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Fターム[2F065LL42]の内容

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【課題】測定物の厚さや温度測定を、非接触により高精度で行うこと。
【解決手段】干渉測定装置は、スーパーコンティニューム光を放射する光源10と、SC光を測定光と参照光とに分割する光ファイバカプラ11と、ミラー12と、ミラー12の位置を調整する位置調整装置13と、測定光と参照光との干渉強度の波長スペクトルを測定する受光装置14と、干渉強度のスペクトルを空間座標に逆フーリエ変換して、干渉強度の空間分布を求め、その空間分布から測定物の厚さや温度を測定する干渉波形解析装置15と、によって構成されている。 (もっと読む)


【課題】位置精度性能が向上した、改善されたリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】基準構造に対してある方向に移動可能である支持部と、第1の周波数範囲内で上記方向における基準構造に対する支持部の位置を表す第1測定信号を提供するように構成される第1位置測定システムと、第2の周波数範囲内で上記方向における基準構造に対する支持部の位置を表す第2測定信号を提供するように構成される第2位置測定システムと、(a)第2周波数範囲内の周波数を有する信号成分を減衰させるように第1測定信号をフィルタリングし、(b)第1周波数範囲内の周波数を有する信号成分を減衰させるように第2測定信号をフィルタリングし、(c)フィルタリング後の第1測定信号とフィルタリング後の第2測定信号とを結合して、上記方向における基準構造に対する支持部の位置を表す結合測定信号を生成するように構成されるプロセッサと、を備える。 (もっと読む)


【課題】アイセーフ波長のレーザ光を用いて低コストかつ高精度に距離を測定する。
【解決手段】レーザ光源24からのアイセーフ波長のレーザ光は、ポリゴンミラー21により走査されつつ測定対象に照射される。測定対象からの光はGLV32へと導かれ、GLV32からの回折光が光検出器35にて受光される。光検出器35は単一のフォトダイオードを備える。GLV32からは可干渉性の強い光のみが光検出器35へと導かれるため、レーザ光に由来する光のみが光検出器35にて検出される。GLV32において回折光を出射する領域を移動することにより、レーザ光に由来する光の入射位置が求められる。これにより、背景光の影響を受けることなく精度よく距離を測定することができる。また、単一のフォトダイオードを用いることにより、アイセーフ波長の光を低コストにて検出することができる。 (もっと読む)


【課題】一般の湿潤環境に適用可能な屈折率補正機能を有する光波干渉計測装置を提供する。
【解決手段】光波干渉によって参照光路と被検光路の幾何学的距離差を計測する計測装置であって、測長用光源からの光であって参照面で反射した光と被検面で反射された光の干渉信号の位相を検出する位相検出部と、前記測長用光源の波長とは異なる非測長用光源からの光であって前記参照面で反射した光と前記被検面で反射された光の強度を検出する強度検出部と、前記位相と前記測長用光源の波長から算出される光路長と、前記非測長用光源の光の強度情報から算出される前記被検面と前記参照面の間の水蒸気圧分布の平均値とから前記幾何学的距離を算出する解析部を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】モードロックレーザを用い高速で波長を掃引しても高コヒーレンス性を保つ光源を用いて光断層画像表示システムの分解能、および深達度を向上させること。
【解決手段】波長走査型レーザ光源10に一対の回折格子32,33を対向して配置し、これを分散素子として用いる。この分散素子に半導体光増幅器35を接続し、モードロック信号発生部38よりクロック信号を与えて光信号を増幅する。このクロック信号のクロック周波数を変化させることによってクロック周波数に応じて発振波長を走査することで、高速で波長を可変でき、この光源を用いることで光断層画像表示システムの分解能、および深達度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】チャックテーブルに保持された半導体ウエーハ等の被加工物の上面位置を計測する計測装置および計測装置を装備したレーザー加工機を提供する。
【解決手段】発光源からの光を第1の経路に導くとともに第1の経路を逆行する反射光を第2の経路に導く第1の光分岐手段と第1の経路に導かれた光を平行光にし、この平行光を第3の経路と第4の経路に分ける第2の光分岐手段と第3の経路に配設され第3の経路に導かれた光を被加工物に導く対物レンズと、第2の光分岐手段と対物レンズとの間に配設された集光レンズと、第4の経路に導かれた平行光を反射し、この反射光を逆行せしめる反射ミラーと、第2の経路に導かれた反射光を回折する回折格子と、回折光の所定の波長域における各波長の逆数の光強度を検出するイメージセンサーと、検出信号からの分光干渉波形と理論上の波形関数に基づくフーリエ変換理論による波形解析を実行する制御手段とを具備している。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばCD−SEMとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をCD−SEM(第1の計測手段)とスキャトロメトリ(第2の計測手段)との両方で計測する(S202,S203等)。ウェハ内の複数の計測点に関し、第1及び第2の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する(S210等)。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第2の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第1及び第2の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程(S207)の処理条件の制御パラメータを計算(S213)し、変更する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光の光軸方向において、投射光学系の小型化を図り得る情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供する。
【解決手段】情報取得装置は、所定波長帯域のレーザ光を出射するレーザ光源111と、レーザ光源から出射されたレーザ光を平行光に変換するコリメータレンズ112と、目標領域から反射された反射光を受光して信号を出力するCMOSイメージセンサ125と、CMOSイメージセンサ125から出力される信号に基づいて目標領域に存在する物体の3次元情報を取得するCPUとを備える。コリメータレンズ112の出射面112bに、レーザ光を回折によりドットパターンを持つレーザ光に変換する光回折部112cが一体的に形成されている。 (もっと読む)


【課題】高精度な光学式エンコーダを提供する。
【解決手段】本発明のエンコーダは、移動可能な格子スケールと、前記格子スケールに照射した光束の反射光または透過光を光電変換して、互いに位相差が異なるN相(Nは6以上の整数)の周期信号を生成する複数の受光素子と、前記受光素子で生成された各相の前記周期信号に対してM組(Mは2以上の整数)の係数群を乗算し、該係数群を乗算して得られた値の総和からM相の正弦波状周期信号を生成する増幅器とを有する。 (もっと読む)



【課題】改善されたリソグラフィ装置及び方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、基板の目標部分にパターンを生成するよう構成されている光学コラムであって、ビームを与えるよう構成されている制御可能素子906と、目標部分にビームを投影するよう構成されている投影系と、を備える光学コラムと、基板に対して光学コラムの少なくとも一部924、930を移動させるよう構成されているアクチュエータ936と、光学コラムの少なくとも一部の位置を測定するよう構成されている測定システム938、940と、制御可能素子を駆動するよう構成されているコントローラ942と、を備え、コントローラに測定システムの出力信号が与えられる。 (もっと読む)


【課題】簡素な構成にて目標領域の情報を精度よく取得できる情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供する。
【解決手段】情報取得装置1は、波長830nm程度のレーザ光を出射するレーザ光源111と、レーザ光を前記目標領域に向けて投射する投射光学系10と、前記目標領域からの反射光を受光して信号を出力するCMOSイメージセンサ125とを有する。レーザ光が出射されたときにCMOSイメージセンサ125から出力される第1の撮像データから、レーザ光が出射されていないときにCMOSイメージセンサ125から出力される第2の撮像データが減算され、減算結果が、メモリ25に記憶される。3次元距離演算部21cは、メモリ25に記憶された減算結果に基づいて、3次元距離情報を演算し取得する。 (もっと読む)


【課題】光コヒーレンストモグラフィ(以下「OCT」という。)手法を用いて紙葉類の断面構造情報を検出する。
【解決手段】搬送機構部20にセットされた検出対象である紙葉類10に対し、OCT信号検出部30から低干渉性(コヒーレンス)光を照射し、紙葉類10からの反射光を受光して、参照光との間で得られる干渉光の強さを検出する(OCT生信号の検出)。得られたOCT生信号は、データ処理および判定部50へ与えられて、データ処理および判定処理として、「反射率の深さ方向のプロファイル算出処理」(S1)、「反射率の深さ方向プロファイル解析処理」(S2)および「判定処理」(S3)が行われる。 (もっと読む)


【課題】位置計測系の周期誤差が発生しても、精度良く周期パターンの位置を検出する。
【解決手段】可動ステージの位置を位置計測系を用いて計測し、その計測情報を用いて可動ステージを駆動するとともに、可動ステージ外の周期パターンから成る計測用マークを可動ステージに一部が配置された検出器を用いて検出する。ここで、位置計測系の計測周期(図10(B)及び10(C)に示される例では0.25μm)の自然数倍と異なるピッチ(図10(C)の例では2.03125μm(なお、図10(B)の例では2μm))の周期パターンを計測用マークとして用いることにより、計測周期に等しい位置計測系の周期誤差が発生しても、検出精度を損なうことなく、計測用マークの位置情報を計測することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】回折格子回折格子全面からの回折光波面を短時間に計測し、得られた波面情報に演算処理を施すことで、従来技術が持つコストと評価時間に関する課題を解決することを目的としている。
【解決手段】1軸回折格子10または2軸回折格子の全面に光を照射し、+1次回折光と−1次回折光のそれぞれの波面情報をフィゾー型干渉計11などの形状計測用干渉計で評価する。回折格子からの+1次回折光または−1次回折光と、フィゾー型干渉計12の内部に搭載されている参照用オプティカルフラット12からの参照光が重なり合うように、形状計測用干渉計に対して回折格子を相対的に傾ける。フィゾー型干渉計12により、回折光全面からの波面を一括に、且つ短時間に計測できる。得られた+1次回折光または−1次回折光の波面を減算処理することで、回折格子全面にわたるピッチばらつきを求めることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、測定対象物の表面形状をより高い精度で測定することができる形状測定装置および形状測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の形状測定装置Sは、光へテロダイン干渉を行う一面側測定部2および他面側測定部3によって測定対象物WAの厚さを測定するものであって、一面側測定部2が測定対象物に複数の測定光を照射することで、1回の測定で測定対象物WAにおける厚さと表面形状とを測定する。 (もっと読む)


【課題】基板上の膜厚を測定可能な検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置1は、表面に薄膜が設けられたウェハWを支持するステージ10と、ステージ10に支持されたウェハWの表面に照明光を照射する照明系20と、照明光が照射されたウェハWの表面からの光を検出する撮像装置35と、撮像装置35により検出された光の情報から薄膜の膜厚を測定する膜厚算出部50と、照明光の実際の波長を測定する画像処理部45とを備え、膜厚算出部50は、画像処理部45により測定された照明光の実際の波長を用いて、撮像装置35により検出された光の情報から膜厚を求める。 (もっと読む)


【課題】基板表面のレベル変動の測定時間を短縮する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、パターニングデバイスからパターンを基板(W)に転写するパターニングサブシステムを備える。パターニングサブシステムは、記録された基板表面のレベル変動の測定結果に従って制御される。レベルセンサ(LSP,LSD)は、レベルセンシング放射ビームを投影して基板表面の位置から反射させ、反射したセンシングビームを検出して位置の表面レベルを測定するために設けられる。レベルセンサは、少なくとも一つの移動光学素子(MP,MD)内蔵しており、基板表面を光学的移動(δY)により少なくとも一次元にスキャンして、レベルセンサと基板との間の機械的動作なしで異なる位置の表面レベルの測定結果を取得する。光路長等化手段は、成形リフレクタ及び/または追加的な移動ミラーを用いることにより、スキャンの間の焦点変動を回避するために配置される。 (もっと読む)


本発明は、土木構造物のための可撓性ストリップ(1)に関し、この可撓性ストリップは、縦軸に沿って縦方向に延びることができ、構造物が変形および/または温度に関して位置を特定し測定値を得ることを可能にする少なくとも1つの光ファイバ(20)を備え、前記光ファイバ(20)が、実質的に縦軸に沿って配置されるとともに、実質的に縦軸に沿って少なくとも部分的に強化された連続強化繊維(30)の熱可塑性ポリマーマトリックスによって取り囲まれ、実質的に縦軸に沿って延びる連続強化繊維の質量WCFが、光ファイバの質量WOFの10倍以上である。本発明はまた、計測デバイスおよび関連する方法に関する。
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【課題】微小な欠陥を検出するために、照明光量を大きくすると、ウェハにダメージを負わせ、感度向上を妨げている。一方、検出範囲を空間的に小さくすると、欠陥以外による散乱光を排除する事ができ、高感度に検出する事ができ、さらに、検出範囲を小さくすることによる検査時間の増大するという課題がある。
【解決手段】本発明の特徴は、試料を移動する搬送系と、試料へ線状照明光を照射する照射光学系と、前記試料の高さを測定する高さ検出系と、複数の画素を有する検出器を備える検出光学系と、前記検出光学系の検出結果を用いて前記試料の異物又は欠陥を検査する処理部と、前記試料の高さを制御する制御部と、を有し前記制御部は、前記高さ検出系の測定結果を用いて、前記線状照明光の変動量が前記画素の大きさよりも小さくなるように、前記試料の高さを制御することにある。 (もっと読む)


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