【課題】 間隙の広がり半径に応じて割れ目の表面積Ｓを的確に評価する。
【解決手段】 自然状態のラドンの濃度［Ｒｎｎ］とラドンフラックスの理論値Ｆｎにより間隙の幅ｗｎを求め、水を循環させた際に水に放出されたラドンの濃度［Ｒｎ］と間隙の幅ｗｎ及び容器の体積Ｖ、容器の表面積Ｓ、及び、容器のラドンフラックスＦにより、間隙の広がりの半径ｒを求めてディスクモデルに置き換えた広がりを求め、間隙の広がりの半径ｒに基づいて間隙の表面積Ｓ（＝２πｒ^２）を評価する。 （もっと読む）

【課題】直接又は潤滑油等を介して接している２物体の間のごく微小の間隙の大きさやその接触部位付近の両物体の微細な表面形状を計測・観測可能とする。
【解決手段】２物体４Ａ、４Ｂの接触部位に対して、該接触部位の接平面に対する角度が全反射臨界角以下である入射角度でＸ線を照射し、その接触部位から反対側に出射してくる通過Ｘ線、回折・散乱Ｘ線、特性Ｘ線等を位置敏感型の２次元Ｘ線検出器５で検出する。２次元Ｘ線強度分布作成部６１はＸ線検出器５からの検出信号により２次元Ｘ線強度分布画像を作成し、解析処理部６２は該画像中で例えば接触の種類（点、線等）に応じて設定された検出窓に含まれる複数の画素のみを抽出して、該画素のＸ線強度を積算する。そして、この積算Ｘ線強度に基づいて接触部位に存在する微小間隙の大きさを求めるとともに、２次元Ｘ線強度分布画像から求まる強度パターンを解析して表面形状を推定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
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【課題】高価な位置決め機構や複数式の検査機器を用いることなく、感度・鮮鋭度の高い画像を取得できると共に、搬送される被検査物の内部部位の寸法を高精度で測定可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線発生手段と、Ｘ線を感知できるＣＣＤ素子を被検査物の進行方向と直交する方向に１ライン配列すると共に進行方向に２列以上配列し、各列のＣＣＤ素子により、搬送される被検査物を繰り返し露光して取得した像を一列ずつシフトながら重ね合せて被検査物のＸ線透過像を出力するラインセンサーカメラを有する撮像手段と、被検査物を前記進行方向に搬送すると共に、撮像手段が１ライン単位で各列のＣＣＤ素子の電荷を転送して読み出す際の電荷転送速度に合わせた搬送速度で被検査物を搬送する搬送手段と、撮像手段から出力されるＸ線透過像に基づいて被検査物の内部を含む所定の検査対象部位の寸法を測定する寸法測定手段と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定する。
【解決手段】被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ位置を検出するステップと、エッジ位置の検出に用いたと同一の信号強度分布からパターンのエッジ部分のスロープ値を検出するステップと、検出したスロープ値が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定し、一方、所定範囲外のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が不良と判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＡＤＰのような複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高精度且つ高いスループットにて実現することを目的とする。特に、ギャップ判定が困難な試料であっても、適切にその判定を可能とするパターン測定装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する複数種類の特徴量を抽出し、当該複数種類の特徴量の内、適切な種類の特徴量について、前記パターンの一端側と他端側の特徴量を比較し、当該比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】測定対象領域のサイズを動的に設定し、半導体パターンのエッジ部分を精度良く検出する技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッジ部分検出方法では、観察画像のうち半導体パターンのエッジ部分を含む大きめの画像領域を走査することにより、検出対象のエッジ部分と直交する第２エッジ部分を検出し、最終的な走査範囲を第２エッジ部分よりも内側に設定する。 （もっと読む）

【課題】
コンタミネーションの付着を低減する、微細な基準寸法を有する、電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材を提供する。
【解決手段】
少なくともシリコンを含み、予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、寸法校正用標準部材の溝パターンの表面に１ｎｍから５ｎｍのシリコン酸化膜を形成することによって、電子ビーム照射によって付着するコンタミネーション量を低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高いスループットにて実現することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する特徴量を抽出し、当該２つの特徴量の比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、試料上の任意の評価ポイント（ＥＰ）を自動で撮像し，評価ポイントに形成された回路パターンを自動で計測することを可能にする。
【解決手段】
本発明では、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、ＥＰの座標データと前記ＥＰを含む回路パターンの設計データを入力とし，前記ＥＰ座標データと設計データから，前記ＥＰ内に存在するパターンを計測するための測長カーソルの生成および測長方法の選択あるいは設定を自動で行うようにしてレシピを自動生成し，このレシピを用いて自動撮像・計測を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的はパターンエッジの傾斜を評価するのに好適な試料測定方法、及び試料測定装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下にパターンエッジについて、複数の輪郭線を形成し、その輪郭線間の寸法を評価する方法、及び装置を提案する。このように複数の輪郭線を形成することによって、パターンのエッジ部分の傾斜の程度を評価することが可能となる。また、エッジ部分の傾斜の程度の評価値を、面内分布表示することによって、テーパーが形成される要因を特定することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】
電子線シミュレーションを利用した，ＳＥＭ画像によるパターン計測においては，シミュレーションの精度が非常に重要となる。シミュレーション画像と実画像のマッチングを行うためには，計測対象形状や材料を適切にモデル化し，シミュレーション画像に反映する必要がある。
【解決手段】
本発明では，ＳＥＭ画像やＡＦＭなど他の計測装置により得られた情報に基づいて，シミュレーションと実画像のマッチング計測の精度に与える影響が大きな形状や寸法を適切に設定したシミュレーション画像を用いることにより，高精度なパターン計測を実現するようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は，試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線情報を出力する電子顕微鏡システムを提供することにある。
【解決手段】
電子顕微鏡像のパターンエッジの各点において，パターンエッジに対して接線方向に該電子顕微鏡像を投影して局所投影波形を生成し，各点で生成した局所投影波形を，予め作成しておいた，試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリに当てはめることによって，試料上に転写されたパターンの断面形状を推定し，断面形状に則したエッジ端の位置座標を求め，この位置座標の連なりとしてパターンの輪郭線を出力する。 （もっと読む）

【課題】わずかな間隔の違いを拡大して表現するモアレ法を、特に微細な領域での測定を得意とする電子線モアレ法を用い、容易に走査照射装置の走査精度を検定する方法を提供する。
【解決手段】検定試料として、グリッドを形成する材料と基板とが粒子線又はエネルギー線に対する透過性又は反射特性又は電子やイオンの発生特性が異なるようにして、前記基板にグリッドが形成された基準板に対して、平行にあるいは鋭角な角度を持って前記粒子線又はエネルギー線を走査状に照射して画像を得る。広範囲における倍率を検定できるよう、基準となるグリッドを校正すべき装置の能力に見合うように作製し、これを用いてモアレ縞を発生させ、このモアレ縞の形状より、走査幅の不均一や不正確さを検定校正する。 （もっと読む）

【課題】寸法検査工程において、回路パターンまたはＱＣパターンの活性化領域上のゲート電極寸法を高精度に計測し、半導体装置を安定して製造する。
【解決手段】測定対象の画像データから、配線幅プロファイルを取得し、設計データベースから活性化領域の幅やピッチなどの下層レイヤの寸法を取得し、活性上解析領域を幅、およびピッチで設定し、画像の端からの位置をｘとする。活性上解析領域の配線幅の平均値をＡＥＩ＿Ａ（ｘ）として計算する。位置ｘを０からＴまで移動すると、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は下層レイヤのピッチ構造に応じて変動する。下層レイヤの活性化領域と活性上解析領域が一致した場合、配線幅の平均値ＡＥＩ＿Ａ（ｘ）は最大値をとる。この極値を活性領域上のゲート電極寸法の計測結果とし、半導体装置の製造工程を管理する。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドのリード素子の素子形状を評価する素子評価方法及び装置に関し、同一の評価試料によってリード幅、コア幅及び素子高さを評価しうる素子評価方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１の材料よりなる第１の部分と第２の材料よりなる第２の部分とが積層された第１の領域に電子線を入射し、第１及び第２の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第１の電子線強度を測定し、第１の材料よりなる第２の領域に電子線を入射し、第１の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第２の電子線強度を測定し、第２の材料よりなる第３の領域に電子線を入射し、第２の材料の構成元素の原子質量に依存したコントラストを示す第３の電子線強度を測定し、第１の電子線強度と第１の部分の厚さとの関係を、第２の電子線強度と評価試料の厚さとの関係及び第３の電子線強度と評価試料の厚さとの関係から算出することにより、第１の領域の第１の部分の厚さを算出する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特定の部分の寸法を高精度かつ高速に測定する。
【解決手段】
繰り返し構造からなる第１のパターンと、第１のパターンの上に繰り返し構造を跨いで形成された線状の第２のパターンと、を有する半導体装置の寸法測定に用いられる寸法測定装置である。寸法測定装置は、第１のパターンの形状に関する情報を取得する形状情報取得手段と、第２のパターンの顕微鏡による観察結果から、第２のパターンを構成する各部分の幅値を取得する幅値取得手段と、形状情報取得手段で取得した前記第１のパターンの形状に対応するように、第２のパターン上に複数の解析領域を設定する解析領域設定手段と、設定された解析領域ごとに、幅値取得手段で取得した幅値の中から、解析領域に含まれる部分の幅値を抽出し、抽出した幅値を用いて、第２のパターンの第１のパターンと重なる部分における寸法を決定する寸法決定手段とを備える。 （もっと読む）