【課題】高い測定精度と広い測定範囲を両立させる三次元形状測定装置を提供する。
【解決手段】ある狭帯域フィルタを光学系に挿入して二次元格子パターン３を被検物２に投影する。次に被検物２上の格子パターンを複数の受光レンズ４、撮像素子５を用いて画像として取り込む。画像処理により二次元格子パターン３の縦線、および横線の重心位置を検出し、ここから各格子点の画像上の位置を求める。このとき、二次元格子パターン３の結像位置に、撮像光学系の焦点が合うように、投影レンズ６の焦点位置と、受光レンズ４の焦点位置とが決定される。フィルタを順次切り替えて上記と同じことを行うと、投影レンズ、受光レンズの波長帯域によって焦点位置が異なるので、それらの焦点深度分を重ね合わせた範囲のデータを取得することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】被測定物の広い面積（例えば全体またはほぼ全体）を測定するのに有利な形状測定装置を提供する。
【解決手段】形状測定装置は、被測定物８を載せる載置面２０をもちレーザ光を透過可能な透過部材２を保持する透過部材保持部３と、透過部材に載せられている被測定物８にレーザ光を投光する投光部４と、投光部４から投光されたレーザ光の照射部分の反射光を撮像する撮像部５と、撮像部５で撮像された撮像データを格納する撮像データ格納部６と、透過部材の載置面２０の仮想線の回りに沿って投光部４を回動させ、回動に伴い被測定物８に対して投光部４を相対移動させる第１駆動部７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ｎｍオーダーの複数の円柱体の直径、屈折率及び中心軸間距離を効率よく同時に測定する測定方法およびその測定方法を用いた装置を提供する。
【解決手段】中心軸が平行関係を持つ複数の円柱体の長さ方向に対して垂直に偏向された垂直偏光を前記円柱体に投射して得た所定散乱角度の散乱光による測定散乱光強度と前記散乱角度から算出した計算散乱光強度とから、前記複数の円柱体の個々の直径、屈折率、中心軸間距離及び入射光軸と間隔のなす角の関数で表される偏差指標を算出し、前記偏差指標を最小とする前記複数の円柱体の個々の直径、屈折率、中心軸間距離及び入射光軸と間隔のなす角の組み合わせを導出して、前記複数の円柱体の個々の直径、屈折率、中心軸間距離及び入射光軸と間隔のなす角を求める円柱体の直径、屈折率、中心軸間距離入射光軸と間隔のなす角の測定方法である。 （もっと読む）

【課題】形状検出感度と形状検出精度が高く、電磁波照射方向の形状寸法を検出できる方法及び装置を提供すること。
【解決手段】検査対象部材を透過する波長のテラヘルツパルス光を検査対象部材の少なくとも二つの異なる部位に照射する照射工程と、照射工程で照射され検査対象部材の複数の異なる部位を透過したテラヘルツパルス光の電場振幅時間分解波形をそれぞれ部位毎に検出する検出工程と、を有し、検出工程で検出された電場振幅時間分解波形の位相情報から検査対象部材の形状を検査することを特徴とする形状検査方法。 （もっと読む）

光源（１０４）により放射される光放射の異なる波長の焦点が、測定される表面（１１６）の法線（１１８）の方向において、異なる高さに合うように、光放射処理ユニット（１１２）が、測定される表面（１１６）の法線（１１８）とは異なる方向から、異なる波長を測定される対象（１１４）に向ける。可能性のある偏光子（１２０、１２２）が、表面（１１６）の法線（１１８）に垂直な方向に、反射された光を偏光させる。光放射処理ユニット（１１２）は、測定される対象（１１４）から受けた偏光された光放射を検出器（１０８）に向ける。信号処理ユニット（１２４）が、検出器（１１２）により提供された信号に基づいて、検出された放射から、放射の強度が最も高い波長を決定し、決定された波長により表面（１１６）の位置を決定する。両側から対象（１１４）を測定するとき、測定される対象（１１４）の厚みが、表面の位置を使用して決定可能である。
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【課題】
異方性の小さい測定対象物でも試料ステージや試料の微細パターンによる散乱光の影響を受けることなく、ＳＭＰ法と同様の手法で、高精度で光学異方性パラメータを簡単に測定できる差動ＳＭＰ法を提案する。
【手段】
測定対象物（２）の測定面に対してＰ偏光又はＳ偏光のいずれか一方の方向を基準方向とし、入射光と測定光の一方を基準方向に振動する直線偏光とし、入射光と測定光の他方を基準方向に対して±δ（δ≠ｎπ／２、ｎは整数）の方向に振動する一対の直線偏光とし、その一対の直線偏光に対応する二種類の測定光の光強度を測定し、得られた二つの光強度データの差分を表す差分データに基づいて光学異方性パラメータを測定するようにした。 （もっと読む）

【課題】
偏光を利用して膜厚、屈折率及び屈折率異方性などの光学的パラメータを測定する際に、照射径の大きな光を用いても測定精度を低下させないようにする。
【手段】
試料（２）の測定対象面をＸＹ面とし、入射光軸の方向をα、反射光軸の方向をβとしたときに、試料（２）に直線偏光の入射光束（Ｂ_Ｌ）を照射させる照射光学系（３）は、測定領域に応じたスポット形状の平行光束を照射する光源装置（５）と、その平行光束を所定角度で反射させることにより直線偏光の入射光束を抽出する反射型偏光子（６）を備え、反射光束（Ｂ_Ｒ）に含まれるＰ偏光又はＳ偏光の反射光強度を測定する測定光学系（４）は、反射光束（Ｂ_Ｒ）をＹβ面又はＸβ面と直交する反射面により所定角度で反射させることによってＰ偏光又はＳ偏光を抽出する反射型検光子（８）と、その偏光の光強度を検出する１次元又は２次元の光センサ（１０）を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された形状の欠陥を良好な効率で検出する欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次１次検査を行って当該複数の領域から２次検査を行う該領域を選択する第１の工程と、前記第１の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記２次検査を行って前記欠陥を検出する第２の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】ｐおよびｓ偏光ビーム両方の測定にかかる時間を短縮する。
【解決手段】基板Ｗの特性を求めるために、基板Ｗから回折した後、２本の直交的に偏光したビームの同時測定を実行する。直交する方向に偏光された放射を有する直線偏光光源Ｐ、Ｓは、一方が他方に対して９０°回転した２つの非偏光ビームスプリッタを介して渡される。次に、組み合わせたビームは、基板Ｗで回折してから、非偏光ビームスプリッタを通して戻され、移相器およびウォラストンプリズム５０を通過してから、ＣＣＤカメラＣＣＤで測定される。この方法で、２つの偏光ビームの様々な位相段階で、位相および強度をこれによって測定することができ、ビームの偏光状態を求めることができる。移相器をゼロに変更する（つまり位相シフトがない）と、基板の回折格子は、そのパラメータが、同じ検出器システムでＴＥおよびＴＭ偏光で同時に測定される。 （もっと読む）

【課題】 位置決めの正確さおよび／または強健性が改善されたリソグラフィ投影装置のアライメント・システムを提供する。
【解決手段】 リソグラフィ装置の位置決めシステムは、位置決め放射線源１、第１検出器チャネルおよび第２検出器チャネルを有する検出システム、および検出システムと連絡する位置決定ユニットを有する。位置決定ユニットは、第１および第２検出器チャネルからの情報を組み合わせて処理し、組み合わせた情報に基づいて、第２オブジェクト上の基準位置に対する第１オブジェクト上の位置決めマークの位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】偏光板の無い液晶パネルを検査する方法において、検査装置の偏光板や拡散板に付着した異物と液晶パネルの欠陥とを識別し得る検査方法を提供する。
【解決手段】光源からの光が一対の偏光板を透過するように、液晶パネルの液晶の配向を保持した状態で、撮影手段により、これに向き合う偏光板の出射面を撮影する第１の撮影ステップと、検査装置から液晶パネルを除去し、両偏光板の偏光方向を互いに直角に保持し光源を点灯した状態で、撮影手段に向き合う偏光板の出射面を撮影する第２の撮影ステップと、検査装置から液晶パネルおよび他方の偏光板を除去し、光源を点灯した状態で、撮影手段により該撮影手段に向き合う拡散板の出射面を撮影する第３の撮影ステップと、各撮影により得られた画像に基づいて、液晶パネルの欠陥部位を抽出する抽出ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ表面や表面近傍に存在する異物や欠陥等に由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する異方性を有する場合であっても主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥等の検査が可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】光源１１からの光はビームスプリッタ１２で、略等しい仰角を有し、互いに略直交する２つの方位角からの２つの照明ビーム２１、２２となり、半導体ウェハ１００に照射され、照明スポット３、４となる。照明光２１、２２による散乱・回折・反射光の和を検出するとウェハ１００自身又はそこに存在する異物や欠陥が照明方向に関する異方性の影響を解消できる。これにより、異物や欠陥等に由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する場合であっても主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥等の検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】被検査物体表面等に存在する異物や欠陥により発生する散乱光の強度が照明方向等に依存する場合であっても異物や欠陥の粒径の算出精度を高く維持した上で測定系のダイナミックレンジを拡大可能な表面検査方法を実現する。
【解決手段】等しい波長と等しい仰角と等しい方位角と等しい偏光特性を有し、強度が１００：１だけ異なる２つの照明ビーム３、４によって、被検査物体１００表面を照明する。照明光３、４による散乱・回折・反射光の間の強度比は、被検査物体１００表面や表面近傍に存在する異物や欠陥に由来して発生する散乱光の強度が照明方向または検出方向に依存する異方性を有する場合であっても、それらに依存することなく常に１００：１の一定値であり、異物や欠陥の粒径の算出精度を前記異物や欠陥の異方性や粒径に関らず常に高く維持した上で、測定系のダイナミックレンジを拡大できる。 （もっと読む）

【課題】動く被測定物、又は被測定物を動かしながら、その被測定物の空間情報及び時間情報をリアルタイムに取得できる電磁波測定装置を小型に実現する技術を提供する。
【解決手段】通過する光に対してその光の進行方向に垂直な面内で光学長が異なる複数の領域を有し、前記複数の領域にプローブ光１３８が入射され、各領域から遅延が異なる複数の時間差プローブ光１３９を出力する遅延時間変調素子２１と、前記複数の時間差プローブ光１３９とテラヘルツ波１３６とが重畳して入射され、各時間差プローブ光１３９を前記テラヘルツ波１３６の電界に応じて変調する電気光学素子１１６と、前記変調後の各時間差プローブ光を、それぞれ異なる画素で検出するイメージセンサ１１９とを備え、前記遅延時間変調素子は、前記テラヘルツ波の１波長に含まれる大きさの複数の部分にそれぞれ前記複数の領域を有する。 （もっと読む）

【課題】動く被測定物、又は被測定物を動かしながら、その被測定物の空間情報及び時間情報をリアルタイムに取得できる電磁波測定装置を小型に実現する技術を提供する。
【解決手段】プローブ光が入力され、前記プローブ光の異なる周波数成分にそれぞれ異なる遅延を与えることによって、チャープ化プローブ光を出力するパルス伸長器４０１と、前記チャープ化プローブ光と被測定電磁波とを重畳するシリコンミラー１１５と、前記重畳されたチャープ化プローブ光と被測定電磁波とを入射され、前記チャープ化プローブ光を前記被測定電磁波の電界に応じて変調する電気光学素子１１６と、前記変調後のチャープ化プローブ光を、前記チャープ化プローブ光のそれぞれ異なる周波数成分に透過性を有するフィルタが設けられた複数の画素で検出するイメージセンサ４１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 物体表面の粗面として、入射光の波長より十分に大きい数十ミクロン程度の粗さを持ち、一定以上の面積を持つ粗面について、ミリメートル前後の局所的な不均一性を、高精度に、迅速に検出することができる表面状態検査装置及び表面状態検査方法を得ること。
【解決手段】 被検査対象の表面を照射するためのレーザー光源、該表面からの光回折像の一部を集光する所定の開口数ＮＡの光学系を有し、該レーザー光の波長よりも十分に大きい粗さを持つ該円筒形状部材の表面の粗さの均一度を、該表面からの光回折像強度分布の変化から測定する検査装置において、入射光はθ_ｉの角度でＰ偏光で入射され、入射面内で法線から、所定の角度θ_Ｓ方向への回折光をＰ偏光成分のみを選択する手段を備えた該光学系で集光し、光学系の近軸像面付近の光束制限手段を介して、光強度検出器で光量変化を測定するとき、入射角θ_ｉ、角度θ_Ｓ、開口数ＮＡを適切に設定したこと。 （もっと読む）

【課題】特定の偏光状態を有して試片の表面に入射した光が反射された後に有するようになる偏光状態の変化を分析して、試片の光学的特性を見出す楕円計測器を提供する。
【解決手段】光源(Light source)；光源から放出された光を線偏光させる線形偏光子(Linear polarizer)、偏光状態によって進行波の位相を異なるように変える補正器(compensator)などが備えられた光源部モジュール；光源部モジュールで偏光した光を分割する光分割器(beam splitter)；光分割器で分割された一部の光を通過させ試片に集中して照射させる対物レンズ(Objective lens)；試片で反射した光を偏光させる受光部モジュール；受光部モジュールを通過した光を複数の単位素子(pixel)で検出する光検出器(Optical detector)；光検出器で検出された光の強度をそれぞれの単位素子に該する値で数値化して演算処理する演算処理装置；とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＰの保護層の膜特性からエージング処理を行う時間を決定することで、適切なエージング処理を実施できるようにする。
【解決手段】間に放電空間を形成するように配置した第１基板および第２基板と、前記第２基板上に形成された複数の表示電極と、前記表示電極を覆うように前記第２基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された保護層とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記保護層は複数の層が積層された構造であると仮定して、前記保護層の表層の膜特性を測定するステップと、前記膜特性からエージング時間を決定するステップと、前記エージング時間にわたってエージングを行うステップとを有する。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハ、光学薄膜、ディスプレイスクリーンなどの基体における欠陥の物理的特性を決定して、特定して位置を定める方法に関する。方法は、基体を撮像するためにＰＣスキャナの使用を伴う。特に、透過モード撮像において用いられるＰＣスキャナは、基体の体積に関する情報を決定することを可能にする。方法は、干渉法技術の使用により、層厚、曲率および光学定数などの特性の決定を可能にし、偏光撮像の使用により、複屈折率および歪みの決定を可能にする。方法はまた、例えば、光ルミネセンスおよびエレクトロルミネセンスなどの基体におけるルミネセンスに刺激を与え、ルミネセンスマッピングのために刺激を与えた基体を走査することに関する。
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【課題】本発明は、確実に良好な検査を行うことのできる表面検査方法、及びそれに好適な表面検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面検査方法は、被検基板上のパターンを偏光した照明光で照明すると共に、そこで生じた正反射光の偏光状態を示す反射信号を取得し、その反射信号に基づき前記被検基板の検査を行う表面検査方法であって、前記被検基板の検査に先立ち、前記照明光の波長を切り替えながら（Ｓ１，Ｓ３，Ｓ４）、予め用意されたテスト基板の前記反射信号を繰り返し取得し（Ｓ２）、取得された複数の反射信号に基づき前記被検基板の検査用の波長を決定する（Ｓ５）ことを特徴とする。 （もっと読む）