【課題】寸法検査工程において、回路パターンまたはＱＣパターンの活性化領域上のゲート電極寸法を高精度に計測し、半導体装置を安定して製造する。
【解決手段】測定対象の画像データから、配線幅プロファイルを取得し、設計データベースから活性化領域の幅やピッチなどの下層レイヤの寸法を取得し、活性上解析領域を幅、およびピッチで設定し、画像の端からの位置をｘとする。活性上解析領域の配線幅の平均値をＡＥＩ＿Ａ（ｘ）として計算する。位置ｘを０からＴまで移動すると、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は下層レイヤのピッチ構造に応じて変動する。下層レイヤの活性化領域と活性上解析領域が一致した場合、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は最大値をとる。この極値を活性領域上のゲート電極寸法の計測結果とし、半導体装置の製造工程を管理する。 （もっと読む）

【課題】ノッチ形状誤差等によるノッチ位置決め誤差が補正でき、半径方向結晶方位の測定の精度が高い結晶方位測定装置を提供する。
【解決手段】円筒状結晶２をその円筒軸に対し回転させる回転部１１と、円筒状結晶２を回転し、円筒状結晶２の周側面に設けられたノッチ２ａを基準に円筒状結晶２を位置決めする位置決め部１２と、円筒状結晶２が位置決めされると、回転軸に対するノッチ２の位置を測定するノッチ測定部１２と、周側面にＸ線を照射して半径方向の結晶方位を測定する結晶方位測定部１３と、結晶方位測定部１３で測定した結晶方位をノッチ測定部１２で測定したノッチの位置で補正して半径方向の結晶方位を求める補正部１４２とを備える。 （もっと読む）