【課題】測定対象物の断面積を精度良く測定する。
【解決手段】変位測定装置では、測定対象物が載置されている範囲を含む変位測定範囲の変位を測定し、測定された変位に平準化処理を実行して第１処理情報を生成し、第１処理情報から断面積測定範囲を決定する。変位測定装置は、断面積測定範囲における前記変位情報から測定対象物の断面積を検出する。第１処理情報から断面積測定範囲を決定することで、配線パターン等などによって生じるノイズを除去することができ、断面積測定範囲を正確に決定することができる。 （もっと読む）

【課題】測定対象物の変位情報を精度良く測定する。
【解決手段】変位測定装置では、ガラス板及び測定対象物に対して垂直方向に光を出射し、当該光と同軸方向に反射される反射光を複屈折性のクリスタル及び偏光板を用いて受光し、反射光に含まれる各反射光成分に応じた反射面の変位の複数個を、各反射光成分の反射強度に関連付けて検出する。変位測定装置では、検出される変位のうち、最も高い反射強度の得られた変位Ｚ１と、変位Ｚ１の次に高い反射強度の得られた変位Ｚ２と、の差である差分変位をガラス板の同軸方向の厚さに設定された基準変位ＺＫと比較し、差分変位が基準変位ＺＫよりも小さい場合、変位Ｚ１を測定対象物までの変位Ｚと判断し、差分変位が基準変位ＺＫ以上である場合、変位Ｚ１と変位Ｚ２のうちの短いものを測定対象物までの変位Ｚと判断する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン太陽電池表面上に成膜された反射防止膜の膜厚および屈折率を有効に測定するためのエリプソメーター装置を得ること。
【解決手段】実施の形態にかかるエリプソメーター装置１０は、反射防止膜が形成された測定試料１の反射防止膜が形成された面へレーザー光を照射する光源５と、前記測定試料から反射された反射光に基づいて反射光の偏光変化量を測定することにより前記反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する検出器６と、前記測定試料を試料設置面にて保持し、前記試料設置面と垂直な方向を軸にして前記測定試料を回転する回転角度調節部と、前記測定試料を傾斜させる傾斜調節部とを有するステージ２と、前記ステージをステージ設置面上に保持する支持部７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】測定対象物の断面積を精度良く測定する。
【解決手段】変位測定装置では、測定対象物が載置されている断面形状出力範囲の複数の測定点における変位を測定し、測定された変位から測定対象物の形状データを算出する際に、複数の測定点に対応する複数の変位情報を大きさで順番付けした場合に、最も大きい側から予め定められた第１割合に含まれる変位と、最も小さい側から予め定められた第２割合に含まれる変位と、を除いた中間変位情報を選出し、この中間変位情報を圧縮係数を用いて圧縮処理した圧縮変位情報を加算して測定対象物の断面積を測定する。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化アルミナの状態（微細凹凸構造の形状、欠陥等）を簡易に検査できる検査装置および検査方法、ならびに陽極酸化アルミナの微細凹凸構造の形状等のムラや表面の欠陥が抑えられた、陽極酸化アルミナを表面に有する部材の製造方法を提供する。
【解決手段】モールド１００に光を照射するライン状照明装置１０（第一の照射手段）と；モールド１００の陽極酸化アルミナで反射した光を撮像するカラーラインＣＣＤカメラ１２（第一の撮像手段）と；モールド１００に光を照射するライン状照明装置２０（第二の照射手段）と；モールド１００の陽極酸化アルミナで反射した光を撮像するモノクロラインＣＣＤカメラ２２（第二の撮像手段）と；２つのカメラによって撮像された画像から得られた色情報および輝度情報に基づいて陽極酸化アルミナの状態の良否を判定する画像処理装置３０（画像処理手段）とを有する検査装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンの上部及び下部の寸法を明確に区別して測定する。
【解決手段】基板５上に形成された凹凸パターンを拡大観察する顕微鏡１と、前記顕微鏡１を通して観察される前記凹凸パターンを撮像する撮像カメラ２と、前記顕微鏡１の対物レンズ７の視野外からその視野内に散乱光を照射する照明光学系３と、前記撮像カメラ２の画像を入力して表示部１７の画面１７ａ上に表示し、入力手段１６により入力して前記表示画面１７ａ上に指定された範囲内の前記凹凸パターンの上部及び下部のいずれか一方、又は両方の寸法を測定する制御手段４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】被解析試料の巨視的な動きを伴った場合であっても材料や構造物などの被解析試料の微視的な領域の力学挙動を簡便に解析可能な新規な力学挙動解析システム、及び力学挙動解析方法を提供する。
【解決手段】力学挙動解析システムは、被解析試料の解析表面を少なくとも被覆し、変形自在であって、かつ、被解析試料側の少なくとも表層に所定の周期構造が形成されている表面ラベルグレーティング膜及び被解析試料からなるサンプル６０と、スポット光であるプローブ光を入射する照射手段２０と、表面ラベルグレーティング膜からの回折光を検出する受光手段３０と、被解析試料と受光手段との距離を検出する距離検出手段７０と、回折角のデータを保持する記憶手段１４と、記憶手段１４に保持された複数の前記回折角のデータから、回折格子の周期構造変化を算出し、当該周期構造変化から被解析試料の力学挙動を解析する解析手段１３と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、帯状基材に塗膜を精度よく形成することができる塗膜形成装置を提供する。
【解決手段】塗膜形成装置は、帯状基材１０を搬送するローラ７０と、帯状基材１０の長さ方向に塗膜を形成する塗工部とを備えた塗膜形成装置である。この装置は、帯状基材１０の幅方向に沿って一直線上に配置された複数の変位センサ２０Ａ、２０Ｂと、複数の変位センサ２０Ａ、２０Ｂを帯状基材１０の幅方向に走査させることによって、帯状基材１０に形成された塗膜１２の膜厚分布を測定する膜厚分布測定部１００と、膜厚分布測定部１００で測定された塗膜１２の膜厚分布に基づいて、塗工部によって帯状基材１０に形成される塗膜１２の位置、塗膜の幅および塗膜の厚さをそれぞれ制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 曲面を有する膜厚を正確に計測する。
【解決手段】 膜厚の検査装置は、テラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生器１５と、前記テラヘルツ波を、膜が形成された試料に照射させる照射光学系１６、１７と、前記試料において反射したテラヘルツ波を検出し、検出信号を出力するテラヘルツ波検出器２２と、前記試料の反射面の形状情報に基づき、当該反射面から前記テラヘルツ波検出器に至るまでの反射波の電場強度を参照信号として算出し、前記参照信号を用いて前記検出信号を補正する制御装置５を備える。 （もっと読む）

【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置１１は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハＷまで導き、ウェハＷから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路２１と、第一光経路２１と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハＷを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路２１を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハＷの構造を解析するコントローラ１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】同一仕様で形成され同一方法で保持された複数の平面基板上の、同一箇所に形成された同一パターンの形状を確実に順次検査するための簡単な方法を提供すること。
【解決手段】１枚目の検査対象基板に対して、検査のためのカメラと検査対象となるパターンとの撮像距離を順次変化させて各撮像距離で撮像して合計で複数の画像情報を入力し、入力した複数の画像情報を予め登録してある登録画像情報と比較して、登録画像情報に最も類似した一画像の情報を複数の画像情報の中から選択して、検査判定するとともに、選択した画像情報に対応する撮像距離をカメラ最適高さとして特定し、２枚目以降の平面基板上の同一箇所に形成された同一パターンの形状検査において、カメラ最適高さとした撮像距離で検査することを特徴とするパターン検査方法。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア膜において、可視光の透過性と被覆性及び可撓性との良好なバランスを実現することができる技術の提供。
【解決手段】珪素化合物を含有するバッファ層２と、バッファ層２に積層され、珪素酸化物及び／または珪素窒化物を含有するバリア層３と、を含むガスバリア膜１において、バッファ層２についてのフーリエ変換赤外吸収スペクトルにおいて、波数９００ｃｍ^−１での赤外吸光度Ａ１と波数１２６０ｃｍ^−１での赤外吸光度Ａ２との比Ａ_Ｒ（Ａ_Ｒ＝Ａ１／Ａ２）と、前記ガスバリア膜に含まれるバッファ層の厚みの合計ｔ（ｎｍ）とが、Ａ_Ｒ＜３未満かつ式（１）を満たすか、又はＡ_Ｒ≧３かつ式（２）を満たす、ｔ≦１５６５６／Ａ_Ｒ^{３．３１３}（１）ｔ≦８３７／Ａ_Ｒ^{０．６４８}（２）ガスバリア膜。 （もっと読む）

【課題】鏡面に近い面の表面性状を、それぞれの製品あるいは業界に特有の感性に近い指標に基いて定量的且つ総合的に評価できるようにする。
【解決手段】コンピュータ制御にてディスプレイ１１に表示したチェックパターンを被測定面２１に投影して、反射像を撮影装置１２により撮影し、その画像データを収得してコンピュータ３でデータ処理するよう構成した鏡面計１を使用し、コンピュータ３に、鏡面度、鏡面度バラツキ、光沢度、シャープネス、うねり又は形状誤差、コントラストおよび白濁度といった複数の測定項目の算出ロジックを含むコンピュータソフト５を組み込んで、それら複数の測定項目を順次自動的に測定し、鏡面度を含む複数の測定項目を指標として表面性状を評価できるようにする。 （もっと読む）

【課題】集積回路のような電子素子の製造において、光計測を用いた測定の精度を改善する方法及びシステムを提供する。また、調節可能なレジストの光学特性を変化させる方法及びシステムを提供する。
【解決手段】その調節可能なレジスト層は反応性ガス、液体、プラズマ、放射線若しくは熱エネルギー又はこれらを結合させたものを用いて処理されて良い。それによってフォトレジストは露光前に第１組の光学特性と異なる第２組の光学特性を得て、露光波長で又はその近傍の放射線に対して透明ではなくなり、ＯＴＳＭ構造４２０が光線４２５、４２６及び４２７を反射する。 （もっと読む）

【課題】 膜厚測定方法及び膜厚測定装置に関し、簡単な装置構成により、高速且つ高精度で基板上に形成された大面積の薄膜の膜厚を測定する。
【解決手段】 測定対象となる試料一方向に移動させながら、可視光乃至近赤外光領域の線状の連続波長光を前記試料に照射し、試料からの反射光を１ライン毎に撮像手段により撮像し、撮像した１ライン毎の試料の位置と波長とを座標とした各分光波形データについて、各所定の位置毎に第１主成分乃至第Ｋ主成分を求めて第１主成分乃至第Ｋ主成分のセットからなる分光波形特徴データを作成し、各所定の位置毎に分光波形特徴データを参照用テーブルと比較して最も一致度の高い膜厚値を求め、各所定の位置毎に求めた各膜厚値から二次元膜厚分布を作成する。 （もっと読む）

【課題】被検査物が複雑な形状である場合でも、精度よく欠陥を検出することができる欠陥検出方法及び欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、撮像工程により被検査物を撮像し、エッジ検出工程により得られた画像データに基づいて、構造パターンの外周形状であるエッジを検出し、ライン検出工程により、エッジの最外周画素の集合であるラインを検出し、構造ライン取得工程によりエッジが境界となる複数の構造パターンに対してそれぞれに接するラインである構造ラインを取得し、エッジ幅取得工程により２つの異なる構造ライン間の距離をエッジ幅として取得し、平均エッジ幅算出工程により同じ構造ライン上の任意の２点を始点及び終点として設定し、始点から終点までの平均エッジ幅を取得する。そして、欠陥検出工程により、平均エッジ幅とエッジ幅とを比較し欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】検査に適切な明るさやコントラストの画像を取得し、膜厚むら検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】表面に皮膜が形成された基板を一方向に移動させながら、基板に形成された皮膜の膜厚むらを検査する装置及び方法であって、皮膜の厚みを検出する膜厚検出部を備え、光源部は、撮像部側に配置された反射照明部３ａと、基板を挟んで撮像部に対向する位置に配置された透過照明部３ｂを備え、撮像部４は基板との相対角度を調節する撮像部角度調整手段を備え、反射照明部は反射照明部と基板との相対角度を調節する反射照明角度調整手段を備え、透過照明部は透過照明部と基板との相対角度を調節する透過照明角度調整手段を備え、膜厚検出部からの膜厚情報に基づき、反射照明角度調節手段及び透過照明角度調整手段を制御し、反射照明の光量及び透過照明の光量を調節する制御部を備えたことを特徴とする膜厚むら検査装置及び方法。 （もっと読む）

【課題】テクスチャ構造を有する対象物上に形成された薄膜の形状を容易かつ高精度に取得する。
【解決手段】膜形状取得装置１では、上面に複数のテクスチャ凸部を有する基板９上に形成されたシリコン膜の光学モデルにおいて、複数のテクスチャ凸部に一致する薄膜凹部およびその上方に位置する薄膜凸部が設定される。そして、薄膜凸部、薄膜凹部、および、薄膜凸部と薄膜凹部との間の中間部の形状を表すパラメータ群に含まれる各パラメータを有効膜厚にて表現し、有効膜厚を変更することにより各パラメータの値を変更して理論スペクトルの測定スペクトルに対するフィッティングが行われる。これにより、シリコン膜の形状を容易かつ高精度に取得することができる。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイ測定、非対称性測定、およびインダイオーバーレイターゲットの再構築を可能にする。
【解決手段】四分くさび光デバイス（ＱＷ）は、基板から散乱した放射の回折次数を別々に再誘導し、第１方向および第２方向の各々に沿って照明から回折次数を分離する。例えば、０次（０、０’）および１次（−１、＋１’）を、各入射方向について分離する。マルチモードファイバ（ＭＦ）での捕捉の後、スペクトロメータ（Ｓ１−Ｓ４）を使用して波長（Ｉ_０’（λ）、Ｉ_０（λ）、Ｉ_＋１’（λ）、およびＩ_−１（λ））の関数としての空間的に再誘導された回折次数の強度を測定する。そして、これをオーバーレイエラーの計算、または単一格子の非対称パラメータの再構築に用いる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に薄膜を形成する基板処理で、処理の進行具合をリアルタイムで把握して処理の終了時点を精度よく検出できる方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に絶縁膜２を形成する基板処理装置１０であって、絶縁膜２を波長可変単色光ｓで照射し、絶縁膜２および基板１からの各反射光を干渉させる干渉光発生手段１２と、所望膜厚での干渉光強度Ｉが極小になるように単色光ｓの基準波長λ_０を設定する基準波長設定部２８と、基準波長を挟む２波長（λ_１、λ_２）間で単色光ｓを波長変調する変調部２６と、これに応じた干渉光強度Ｉを検出する干渉光検出器１８と、絶縁膜２が所望膜厚に達する直前から所望膜厚に達するまでの干渉光強度Ｉの変化に基づいて、最大波長（λ_２）時と最小波長（λ_１）時の干渉光強度の差分ΔＩが零または所定値になる時点を基板処理の終了時点として検出する終了時点検出手段２０とを備える。 （もっと読む）