパターンを有するウェハを照明光で照明する照明系
２０と、パターンで反射した照明光を検出する受光系３０および撮像装置３５と、撮像装
置３５により撮像されたウェハの回折画像からパターンの線幅を求め、走査方向によるパ
ターンの線幅の差を求める検査部４２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面の高さレベルを決定する際のより多くの融通性及び／又は効率的レベルセンサ技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗ表面の高さレベルを決定するように構成されたレベルセンサであって、基板Ｗ上の反射後に測定ビームを受光するように配置された検出ユニットを備え、検出ユニットは、各検出素子が測定エリア８１、８２、８３、８４の測定サブエリア８ａ上に反射した測定ビームの一部を受光するように配置された検出素子のアレイを備え、それぞれの検出素子によって受光された測定ビームの部分に基づいて測定信号を提供するように構成され、処理ユニットは、測定サブエリア８ａでの選択された解像度に応じて、測定サブエリア８ａの高さレベルを計算し、又は複数の測定サブエリア８ａの組合せの高さレベルを計算するように構成された、レベルセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の欠陥検査において、高精度かつ効率的に、可視光透過性を有する半導体基板の表裏面への焦点位置合せを行うこと。
【解決手段】
半導体基板の欠陥検査装置は、焦点位置合わせマークが表面に形成された可動ステージと、可視光を可動ステージに向けて照射する光源と、可動ステージに対向して設けられた対物レンズと、対物レンズが結像した画像を電気信号に変換する光電変換素子と、焦点位置合わせマークの可動ステージ上の位置および被検査物となる半導体基板の厚さが登録され、可動ステージと対物レンズの位置関係を制御する制御装置を備えている。制御装置は、登録された焦点位置合わせマークを基準にして半導体基板の裏面側の焦点位置合わせを行い、登録された半導体基板の厚さを基準にして半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】波長差に起因する計測誤差を低減して高精度な位置検出を行う位置検出装置を提供する。
【解決手段】基準マークＳＭを利用して被検出体ＷＭの位置を検出する位置検出装置であって、第１の波長帯域を有する計測光を用いて被検出体ＷＭを照明する第１の照明光学系５と、第２の波長帯域を有する基準光を用いて基準マークＳＭを照明する第２の照明光学系１３と、被検出体ＷＭからの光束および基準マークＳＭからの光束を検出する検出光学系１０と、検出光学系１０で検出された光束に基づいて被検出体ＷＭの位置を検出する位置検出部４８とを有し、基準光の第２の波長帯域は、計測光の第１の波長帯域の上限と下限との間に設定されている。 （もっと読む）

【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板処理の歩留まりを向上させる。
【解決手段】露光装置で露光処理を行う前に、露光装置における基板のフォーカスの状態を検査する検査ユニット１００であって、ウェハＷを、露光装置で露光処理される際と同じ条件で裏面から吸着保持するウェハ保持台１４１と、ウェハ保持台１４１に吸着保持されたウェハＷにおける厚み方向の高さを測定する高さ測定機構１５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】暗視野方式の検査装置などにおいて、信号を実測しながら検査条件を決める方法では時間がかかることと、設定した感度条件が適切か否かの判断が作業者の裁量に左右されることが課題である。
【解決手段】検査装置において、試料を保持するステージと、前記ステージ上に保持された試料の表面に照明光を照射する照明光学系と、前記試料に照射された照射光によって発生した散乱光を検出する暗視野光学系と、前記暗視野光学系にて検出された散乱光を電気信号に変換する光電変換部と、前記光電変換部によって変換された電気信号をデジタル信号に変化するＡＤ変換部と、前記試料表面上の異物からの散乱光の大きさから異物の大きさを判定する判定部と、前記試料面からの散乱光情報を用いて、検査条件を決定する信号処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】鏡面性を持つ試料の各位置の高さを正確に求めることができる技術を提供する。
【解決手段】撮像部２は、例えば所定のフレームレートで、試料Ｓの画像である試料画像を撮像する。輝線抽出部は、撮像部２により順次に撮像された試料画像から輝線を抽出し、所定の基準高さ及び基準傾きを示す基準輝線に対する各輝線のずれｗ（ｘ）を求める。高さ算出部は、ｗ（ｘ）＝２Ｌ・（ｄ／ｄｘ）・ｄ（ｘ）＋２ｓｉｎθ・ｄ（ｘ）に、輝線抽出部により抽出された輝線のずれｗ（ｘ）を代入することで、基準高さからの試料Ｓの高さｄ（ｘ）を順次に算出する。 （もっと読む）

【課題】測定可能な膜厚の上限値を容易に変更することができる光干渉システム、基板処理装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】光干渉システム１は、光源１０、コリメータ１２、単一の受光素子４１、チューナブルフィルタ４０及び演算装置１５を備える。コリメータ１２は、光源１０からの測定光を測定対象物の第１主面へ出射するとともに、第１主面及び第２主面からの反射光を入射する。単一の受光素子４１は、コリメータ１２からの光の強度を取得する。チューナブルフィルタ４０は、受光素子４１に入射される光の波長を掃引する。演算装置１５は、チューナブルフィルタ４０及び受光素子４１を用いて、波長に依存した強度分布であって第１主面及び第２主面からの反射光の強度分布である干渉強度分布を測定し、干渉強度分布をフーリエ変換して得られる波形に基づいて測定対象物の厚さ又は温度を計測する。 （もっと読む）

【課題】ウェハエッジ部の幅広い位置変化にも追従することができる光学式検査装置及びエッジ検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１００の表面の欠陥を検査する表面検査装置３００と、この表面検査装置３００に対するウェハ１００の搬送路に設けたウェハステージ２１０と、このウェハステージ２１０上のウェハ１００のエッジ部を検査するエッジ検査部５３０と、このエッジ検査部５３０を当該エッジ検査部５３０の光軸に沿って移動させる移動装置６５０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可及的にワークの移動が自由であり、後工程の作業の妨げともなりにくい簡易な構成のワーク位置の検出装置を提供する。
【解決手段】検出光(40)を投光する投光部(10)と、検出光を受光する受光部(20)と、投光部と受光部を所定の位置関係に保つ支持手段(30)と、を備え、受光部が一次元又は二次元に配置された複数の受光素子を含み、上記支持手段が、投光部と受光部との間に設けられる検出基準面に対して検出光(40)が斜めになるように投光部と受光部の位置を保持する。 （もっと読む）

【課題】高感度の分光散乱計を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の回折構造体からの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体を測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】被測定対象物のレーザスペックル画像を得る装置において、被測定対象物の材質などに起因するスペックル画像の画質低下を可及的に抑制する。
【解決手段】被測定対象物(20)表面の観察領域(21)に向けてコヒーレント光を投光する投光部(10)と、被測定対象物表面の観察領域で拡散反射した上記コヒーレント光を受光する受光部(30)と、被測定対象物表面から受光部以外の方向に伝播するコヒーレント光を被測定対象物表面の観察領域に戻す反射部(41)と、受光部における受光状態に基づいて被測定対象物の状態を検出する検知部(50)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より小型または簡単な構成で、より精度よく、半導体ウェハの表面に存在するソーマークの検出又は大きさの測定を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面に対して斜め方向から、入射面において平行光である光を照射し、ラインセンサカメラ３、４で半導体ウェハＷの表面におけるライン状の領域３ａを撮影する。このことで、半導体ウェハＷの表面からの照射光の反射光または散乱光を検出し、この強度に基づいて、半導体ウェハＷの表面における線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。光源装置１、２によって、ラインセンサカメラ３、４によって撮影されるライン状の領域３ａのラインに平行な方向から光を照射し、線状の凹凸の方向がラインの方向に直交するように配置された状態で、半導体ウェハＷの線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）