【課題】被計測物を精度よく計測することができる３次元計測装置およびそれに用いられる照明装置を提供する。
【解決手段】３次元計測装置１は、被計測物８に円偏光を照射する照明手段２と、照明手段２を移動させる移動手段３とを備える。また、３次元計測装置１は、被計測物８の被照射面からの反射光を受けて上記被照射面を撮像する撮像手段４と、撮像手段４で撮像された撮像画像を用いて反射光の偏光状態を検出し、被計測物８の被照射面の向きを求める演算手段５とをさらに備える。照明手段２は、円偏光を被計測物８の一部に照射する。移動手段３は、被計測物８において被照射面の位置が変わるように照明手段２を移動させる。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高感度の分光散乱計を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の回折構造体からの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体を測定して回折構造体の強度またはエリプソメトリックな署名を得る。この署名をデータベース内の署名と適合させて構造体の格子型パラメータを判定する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気中で測定対象物を精度良く測定でき、光ファイバを着脱しても、測定精度に影響の無いエリプソメータを提供する。
【構成】投光部１３と受光部１４を筺体１１の内部に配置し、発光装置１２を筺体１１の外部に配置し、光配線装置１８によって、発光装置１２と投光部１３とを光接続する。投光部１３は入射光を偏光して測定光を生成し、測定対象物７に照射し、反射光を受光部１４によって受光して筺体１１の外部に配置された分析装置１５へ送光すると、分析装置１５で膜厚が求められる。測定対象物７を真空雰囲気中で測定でき、光配線装置１８と投光部１３とを着脱しても、相対的に同じ位置で仮固定され、着脱が測定精度に影響を与えない。 （もっと読む）

【課題】液浸法で露光を行う露光装置の液体に接する部分に異常があるかどうかを効率的に判定する。
【解決手段】露光光ＥＬで投影光学系ＰＬと液体１とを介して基板Ｐを露光する露光方法において、液体１に接する接液部を光学的に観察し、得られる第１画像データを記憶する第１工程と、接液部の液体１との接触後、例えば液浸露光後に接液部を光学的に観察して第２画像データを得る第２工程と、第１画像データと第２画像データとを比較して、その観察対象部の異常の有無を判定する第３工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】偏光解析を用いながら、複数の傾斜面の各傾斜方向の違いを識別できる３次元計測装置、および３次元計測方法を提供する。
【解決手段】３次元演算部４の傾斜算出部４１は、ワーク台座６によってカメラ３の撮像方向とワークＷの表面との相対角度を第１の状態に設定してカメラ３が生成した撮像データに基づいて、透過光Ｌ３の偏光状態を検出し、この検出した偏光状態に基づいて、ワークＷの表面の第１の傾斜角および第１の方位角を求め、ワーク台座６によって相対角度を第１の状態から第２の状態に変化させた後にカメラ３が生成した撮像データに基づいて、透過光Ｌ３の偏光状態を検出し、この検出した偏光状態に基づいて、ワークＷの表面の第２の傾斜角および第２の方位角を求め、傾斜補正部４２は、第１の傾斜角と第２の傾斜角との差に基づいて、第１の傾斜角または第１の方位角を補正する。 （もっと読む）

【課題】回折構造体の測定パラメータモデルを利用する分光散乱システムおよび方法を提供する。
【解決手段】モデルの固有値を事前計算し、記憶し、ある共通の特性をもつ他の構造体に対して後に再利用する。１つ以上のパラメータの値を求めるために用いられる散乱データは、下敷フィルム特性に対して感度が低くなる波長におけるデータだけに制限することが可能である。代表的な構造体をスラブ２００’（ｉ）のスタックにスライスし、各スラブの近似を行うため四角形ブロック２１０，２１２，２１４，２１６，２１８のアレイを作成することによって三次元グレーティングに対するモデルを構築することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅を測定可能であるとともに、繰り返しパターンの下層部の状態を検出可能な表面検査方法および装置を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０４）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０５）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０６）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅および繰り返しパターンの下層部の状態を求める演算ステップ（Ｓ１０７）とを有し、演算ステップでは、瞳面において線幅との相関が高い線幅感応瞳内位置での階調値から線幅を求めるとともに、線幅変化の影響を受けない線幅不感応瞳内位置での階調値から繰り返しパターンの下層部の状態を求める。 （もっと読む）

【課題】所定の圧力及び所定の温度に加圧された部屋に配置した基板に形成されている物質（特に、薄膜）の間隙率を求める装置及び非破壊方法に関する。
【解決手段】ガス物質（例えば、トルエン蒸気）が部屋１に導入され、所定時間後、部屋に配置した基板２に形成されている薄膜の間隙率が、少なくとも偏光解析測定によって求められる。特に、偏光解析器６から得られる光学的特性は、薄膜の間隙（ポア）に凝縮されたガス物質の量を求めるために利用される。その量は、薄膜の間隙率を計算するために利用される。 （もっと読む）

【課題】サンプルに形成された薄膜の除去工程中に該薄膜に関する情報を、渦電流プローブを使用して実状態で取得する方法を開示する。
【解決手段】渦電流プローブに検出コイルを設ける。渦電流プローブの検出コイルに交流電圧を印加する。渦電流プルーブの検出コイルがサンプルの薄膜に近接したときには、該検出コイルで第１の信号を測定する。該検出コイルが、既知の組成を有しおよび／または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第２の信号を測定する。第１の信号に含まれる利得及び／又は位相の歪みを第２の信号に基づいて校正する。校正した第１の信号に基づいて薄膜の特性値を決定する。上述の方法を実行する装置を更に開示する。加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨（ＣＭＰ）システムを開示する。このＣＭＰシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。 （もっと読む）

【課題】光学システムにおいて、位相および振幅情報を含む波面分析、ならびに３Ｄ測定を実行する方法および装置、特に、光学システムの画像面のような、中間面の出力の分析に基づく方法および装置を提供する。
【解決手段】 薄膜コーティング、または多層構造の個々の層が存在する表面トポグラフィの測定について記載する。多重波長分析を、位相および振幅マッピングと組み合わせて利用する。マクスウェルの方程式の解に基づき、仮想波面伝搬を用いて、波面伝搬および再合焦によって位相および表面トポグラフィの測定を改良する方法について記載する。このような位相操作方法によって、または広帯域およびコヒーレント光源の組み合わせを利用する方法によって、光学撮像システムにおいてコヒーレント・ノイズの低減を達成する。本方法は、集積回路の分析に適用され、コントラストを高めることにより、または１回のショット撮像における３Ｄ撮像によってオーバーレイ測定技法を改善する。 （もっと読む）

【課題】フォーカス異常とドーズ量異常を区別して検出することが可能な表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０４）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０５）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０６）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅および露光時のフォーカス状態を求める演算ステップ（Ｓ１０７）とを有し、演算ステップでは、瞳面において線幅との相関が高い瞳内位置での階調値から線幅を求めるとともに、フォーカス状態との相関が高い瞳内位置での階調値からフォーカス状態を求める。 （もっと読む）

【課題】複数の画像データから高精細な画像を表す高精細画像データを生成する高精細画像生成処理において、生成する高精細画像の出力時における画質の低下が抑制されるような画像データを生成することを可能とする。
【解決手段】画像生成装置は、生成する高精細画像データの出力に用いる出力装置に関する情報を出力装置情報として取得し、出力装置情報に基づいて出力装置での出力に適した高精細画像の画像サイズを生成画像サイズとして設定する生成画像サイズ設定部を備える。また画像生成装置は、複数の画像データから、時系列に並んだ複数の画像データを合成元画像データとして取得し、取得した合成元画像データを合成して、設定した生成画像サイズの高精細画像を表す高精細画像データを生成する画像合成部を備える。 （もっと読む）

【課題】検査時における照明光の光量を安定させた表面検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１は、照明部が、ランプハウス６１からの光のうち所定の波長領域の光を透過させるバンドパスフィルターが設けられた波長選択機構７０，７５を有し、当該バンドパスフィルターを透過して得られた所定の波長領域の光を照明光として被検基板１０の表面に照射するように構成されており、紫外光を遮断するＵＶカットフィルター６５がランプハウス６１と波長選択機構７０，７５との間の光路上に挿抜可能に設けられ、非検査時にＵＶカットフィルターが光路上に挿入され、また前記ＵＶカットフィルターの保持基板に「(1)熱線吸収膜(2)熱線反射膜及び熱線吸収膜の積層膜(3)熱線吸収膜及び熱伝導性膜の積層膜(4)熱線反射膜及び熱伝導性膜の積層膜(5)熱線反射膜、熱線吸収膜及び熱伝導性膜の積層膜の」うちのいずれかが設けられている。 （もっと読む）

【課題】プロダクトフィーチャと同じ感度を受けるオーバーレイエラーを決定する方法を提供する。
【解決手段】オーバーレイエラーの決定に用いるマークはサブフィーチャ（４６）を含んでおり、このサブフィーチャはプロダクトフィーチャの最も小さいピッチとほぼ同等である最も小さいピッチを有する。これにより、歪みおよび収差に対する感度はプロダクトフィーチャのものと同じになる。しかしながら、マークが現像されるとサブフィーチャは組み合わされ、より大きいフィーチャの輪郭のみが現像される。 （もっと読む）

【課題】製造された全ての半導体基板の所定の測定点における少なくとも応力と膜厚とを自動的に測定し、かつ、的確に分析して高性能で生産性よい基板製造工程の確立に寄与する基板検査装置を提供できるようにする。
【解決手段】測定対象ウェハ３を移動可能な試料台４上に搬送する搬送装置と、試料台４上のウェハ３表面の測定点Ｐを観察する光学顕微鏡１０と、その測定点Ｐに多波長の偏光された光Ｌ₃を照射してウェハ表面に関する情報を出力するエリプソメータ光学系４０と、ウェハ３の測定点Ｐにレーザ光を照射してウェハ３に関する他の情報を出力するラマン分光光学系２０と、それら情報を用いて膜厚・屈折率及び応力・組成などの物理情報を解析し出力するコンピュータ６０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】撮像対象との距離を表す距離画像を生成する際に、撮像対象の光反射やその光沢などの外乱、測定原理等に起因する距離の誤差の低減を実現する。
【解決手段】撮像対象との距離を計測するための画像を撮像する第１の撮像手段１１０と、第１の撮像手段１１０で撮像された画像に基づくデータを用いて撮像対象までの距離を算出する距離算出手段１３０と、偏光成分を計測するための画像を撮像する第２の撮像手段１２２と、第２の撮像手段１２２で撮像された画像に基づくデータを用いて偏光状態の解析処理を行う偏光解析手段１４０と、距離算出手段１３０で算出された距離に係る距離情報１０３及び偏光解析手段１４０で解析処理された偏光状態に係る偏光解析情報１０５に基づいて、撮像対象の距離画像１０６を生成する距離画像生成手段１５０を備える。 （もっと読む）

【課題】分光エリプソメータの光源における熱の発生を低減するとともに対象物からの反射光の偏光状態を精度良く取得する。
【解決手段】分光エリプソメータ１では、光源３１からの光が偏光子３２１を介して基板９に導かれ、基板９からの反射光が、回転する検光子４１を経由して分光器４２にて受光されて反射光の偏光状態が取得される。分光エリプソメータ１では、半導体発光素子からのパルス状の光を連続スペクトルを有するパルス光に変換して出射する光源３１が利用されることにより、光源３１における熱の発生を低減することができる。その結果、光源３１と基板９との間に配置された光学素子等の熱膨張を抑制し、基板９からの反射光の偏光状態を精度良く取得することができる。また、検光子４１の回転位置が所望の角度となっているときの分光強度を正確に取得することができるため、基板９からの反射光の偏光状態をより精度良く取得することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上の回折構造体の格子型パラメータを決める。
【解決手段】半導体ウェハ１２ａ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータ３４を使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。そして、厳密なモデルを使って回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックなパラメータを計算する。次に、偏光放射線および広帯域放射線を用いた分光散乱計を使って回折構造体１２ｃを測定して回折構造体１２ｃの強度またはエリプソメトリックなパラメータを得る。これらパラメータと参照データベースを用いて格子型パラメータを決める。 （もっと読む）